據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日?qǐng)?bào)道稱，全球第二大NAND閃存制造商?hào)|芝內(nèi)存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開招股)。

據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日?qǐng)?bào)道稱，全球第二大NAND閃存制造商?hào)|芝內(nèi)存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開招股)。

STM32 DMA->內(nèi)存到內(nèi)存

基于STM32 F401 Discovery板：DMA2在AHB1總線上步驟一：使能DMA#defineDMA_STREAM_CLOCKRCC_AHB1Periph_DMA2RCC_AHB1PeriphClockCmd(DMA_STREAM_CLOCK,ENABLE);步驟二：reset DMA Stream register:/*ResetDMAStreamr

東芝內(nèi)存公司最快將于2019年秋季IPO！

東芝內(nèi)存公司CEO成毛康雄(Yasuo Naruke)上個(gè)月曾表示，公司計(jì)劃在2年至3年內(nèi)上市。但根據(jù)日本共同社的報(bào)道，東芝內(nèi)存公司最快將于未來一年內(nèi)上市。顯然，該公司也希望盡早上市。

惠普發(fā)布新款筆記本電腦：14英寸可翻轉(zhuǎn)屏幕，最高配32GB DDR4內(nèi)存

平板和筆記本慢慢開始融合，筆記本配上觸摸屏之后，和平板的差距也就越來越小了。只要在系統(tǒng)和軟件應(yīng)用方面再融合一下，以后就沒有必要再分開了?；萜招峦瞥龅腅liteBook x360 1040 G5筆記本就給人這樣一種二合一的感覺。

美光臺(tái)灣中科廠落成 大幅提升生產(chǎn)效率與市場占有率

全球前三大內(nèi)存制造商美光科技，在中科后里園區(qū)打造的先進(jìn)后段生產(chǎn)基地，將于26日落成營運(yùn)，這也將使臺(tái)灣美光的晶圓制造及后段封測， 得以集中于一個(gè)據(jù)點(diǎn)，大幅提升生產(chǎn)效率與市占。

DRAM使三星利潤大漲，為何明年卻要大砍DRAM投資？

消息，三星電子最近公布了第三季度初步盈利預(yù)期，預(yù)計(jì)第三季度營業(yè)利潤將創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其DRAM芯片的強(qiáng)勁需求。三星預(yù)計(jì)第三季公司收入同比增長4.7%至65萬億韓元（570億美元），營業(yè)利潤同

256GB內(nèi)存！三星為即將推出的服務(wù)器展示256GB DDR4 內(nèi)存

三星的256 GB DDR4寄存式DIMM帶有ECC，帶有36個(gè)內(nèi)存包，每個(gè)包含8 GB(64 Gbit)容量，以及IDT的4RCD0229K寄存器芯片(用于緩沖地址和命令信號(hào)，并增加內(nèi)存通道支持的等級(jí)數(shù))。這些封裝基于四個(gè)單芯片16 Gb元件，這些元件使用硅通孔(TSV)互連。在架構(gòu)上，256 GB模塊是八進(jìn)制的，因?yàn)樗哂袃蓚€(gè)物理等級(jí)和四個(gè)邏輯等級(jí)。

使用PXI模塊化儀器完成超低功耗ASIC設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)和內(nèi)存測試

三星開始削減存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

近日，有媒體稱2019年內(nèi)存售價(jià)降下降一至二成，受到這一消息影響，三星開始削減存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

DRAM內(nèi)存要降價(jià)？三星：我們減產(chǎn)！

根據(jù)此前的報(bào)道，今年三季度以來，內(nèi)存市場價(jià)格已經(jīng)下降一成，而四季度還將在下降，到明年年初，閃存市場還有25%-30%的降幅。受到智能手機(jī)發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要DRAM閃存制造商將會(huì)出現(xiàn)供過于求的情況。

內(nèi)存要大降價(jià)？統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)預(yù)測明年內(nèi)存價(jià)格將會(huì)下降15%-20%

內(nèi)存在2016年之后經(jīng)歷了一波暴漲，在2017年處于高位，其高昂的價(jià)格讓大家苦不堪言，不過今年內(nèi)存的價(jià)格算是跌了一點(diǎn)，好歹不那么恐怖了。而根據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)最新的預(yù)測，2019年的內(nèi)存價(jià)格將會(huì)下降15%-20%。

【ARM學(xué)習(xí)筆記】實(shí)驗(yàn)三：S3C2440A與內(nèi)存SDRAM連接實(shí)驗(yàn)

前文講到了存儲(chǔ)控制器對(duì)外引出了8根片選信號(hào)線，分別對(duì)應(yīng)8個(gè)BANK，每個(gè)BANK的地址空間大小為128MB，共計(jì)1GB的物理尋址空間在8個(gè)BANK中，BANK0占用總線地址0x00000000~0x07FFFFFF，而CPU在上電后會(huì)從總線地址0x000000

臺(tái)積電釋放十大信號(hào)，對(duì)IC設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體設(shè)備商將產(chǎn)生怎樣的影響？

代工大佬臺(tái)積電每年都會(huì)為其客戶們舉辦兩次大型活動(dòng)-春季的技術(shù)研討會(huì)和秋季的開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇。

好消息！內(nèi)存和閃存第四季度價(jià)格會(huì)明顯下跌

根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)研，今年第三季度DRAM的合約價(jià)漲幅會(huì)縮小到1~2%，到了第四季度可能會(huì)下跌5%，而且不排除跌幅擴(kuò)大的可能，因?yàn)橄掳肽闐RAM的市場需求疲軟，新的智能手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求，導(dǎo)致出貨平淡，而消費(fèi)級(jí)的PC市場則由于Intel方面的供貨不足會(huì)受到?jīng)_擊。

為減少對(duì)DRAM的依賴，SK加碼投資NAND！

日前有韓國媒體《Business Korea》分析，SK海力士這間M15工廠落成后，可借由擴(kuò)大生產(chǎn)來縮小市場差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財(cái)報(bào)中顯示，DRAM占80%的銷量，NAND Flash則僅占18%，和三星電子60：40的比重來比，SK海力士對(duì)DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來減少對(duì)DRAM的依賴。

華邦電子在高雄建12 吋晶圓廠，斥資 3,350 億預(yù)計(jì)2020 年完工

中國臺(tái)灣高雄市政府10月1日表示，內(nèi)存廠華邦電子進(jìn)駐高雄路竹科學(xué)園區(qū)，預(yù)計(jì)投資 3,350 億元興建12吋晶圓廠，并將于3日動(dòng)土，新廠預(yù)計(jì)2020 年完工;本次投資規(guī)模遠(yuǎn)勝過去15 年來路科投資的累計(jì)總額，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造2,500 個(gè)高科技人才就業(yè)機(jī)會(huì)。

三星Q3利潤高達(dá)154億美元，內(nèi)存占80%

智能手機(jī)業(yè)務(wù)也不再像以前那樣帶給三星巨額利潤了。不過失之東隅收之桑榆，三星電子這兩年的業(yè)績并沒有受損，反而因?yàn)閮?nèi)存、閃存芯片業(yè)務(wù)大漲價(jià)而彌補(bǔ)了手機(jī)業(yè)務(wù)損失，今年Q3季度預(yù)計(jì)盈利高達(dá)154億美元，同比大漲20%，其中80%的利潤都來自內(nèi)存、閃存等存儲(chǔ)芯片。

為阻止內(nèi)存價(jià)格下降，三星竟這么做！

我們知道，近年來內(nèi)存價(jià)格上漲，讓內(nèi)存大廠三星賺得盆滿缽滿。而近段時(shí)間來內(nèi)存價(jià)格有下降的趨勢(shì)，但把利潤擺在第一位的三星想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存價(jià)格下滑的趨勢(shì)，明年將對(duì)內(nèi)存減少投資，以讓內(nèi)存處于供給相對(duì)緊張的局面，來維持內(nèi)存的高價(jià)。

ARM 系列 -- FS2410 開發(fā)板上 Nand Flash 到內(nèi)存的代碼搬移

一、目的 通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存， 為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準(zhǔn)備。二、代碼 關(guān)于如何建立開發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循

高頻內(nèi)存必備的XMP模式有什么用？

關(guān)于XMP的寫法，有寫成X.M.P.的，有寫成X.M.P的，當(dāng)然也有直接寫XMP的，Intel官網(wǎng)是寫作XMP，所以本文以XMP為準(zhǔn)。