內(nèi)存
-
三大巨頭停產(chǎn)引發(fā)搶貨潮 國產(chǎn)存儲緊急重啟DDR4產(chǎn)線
7月25日消息，由于供應短缺，最近一段時間DDR4內(nèi)存頻繁出現(xiàn)漲價、缺貨等現(xiàn)象。
-
LPDDR6內(nèi)存標準正式發(fā)布：沖擊14.4GHz！
7月10日消息，JEDEC今天正式發(fā)布了LPDDR6內(nèi)存標準，規(guī)范編號JESD209-6，可顯著提升移動設備、AI應用的性能、能效、安全。
-
DDR4內(nèi)存價格倒掛比DDR5高數(shù)倍！廠商心動延長生產(chǎn)
7月6日消息，由于供應短缺，DDR4內(nèi)存價格在過去幾個月內(nèi)大幅上漲，甚至超過了DDR5內(nèi)存，這一現(xiàn)象促使一些廠商重新考慮延長DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)。
-
黑芝麻智能一芯多域零拷貝共享內(nèi)存技術：破解車載大數(shù)據(jù)傳輸效能困局
上海 2025年6月23日 /美通社/ -- 近期，黑芝麻智能分享了其如何通過零拷貝共享內(nèi)存技術，解決車載多域間大數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t與資源消耗問題。核心技術包括全局內(nèi)存管理單元和dmabuf機制優(yōu)化，顯著降低CPU負載與DDR帶寬占用，推動汽車向 "場景驅(qū)動" ...
-
DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價一天大漲近8%：比DDR5還貴
6月16日消息，“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大”，一位從業(yè)者表示。
-
美光為 Motorola 最新款 Razr 60 Ultra 注入 AI 創(chuàng)新動能
基于美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲解決方案，合力打造 Motorola 功能強大的翻蓋手機
-
AI PC浪潮推動內(nèi)存升級，Rambus 全新PMIC及芯片組助力帶寬與能效優(yōu)化
AIPC作為新興且高速增長的應用領域，對內(nèi)存性能的推動作用十分顯著。一方面，它直接驅(qū)動了內(nèi)存技術規(guī)格的更新?lián)Q代和高帶寬、低延遲的內(nèi)存架構的發(fā)展；另一方面，也間接推動了內(nèi)存模塊的電源管理技術、信號完整性控制和可靠性設計的全方位升級。從長遠來看，隨著AI計算的規(guī)模進一步擴大，客戶端內(nèi)存性能還將持續(xù)快速提升，甚至可能進一步向數(shù)據(jù)中心級的高性能內(nèi)存規(guī)格看齊。這種技術的不斷迭代升級，也為未來AI PC的普及與發(fā)展奠定了堅實的基礎。
-
有望徹底改變內(nèi)存現(xiàn)狀！新一代3D X-DRAM技術亮相
5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項新的3D X-DRAM單元設計——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。
-
你了解HBM高帶寬內(nèi)存嗎？你了解HBM3嗎？
為增進大家對HBM高帶寬內(nèi)存的認識，本文將對HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM3予以介紹。
-
為什么HBM高帶寬內(nèi)存很重要？看完你就懂了
為增進大家對HBM高帶寬內(nèi)存的認識，本文將對HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM高帶寬內(nèi)存的重要性予以介紹。
-
Altera Agilex?? 7 M 系列FPGA正式量產(chǎn)，提供行業(yè)領先的內(nèi)存帶寬
經(jīng)優(yōu)化，Agilex?? 7 M系列 FPGA專為 AI與數(shù)據(jù)密集型應用設計，有效緩解內(nèi)存瓶頸
-
CXL技術有哪些優(yōu)勢？CXL技術面臨哪些挑戰(zhàn)？
為增進大家對CXL技術的認識，本文將對CXL技術的優(yōu)勢以及CXL技術面臨的挑戰(zhàn)予以介紹。
-
盤點操作系統(tǒng)的幾種內(nèi)存管理算法
內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中除了處理器以外最重要的資源，用于存儲當前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存是相對于CPU來說的，CPU可以直接尋址的存儲空間叫做內(nèi)存，CPU需要通過驅(qū)動才能訪問的叫做外存。
-
《服務器操作系統(tǒng)遷移指南》團標正式發(fā)布，浪潮信息牽頭編寫
北京2025年2月28日 /美通社/ -- 日前，《服務器操作系統(tǒng)遷移指南》（以下簡稱《指南》）經(jīng)中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會批準后正式發(fā)布，將于3月正式實施?！吨改稀酚衫顺毙畔款^，中國電子技術標準化研究院、阿里云、統(tǒng)信軟件等20家業(yè)內(nèi)知名機構及企業(yè)共同起草，適用于服務器操作系統(tǒng)...
-
美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領內(nèi)存技術突破，滿足未來計算需求
美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點技術，為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動平臺帶來卓越的性能與能效
-
美光移動解決方案助力三星 Galaxy S25 系列 AI 體驗再創(chuàng)新高
三星旗艦手機 Galaxy S25 Ultra、S25+ 和 S25 采用美光內(nèi)存和存儲解決方案，開創(chuàng)多模態(tài) AI 體驗
-
自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
本文提出，CMOS開關可以取代自動測試設備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關。CMOS開關的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導通速度、可靠性和可擴展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進內(nèi)存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。
-
超詳細解析！CPU和內(nèi)存之間關系
CPU和內(nèi)存之間存在密切關系，它們共同構成了計算機系統(tǒng)的核心部分，相互配合以實現(xiàn)高效的計算和處理。?CPU(中央處理器)是計算機的大腦，負責執(zhí)行計算和處理各種指令。而內(nèi)存(隨機存取存儲器)是用于臨時存儲數(shù)據(jù)和指令的地方，以供CPU快速訪問。
-
內(nèi)存、內(nèi)存緩沖區(qū)有什么關系?如何解決內(nèi)存溢出的問題
為增進大家對內(nèi)存的認識，本文將對內(nèi)存緩沖區(qū)和內(nèi)存的關系以及解決內(nèi)存溢出的方案予以介紹。
-
內(nèi)存頻率越高越好嗎?超頻會不會導致內(nèi)存損壞?
為增進大家對內(nèi)存的認識，本文將對內(nèi)存頻率高、內(nèi)存超頻問題予以介紹。
dlw626
benxiaoyu4
yym86202
keyoushide
qutian
一路向北lm
zhangmangui
mark0668
xxz21ic
zhengjianping02
zwm2011
2Q19
shaodeli12
qwwc
abh2019
lxpin
cgd
fjsfsxwz
ccqccqccq
WMIII
