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麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm
麻省理工學(xué)院的研究人員表示，他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術(shù)，而此前電子束光刻技術(shù)所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關(guān)這次研究的詳細(xì)內(nèi)容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Mic
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后ArF時(shí)代的光刻征途
Cost matters。用中國(guó)話說(shuō)就是“成本猛于虎”。 半導(dǎo)體業(yè)人士最大的夢(mèng)想莫過(guò)于以最小的成本投入換取最大的回報(bào)。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力，它影響著成千上萬(wàn)的工程師
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光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光 刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進(jìn)展
GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。O
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光刻技術(shù)：193nm波長(zhǎng)光源光刻技術(shù)的延壽術(shù)與緩兵之計(jì)
半導(dǎo)體工業(yè)目前的普遍做法是使用的是波長(zhǎng)接近200nm的光源來(lái)刻制30nm尺寸級(jí)別的芯片圖像。如果按照常規(guī)的光學(xué)理論，由于所謂衍射極限的存 在，200nm光源光刻技術(shù)的理論分辨率極限應(yīng)在400nm左右。 然而，實(shí)際上人們
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Intel:極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過(guò)10nm工藝
Intel近日親口承認(rèn)，備受關(guān)注的極遠(yuǎn)紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計(jì)劃是在14nm工藝上擴(kuò)展193nm沉浸式光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2013年下半年實(shí)現(xiàn)，然后2015年下半
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EUV掩膜版清洗技術(shù)遭遇資金危機(jī)
本周在奧斯汀由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術(shù)大會(huì)(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會(huì)者紛紛表示EUV光刻技術(shù)的發(fā)展對(duì)EUV有關(guān)的量測(cè)技術(shù)以及掩膜清潔技術(shù)
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光刻世界的期待與沮喪
數(shù)十年來(lái)，光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過(guò)，在最近的SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)大會(huì)中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實(shí)上幾乎已經(jīng)有點(diǎn)像心理安慰了。 焦慮、緊張
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誰(shuí)才是IC大佬們的光刻技術(shù)最愛(ài)？
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣)
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣
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Intel：極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過(guò)10nm工藝
Intel近日親口承認(rèn)，備受關(guān)注的極遠(yuǎn)紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計(jì)劃是在14nm工藝上擴(kuò)展193nm沉浸式光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2013年下半年實(shí)現(xiàn)，然后2015年下半年
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對(duì)比分析
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對(duì)比分析
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略異同分析
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對(duì)比分析
臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)
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比利時(shí)IMEC宣布已安裝ASML NXE:3100試產(chǎn)型EUV光刻機(jī)
比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC最近宣布在其設(shè)在比利時(shí)魯汶的研究設(shè)施中安裝了一臺(tái)ASML生產(chǎn)的NXE:3100試產(chǎn)型EUV光刻機(jī)。IMEC機(jī)構(gòu)的總裁 兼CEO Luc Van den hove會(huì)在今天召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議（SPIE advanced lithog
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巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術(shù) 450mm大潮2018年將至
不久前臺(tái)積電公司公布自己轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對(duì)450mm技術(shù)未來(lái)走向的新預(yù)測(cè)，他認(rèn)為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來(lái)臨，不過(guò)在此之前各大芯片制造廠商會(huì)先完成其它 幾項(xiàng)重要的技
