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EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
據美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內容
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英特爾CEO：EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
據美國科技博客BusinessInsider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人Gordon Moore提出，內容
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英特爾CEO：EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
北京時間10月31日消息，據美國科技博客BusinessInsider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人
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莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
縮小半導體工藝尺寸能走多遠?推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且
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莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩
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莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
縮小半導體工藝尺寸能走多遠? 推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異
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Molecular Imprints 開發(fā)出 J-FIL 壓印光刻技術
-- Molecular Imprints J-FIL 技術展現(xiàn)生產高性能線柵偏振片的能力 此類偏振片可以被用于平板顯示器 --規(guī)格不超過50納米的大面積線柵偏振片將能提高平板顯示器的分辨率，降低耗電量和成本 德克薩斯州奧斯汀
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MII開發(fā)J-FIL壓印光刻技術用于平板顯示器
納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術領導者 Molecular Imprints， Inc.(簡稱 MII)今天宣布，該公司開發(fā)出了一種可以輕松應用于顯示器行業(yè)的軸承式 Jet and Flash® 壓印光刻(簡稱 J-FIL® )技術和工藝。
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市場抉擇極限 14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分析來看，業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出
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14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分析來
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14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇 依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分
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Rolith和SUSS MicroTec宣布安裝第2代納米光刻工具
2013年3月7日，高級納米結構涂層和設備研發(fā)企業(yè)Rolith, Inc.宣布成功安裝 由Rolith, Inc. 獨家授權SUSS MicroTec AG建造的第 2 代納米結構原型工具 – RML-2 工具。此原型基于 Rolith, Inc. 開發(fā)的具有顛覆性的納米光
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臺積電已同意向芯片制造設備商ASML投資11億歐元
臺積電已同意向全球最大的芯片制造設備廠商ASML投資11億歐元(約合14億美元)，以確保獲得未來最新的芯片制造技術。英特爾也是ASML的投資方之一。ASML在一份公告中表示，臺積電將以8.38億美元的價格收購ASML的5%股份，
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英特爾公司投資41億美元促進EUV光刻技術的研發(fā)
據英國《自然》雜志網站7月25日（北京時間）報道，芯片制造商英特爾公司表示，將向總部設在荷蘭的半導體設備制造商阿斯麥投資41億美元，其中10億美元專門用于極紫外線（EUV）光刻技術的研發(fā)，新技術有望讓晶體管的大
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Intel注資41億美元推動ASML450mm平臺及EUV相關技術研發(fā)
為了加快在450mm技術和EUV光刻技術方面的發(fā)展速度，Intel公司最近與設備廠商ASML公司達成了一攬子總合作金額高達41億美元的協(xié)議。作為協(xié)議的一部分，Intel將首先購買總值約21億美元的ASML股票，將來為配合ASML公司為
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EUV技術差距甚遠 芯片廠商陷入兩難
長久以來看好可作為芯片制造業(yè)的下一大步── 超紫外光(EUV)光刻技術事實上還未能準備好成為主流技術。這意味著急于利用EUV制造技術的全球芯片制造商們正面臨著一個可怕的前景──他們必須使用較以往更復雜且昂貴的技
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下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩
在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可
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后ArF時代的光刻征途
Cost matters。用中國話說就是“成本猛于虎”。 半導體業(yè)人士最大的夢想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強大的驅動力，它影響著成千上萬的工程師
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隨筆：EUV光刻技術與協(xié)和式超音速客機的奇妙類比
與我們熟悉的摩爾定律類似，如果采樣對比的時間長度足夠短，那么幾乎任何科技發(fā)展的速度都會呈現(xiàn)出一種對數(shù)級的線性增長。有些業(yè)內人士總是喜歡將其所在業(yè)界的發(fā)展歷史趨勢總結為與摩爾定律類似的形式，希望業(yè)界的未
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MIT實現(xiàn)9納米工藝電子束光刻技術
麻省理工學院 (MIT)的研究人員表示，已經開發(fā)出一種技術，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達9nm，遠小于原先所預期的尺寸。MIT表示，電子束光刻工具的最小特征尺寸已證實可以解決25nm的制程
