他為摩爾定律續(xù)命，因?yàn)椤耙坏嗡倍@獎(jiǎng)

“獲得未來(lái)科學(xué)大獎(jiǎng)是非常榮幸的事情，這是大家對(duì)我所做工作的肯定。我本來(lái)以為，大陸同行不清楚我做的貢獻(xiàn)，現(xiàn)在看來(lái)大家都知道我做的貢獻(xiàn)”。他欣然答應(yīng)今年11月18日來(lái)北京參加頒獎(jiǎng)典禮。

SMT無(wú)鉛制程工藝要求及問(wèn)題解決方案

一、錫膏絲印工藝要求1、解凍、攪拌首先從冷藏庫(kù)中取出錫膏解凍至少4小時(shí)，然后進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間為機(jī)械2分鐘，人手3分鐘，攪拌是為了使存放于庫(kù)中的錫膏產(chǎn)生物理分離或因使用回收造成金屬含量偏高使之還原，目前無(wú)

關(guān)于PCB抄板無(wú)鉛制程OSP膜的性能及表征

摘要：為了滿足電子工業(yè)對(duì)于禁用鉛的迫切要求，印刷電路板（PCB）工業(yè)正將最后表面處理從熱風(fēng)整平的噴錫（錫鉛共晶）轉(zhuǎn)移到其他表面處理，其中包括有機(jī)保護(hù)膜（OSP）、沉銀、沉錫以及化學(xué)鎳沉金。由于OSP膜的優(yōu)異可焊

PCB加工特殊制程

現(xiàn)在的高速電路設(shè)計(jì)已經(jīng)達(dá)到GHz的水平，高速設(shè)計(jì)要求從三維設(shè)計(jì)理論出發(fā)對(duì)過(guò)孔、封裝和布線進(jìn)行綜合設(shè)計(jì)來(lái)解決信號(hào)完整性問(wèn)題。高速設(shè)計(jì)要 求中國(guó)工程師必須具備電磁場(chǎng)的理論基礎(chǔ)，必須懂得利用麥克斯韋爾方程來(lái)分

電路板顯影制程

PCB表面處理制程-化金工藝

1、化學(xué)鎳金1.1基本步驟脫脂→水洗→中和→水洗→微蝕→水洗→預(yù)浸→鈀活化→吹氣攪拌水洗→無(wú)電鎳→熱水洗→ 無(wú)電金→回收水洗→后處理水洗→干燥1.2無(wú)電鎳A. 一般無(wú)電鎳分為"置換式"與"自我催化"式其配方極多，但不

線路板的加工特殊制程

線路板PCB加工特殊制程作為在PCB行業(yè)領(lǐng)域的人士來(lái)說(shuō)，對(duì)于PCB抄板，PCB設(shè)計(jì)相關(guān)制程必須得熟練，通過(guò)深圳捷多邦科技有限公司專業(yè)PCB抄板人士的分析與總結(jié)，我們專業(yè)的PCB抄板專家得出以下線路板PCB加工的特殊制程，希

PCB雙面回焊制程（SMT）介紹及注意事項(xiàng)

目前SMT業(yè)界主流的電路板組裝技術(shù)應(yīng)該非「全板回流焊接（Reflow）」莫屬，其他當(dāng)然還有別的電路板焊接方法，而這種全板回流焊接又可以區(qū)分為單面板回焊及雙面板回焊，單面回焊的板子現(xiàn)在很少人使用了，因?yàn)殡p面回焊可

高密度電路板：何謂塞孔制程？

高密度電路板HDI希望提高鏈接密度，因此采用小盲孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，特定產(chǎn)品會(huì)采用RCC材料或孔上孔結(jié)構(gòu)制作增層線路。若薄膠片并沒(méi)有足夠膠量填充埋孔，就必須用其他填孔膠來(lái)填充孔，這種程序就是塞孔制程。 塞孔制程中會(huì)

PCB板鉆孔制程詳解

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A8內(nèi)含20億顆晶體管 20nm制程略勝三星Exynos 5430

隨著三星（Samsung）在上個(gè)月發(fā)布Exynos 5430雙4核心處理器，該公司可望成為出貨20nm智能手機(jī)SoC的首家供貨商。不過(guò)，蘋果（Apple）最近剛發(fā)布了iPhone 6與iPhone 6 Plus手

臺(tái)積電投產(chǎn)新款iPhone的A12芯片 采7納米工藝制程

上周臺(tái)灣媒體報(bào)道，蘋果新手機(jī)將會(huì)采用下一代效能更強(qiáng)的7nm制程A12芯片，此訂單將由臺(tái)積電獨(dú)攬 。現(xiàn)在 Anandtech援引臺(tái)積電總裁C.C.Wei正式在財(cái)務(wù)會(huì)議上宣布已經(jīng)投產(chǎn)7nm制程(CLN7FF)的A12芯片，重押新款iPhone供應(yīng)為其下半年業(yè)績(jī)助力，對(duì)于移動(dòng)計(jì)算來(lái)說(shuō)，7nm制程將具有顯著的意義，能夠極大地提高運(yùn)算效率和能效。

“2018中國(guó)半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)”召開(kāi)

2月2日，“2018中國(guó)半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)”在京召開(kāi)。本次大會(huì)由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦、邳州市政府協(xié)辦，旨在通過(guò)梳理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向、推介半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新理念，共同促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境的構(gòu)建，推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

三星量產(chǎn)全球最小DDR4內(nèi)存芯片 速度提升10%

據(jù)報(bào)道，三星電子宣布，公司已開(kāi)始通過(guò)第二代10納米級(jí)制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。

傳臺(tái)積電獨(dú)家獲得蘋果A12處理器代工訂單

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電憑借7納米制程的優(yōu)良性能，獨(dú)家獲得蘋果下一代處理器A12的代工訂單。

格羅方德為IBM提供定制化的14納米FinFET技術(shù)

半導(dǎo)體大廠GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導(dǎo)體，GF)表示，其14nm High Performance (HP) 技術(shù)現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)將運(yùn)用于 IBM 新一代服務(wù)器系統(tǒng)的處理器。在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知運(yùn)算時(shí)代，這項(xiàng)由雙方共同研發(fā)的14HP 制程，將協(xié)助IBM為其支持的云端、商務(wù)及企業(yè)級(jí)解決方案提供高效能及數(shù)據(jù)處理能力等兩大優(yōu)勢(shì)。

5G發(fā)展將帶動(dòng)RF功率元件需求成長(zhǎng)

隨著5G技術(shù)逐漸成熟，帶給射頻前端(RF Front End)晶片市場(chǎng)商機(jī)，未來(lái)射頻功率放大器(RF PA)需求將持續(xù)成長(zhǎng)，其中傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS;LDMOS具備低成本和大功率性能優(yōu)勢(shì))制程逐步被氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)取代，尤其在5G技術(shù)下需要支援更多元件、更高頻率，另砷化鎵(GaAs)則相對(duì)穩(wěn)定成長(zhǎng)。

解析：中芯國(guó)際各制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)

中芯國(guó)際近兩年發(fā)展迅猛，其在2016年?duì)I收更是達(dá)到29億美元，同比上升30.3%，增長(zhǎng)強(qiáng)勁。

聯(lián)發(fā)科危機(jī)接踵而來(lái),調(diào)整晶圓代工策略

全球智能手機(jī)市場(chǎng)戰(zhàn)況激烈，繼英特爾(Intel)不堪虧損棄守平臺(tái)戰(zhàn)場(chǎng)后，聯(lián)發(fā)科前2年獲利也出現(xiàn)腰斬，為重振氣勢(shì)，聯(lián)發(fā)科找來(lái)臺(tái)積電前執(zhí)行長(zhǎng)蔡力行擔(dān)任共同執(zhí)行長(zhǎng)，并全面修正營(yíng)運(yùn)策略與組織。

5G推動(dòng)RF的發(fā)展

研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來(lái)射頻功率放大器(RF PA)市場(chǎng)將出現(xiàn)顯著成長(zhǎng)，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵(GaN)取代，砷化鎵(GaAs)的市場(chǎng)占比則相對(duì)穩(wěn)定。