2018是半導(dǎo)體旺年？成長(zhǎng)估達(dá)10.1%

2018年全球半導(dǎo)體概況，預(yù)估市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1%，主要來(lái)自各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng);展望2019年，內(nèi)存成長(zhǎng)趨緩， 預(yù)期成長(zhǎng)幅度為3.8%，預(yù)計(jì)2018年下半年，這波產(chǎn)業(yè)景氣就會(huì)逐漸落底。

廠商產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，內(nèi)存將繼續(xù)降價(jià)？

自2018年第二季起，內(nèi)存價(jià)格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出價(jià)格開(kāi)始松動(dòng)，由其是在中國(guó)大陸，無(wú)論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開(kāi)出;盡管目前尚未進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價(jià)格仍有下跌空間， 在未來(lái)兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價(jià)格飆漲的狀況。

今年半導(dǎo)體資本支出增至1020億美元，存儲(chǔ)占比過(guò)半

超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存生產(chǎn)——主要是DRAM和閃存，這些支出包括了對(duì)現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級(jí)?？偟膩?lái)說(shuō)，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%。

進(jìn)程間通信之共享內(nèi)存（一）

labview使用中內(nèi)存的問(wèn)題

學(xué)習(xí)使用labview已有將近2年時(shí)間，由于一直都是編寫比較小的數(shù)據(jù)采集程序，所以沒(méi)有考慮過(guò)數(shù)據(jù)內(nèi)存的問(wèn)題，最近在編寫一個(gè)使用內(nèi)部工具較多，而且使用word報(bào)表模版生成最后的測(cè)試報(bào)告程序，總是遇到VI無(wú)法導(dǎo)入和無(wú)法

全都是泡沫？?jī)?nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)明年將下跌25%

終于，內(nèi)存條價(jià)格要降了。據(jù)DRAMeXchange報(bào)道，內(nèi)存價(jià)格在2019年將降低15~25%。報(bào)道稱，第四季度的DRAM芯片合同價(jià)的談判已開(kāi)始，雖然PC DRAM保持穩(wěn)定，但隨著DRAM需求全面放緩，圖形顯卡的DRAM價(jià)格已經(jīng)下滑。目前，

調(diào)查顯示：DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)

觀察全球DRAM大廠營(yíng)收表現(xiàn)，三星穩(wěn)坐產(chǎn)業(yè)龍頭，營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，來(lái)到112.1億美元，季增8.2%;SK海力士受惠于位元成長(zhǎng)顯著，營(yíng)收較前季大幅成長(zhǎng)19.5%，達(dá)76.9億美元，亦幫助SK海力士于第二季奪回部分市占。兩大韓廠第二季營(yíng)收市占率分別為43.6%與29.9%，合計(jì)約73.5%。

博通發(fā)布10萬(wàn)兆“網(wǎng)卡” ，支持雙通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存

博通今天發(fā)布的這個(gè)Stingra PS1100R網(wǎng)卡可以歸類于家里有礦系列了，因?yàn)檫@是一個(gè)100Gbe的10萬(wàn)兆網(wǎng)絡(luò)適配器，核心的BCM58804H處理器集成了4個(gè)Cortex-A72核心，支持雙通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存。

第二季DRAM供給吃緊，報(bào)價(jià)上揚(yáng)，營(yíng)收再創(chuàng)新高

2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng)，DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%，再創(chuàng)新高。除了繪圖用內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。

2018年DRAM芯片產(chǎn)值將突破1000億美元！三星成最大贏家

內(nèi)存芯片產(chǎn)值高，受益最高的就是韓國(guó)企業(yè)了，尤其是三星電子，三星在DRAM內(nèi)存占據(jù)全球市場(chǎng)份額的45%，NAND閃存占37%。

內(nèi)存芯片產(chǎn)值將破千億美元,韓國(guó)獨(dú)占四分之三

這兩年DRAM內(nèi)存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內(nèi)存尤其夸張，價(jià)格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了，但市場(chǎng)需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱，從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insight的

內(nèi)存是塊肥田！2018年全球DRAM銷售額有望突破1000億美元大關(guān)

報(bào)告稱，今年全球半導(dǎo)體銷售總額將達(dá)4280億美元，其中DRAM所占比重將達(dá)24%，若加上NAND閃存的市場(chǎng)份額，兩大存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體市場(chǎng)上占比將高達(dá)38%。

國(guó)之驕傲！清華紫光自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國(guó)硅谷首次公開(kāi)

韓媒稱，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國(guó)硅谷首次公開(kāi)。中美貿(mào)易戰(zhàn)之下，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)宣布進(jìn)軍市場(chǎng)。

STM32使用DMA從串口讀數(shù)據(jù)到內(nèi)存

使用DMA從串口讀數(shù)據(jù)到內(nèi)存和從內(nèi)存搬數(shù)據(jù)到串口一樣，只是要注意所使用的DMA通道不一樣。當(dāng)配置好后，如果串口上有數(shù)據(jù)傳輸，DMA就自動(dòng)把數(shù)據(jù)搬到內(nèi)存中。當(dāng)工作在正常模式，DMA搬運(yùn)了設(shè)定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)后，會(huì)產(chǎn)生中斷

NAND閃存價(jià)格還要連跌10%！大容量SSD將加速普及！

3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來(lái)2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。

SK Hynix斥資15萬(wàn)億韓元建設(shè)DRAM工廠

SK Hynix日前宣布了新的投資計(jì)劃，將斥資15萬(wàn)億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國(guó)總部京畿道利川市3.5萬(wàn)平方米的場(chǎng)地上建設(shè)新的工廠，編號(hào)M16。

存儲(chǔ)企業(yè)是贏家！西數(shù)Q4財(cái)季凈利大漲170%

由于西數(shù)已經(jīng)收購(gòu)了Sandisk閃迪公司，所以他們的業(yè)務(wù)中不再以HDD硬盤為絕對(duì)主力，Q4季度中營(yíng)收51.17億美元，相比去年同期的548.4億美元增長(zhǎng)5.7%。運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)8.43億美元，凈利潤(rùn)7.56億美元，而去年同期運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)、凈利潤(rùn)分別是6.52億美元、2.8億美元，分別上漲了29%、170%。

國(guó)產(chǎn)要自強(qiáng)！紫光預(yù)計(jì)年底可DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)

近年來(lái)，我國(guó)對(duì)集成電路、存儲(chǔ)等半導(dǎo)體領(lǐng)域投資加大，成效也漸漸凸顯出來(lái)，紫光在存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展也非常迅速，預(yù)計(jì)今年年底可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)，再過(guò)些時(shí)日，我國(guó)或擺脫對(duì)國(guó)外存儲(chǔ)產(chǎn)品的嚴(yán)重依賴。

三星第二代10nm工藝LPDDR4X內(nèi)存量產(chǎn) 性能不變更省電

內(nèi)存漲價(jià)給三星帶來(lái)了利潤(rùn)的飆升，也促使三星加快內(nèi)存產(chǎn)品的推出和量產(chǎn)。現(xiàn)在智能手機(jī)都免不了日日充這一尷尬局面，所以手機(jī)產(chǎn)品對(duì)功耗的要求也是越來(lái)越高，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，在性能方面和第一代相當(dāng)，但功耗大降10%，整體封裝厚度減少20%，非常貼合現(xiàn)在智能手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)。

STM32的內(nèi)存地址映射與IAP下載

stm32的flash地址起始于0x08000000，結(jié)束地址是0x080000000加上芯片實(shí)際的flash大小，不同的芯片flash大小不同。RAM起始地址上0x200000000，結(jié)束地址是0x20000000加上芯片的RAM大小。STM32將外設(shè)等都映射為地址的形式