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VGROUP與INKRON共同開發(fā)下代光學(xué)組件的高折射率材料和納米壓印光刻技術(shù)
在EVG的NILPhotonics ® 技術(shù)處理中心，共同合作開發(fā)衍射光學(xué)的新材料，以應(yīng)用于波導(dǎo)管、臉部識別傳感器和其他光子組件2020年2月17日，奧地利ST. FLORIAN和芬蘭埃斯波—EV Group(EVG)，為MEMS、納米科技和半
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臺積電7nm+大量供貨：近40年終于實現(xiàn)EUV光刻
臺積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長直接降到13.5n
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中科院院士：中國光刻技術(shù)與國外差距15-20年
國內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心已經(jīng)無需多言，目前國內(nèi)最薄弱的領(lǐng)域還是芯片制造，而在這方面我們又缺少尖端的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，尤其是光刻技術(shù)，這是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的核心工藝。 在2019中國集成電路設(shè)計大會上，中
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首次加入EUV極紫外光刻！臺積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)
臺積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。 臺積電表示，7nm+ EVU工藝的良品率已經(jīng)提高
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Brewer Science：做半導(dǎo)體材料的領(lǐng)路人
上個世紀80年代初Brewer Science發(fā)明了Anti-Reflective Coatings(防反射涂層，簡稱“ARC®”)材料，由此革新了光刻工藝，Brewer Science一直致力于通過技術(shù)創(chuàng)新不斷推動摩爾定律向前發(fā)展。
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GIGAPHOTON確定將FABSCAPE?運用于7家大型半導(dǎo)體制造商
2018年12月19日—半導(dǎo)體光刻的制造商GIGAPHOTON株式會社宣布，因用于半導(dǎo)體制造裝置運行監(jiān)控與分析的“FABSCAPE?”自2018年3月發(fā)布以來獲得強烈反響，因此已確定在2019年1月前將其運用于7家大型半導(dǎo)體制造商。
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新思科技攜手中科院微電子所成立EUV光刻仿真聯(lián)合實驗室
近日，新思科技與中國科學(xué)院微電子研究所強強聯(lián)手，正式組建“EUV光刻仿真聯(lián)合實驗室”并舉行揭牌儀式。雙方聯(lián)合宣布將在北京合作共建國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的聯(lián)合實驗室，共同合作開發(fā)基于EUV的光刻仿真及應(yīng)用，致力提高中國EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領(lǐng)域尖端人才。該聯(lián)合實驗室得到了北京市科學(xué)技術(shù)委員會國際科技合作專項的支持。
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Maskless Lithography推出大批量PCB生產(chǎn)用直寫光刻設(shè)備
Maskless Lithography公司近日首次公開推出全新的可提高印制電路板（PCB）生產(chǎn)門檻的直寫數(shù)字成像技術(shù)。Maskless Lithography是硅谷一家由一群行業(yè)資深人士領(lǐng)導(dǎo)的新創(chuàng)企業(yè)。這種MLI-2027直寫光刻系統(tǒng)首次在業(yè)內(nèi)同時實
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淺談光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用性能
（電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術(shù)是曝光技術(shù)中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻膠在集成電路制
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上海微電子：提升中國光刻設(shè)備高端制造水平
上海微電子裝備有限公司成立于2002年，公司主要致力于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的投影光刻機研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與服務(wù)，可廣泛應(yīng)用于IC制造與先進封裝、MEMS、3D-TSV、OLED-TFT、LED、Power Devices等制造領(lǐng)域。這是IC制造領(lǐng)域的
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沉浸式光刻制約EUV的推出
【導(dǎo)讀】使用193nm光刻的半導(dǎo)體發(fā)展路線圖已經(jīng)走到盡頭，下一代將必定采用157nm光。TI公司前端處理部經(jīng)理Jim Blatchford剛剛完成一種前沿157nm光刻系統(tǒng)的談判，但他對這種尚未驗證的技術(shù)仍然有點擔(dān)心，因此他想去負責(zé)
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LED前端設(shè)備已啟動下一輪投資
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)測， 經(jīng)過18-24個月的消化期，LED前端設(shè)備市場開始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動力。但第二輪投資價值有限，因為設(shè)備
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LED前端設(shè)備市場復(fù)蘇 已啟動下一輪投資
Yole Développement預(yù)測， 經(jīng)過18-24個月的消化期，LED前端設(shè)備市場開始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動力。但第二輪投資價值有限，因為設(shè)備產(chǎn)能和良率有所改善，
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4寸LED芯片尺寸成2014年發(fā)展趨勢
近期包括三安光電、華燦光電等芯片龍頭紛紛開始布局2寸轉(zhuǎn)4寸外延芯片。業(yè)內(nèi)人士稱，4寸外延芯片為趨勢。 近日三安光電董秘李雪炭對本社表示，公司2013年完成2寸轉(zhuǎn)4寸片百分比為30%，爭取2014年達70%以上。華燦光電在
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以光為刃，鐫刻中國產(chǎn)業(yè)的“光刻指紋”
本報記者 陳 磊 賈 婧 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展 賀榮明清楚地記得，11年前，當大部分專家、領(lǐng)導(dǎo)問他，中國自主研發(fā)光刻機有決心嗎？“有！”當時的回答并無一絲猶豫?！叭缃窕叵氪耸抡嬗行┖笈?，那時候勇氣勝過理智。”
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里？至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。 三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻 通過與ARM、Cadence、Synops
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了
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21ic新聞大爆炸：極紫外光刻2015年商用——目標10nm
1、極紫外光刻2015年商用：目標10nm全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用，各大半導(dǎo)體廠商都在摩拳擦掌。ASML計劃在今年底出貨首批三臺NXE:3300B光刻機，其中
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極紫外光刻2015年商用：目標10nm
全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用，各大半導(dǎo)體廠商都在摩拳擦掌。ASML首席執(zhí)行官兼總裁Peter Wennink公開表示：“NXE:3300B極紫外光刻掃描儀的整合
