內存
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影馳HOF系列DDR4內存問世
高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經登場一星期了，與此同時也帶來了一大波DDR4內存，這次可能會讓你吃驚，因為熱門硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內存。其實影馳在年中的Comput
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英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內存
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務器處理器產品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更
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支持DDR4內存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務器處理器產品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更智能的資源調
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三星電子推出30納米級低功率1.25V服務器內存
日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級企業(yè)服務器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)產品。三星相關負責
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前景慘淡 茂德或退出PC內存業(yè)務
茂德近日表示其未來的業(yè)務重心將逐漸從PC DRAM芯片領域轉移，其長遠目標是逐漸淘汰PC內存業(yè)務。茂德高層透露，隨著公司即將進行的資本重組，茂德將進一步專注于利基市場的內
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DDR4內存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V
JEDEC固態(tài)技術協(xié)會今天公布了DDR4內存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
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日本地震損及全球25%的芯片硅晶圓供應 內存產業(yè)受重創(chuàng)
日本地震導致全球用于生產半導體的四分之一硅晶圓生產中止。信越化學工業(yè)株式會社的白河工廠已經停產。MEMC Electronic Materials Inc.的宇都宮工廠也停產。這兩家工廠的合
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TCC89x的內存分布區(qū)域設置
//=====================================================================//TITLE:// TCC89x的內存分布區(qū)域設置//AUTHOR:// norains//DATE:// Friday 7-January-2011//E
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PCI Express反射內存節(jié)點卡(GE)
PCI Express半高卡平臺具有確定性、低延遲、高速內存共享等特點 弗吉尼亞州夏洛茨維爾市，2011年1月12日訊-GE智能平臺宣布推出半高卡PCIE-5565PIORC PCI Express反射內存
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基于OMAP-L138平臺多通道手持頻譜分析儀研究
摘要：針對部分特殊場合對頻譜分析儀使用需要多通道、便攜等需求，設計了一種通道數(shù)最多支持64通道的手持多通道頻譜分析儀。該頻譜分析儀以美國德州儀器公司推出的DSP+ARM雙核CPU芯片OMAP-L138為平臺，采用多通道A/D
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三星宣布完成第一款DDR4內存開發(fā)樣品
三星電子今天宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。時至今日，DDR4內存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI
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IBM展示3D Racetrack內存技術
據(jù)國外媒體報道，IBM的研究人員最近證實，Racetrack內存理論是正確的，可以用于指導這類內存芯片的生產。 采用Racetrack芯片，移動設備的存儲容量將增加逾100倍，可以存儲
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血拼小米新旗艦！華為手機重磅新品來了
小米今天舉行新品發(fā)布會，而華為榮耀也準備了新產品和開放購買活動應對，兩家真的是要死磕到底了。對于明天的新產品，華為官方再次給出了一個新海報，對于即將發(fā)布的新產品，他們給出了“混血”的描述，到
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IBM與Mosaid公司就侵權案達成和解協(xié)議
內存技術授權公司Mosaid Technologies宣布其與IBM公司之間的專利糾紛已達成和解。Mosaid公司稱IBM已經與自己簽署了專利授權協(xié)議，雙方并簽署了不再就有關 的專利進行官司
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改善嵌入式系統(tǒng)實時效能的新途徑
在這個日趨復雜的世界，對于嵌入式處理器的要求也愈來愈高。去年也許使用128k的程序及4個實時處理緒列便足以執(zhí)行應用程序，但是今年的產品規(guī)格已將所需內存提升為兩倍，中斷
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AMD宣布和Hynix聯(lián)手開發(fā)HBM堆棧內存
3D IC內存和所有2.5D/3D技術終于離全面商業(yè)化更近一步了!在上周于美國加州伯林蓋姆市(Burlingame)召開的RTI 3D ASIP會議上，AMD和Hynix共同宣布了兩家公司將攜手開發(fā)HBM(高帶寬內存)技術的消息。AMD高級研究員兼3D項
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三星GALAXY F真機再曝光 5.2英寸金屬機身
之前曝光的三星新旗艦GALAXY F又有新的諜照現(xiàn)身，此前有消息稱該機將會采用金屬材質機身，從最新曝光的照片來看，這款三星新機的邊緣采用了切角的設計，金屬的質感非常明顯，可以基本確定材質為金屬。配置方面，三星
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DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時日
磁阻內存的概念幾乎是和磁盤記錄技術同時被提出來的。但是眾所周知，內存讀寫的速度需要達到磁盤讀寫的速度的100萬倍，所以不能直接使用磁盤記錄技術來生產內存。磁阻內存的設計看起來并不復雜，但是對材料的要求比較
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DDR3內存的PCB仿真與設計
1概述當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術已得到廣泛應用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質量的可靠性和滿足并行總線的時序要求，對設計實現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
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Intel 14nm全新架構海量細節(jié)：4W??！
Intel將在未來一年內連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器，其中Broadwell主打筆記本移動平臺，Skylake則會為桌面平臺帶來全新升級，無論架構、技術都將有質的飛躍，尤其是支持DDR4。今天，我們又獲悉了關于Skylake的大量
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