從華爾街的反應(yīng)來(lái)看,資本市場(chǎng)對(duì)于Intel上周宣布7nm因?yàn)楣に嚾毕菅悠谥辽?個(gè)月報(bào)以失望之情,盡管詳細(xì)的技術(shù)細(xì)節(jié)還不得而知,但I(xiàn)ntel內(nèi)部已經(jīng)痛定思痛,決定改變了。 具體來(lái)說(shuō),原技術(shù)、系統(tǒng)、架構(gòu)和
評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)仍然需要從整套發(fā)揮的性能上來(lái)講!
兩年前,臺(tái)積電量產(chǎn)了7nm工藝,今年將量產(chǎn)5nm工藝,這讓臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域保持著領(lǐng)先地位。現(xiàn)在3nm工藝也在按計(jì)劃進(jìn)行。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,3nm風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)將于明年進(jìn)行,量產(chǎn)計(jì)劃于2022年下半年
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,連續(xù) 5 年獨(dú)家獲得蘋(píng)果 A 系列處理器代工訂單的臺(tái)積電,近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列,5nm 工藝已在今年大規(guī)模量產(chǎn),更先進(jìn)的 3nm 工藝也在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),
芯片的制程從最初的0.35微米到0.25微米,后來(lái)又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工藝制程的過(guò)程中,大約需要縮小十倍的幾何尺寸及功耗,才能達(dá)
本次中芯國(guó)際14nm FinFET,意味著國(guó)產(chǎn)的更進(jìn)一步,中國(guó)芯加油
據(jù)多家外媒報(bào)道,在IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上,一張英特爾即將推出的制造工藝的擴(kuò)展路線(xiàn)圖被透露,其中顯示,英特爾未來(lái)將推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工藝。而這張圖是由ASML發(fā)言人在會(huì)議上展示的,ASML表示,此圖為英特爾9月在一次光刻會(huì)議上展示的。然而英特爾方面則澄清,這張圖被ASML修改過(guò)了。
12月10號(hào),最新消息稱(chēng)臺(tái)積電的5nm工藝良率已經(jīng)達(dá)到了50%,比當(dāng)初7nm工藝試產(chǎn)之前還要好,最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn),初期月產(chǎn)能5萬(wàn)片,隨后將逐步增加到7-8萬(wàn)片。
即使英特爾在 2022 年能夠達(dá)到 7nm 的規(guī)模,那制程上仍然會(huì)落后于臺(tái)積電,臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn) 5nm,預(yù)計(jì)在 2020 年的某個(gè)時(shí)候量產(chǎn)。隨著制程上優(yōu)勢(shì),以及因此可能的性能優(yōu)勢(shì)都慢慢掌握在了 AMD 手里,我認(rèn)為我們將繼續(xù)看到兩家公司在桌面級(jí)和服務(wù)器市場(chǎng)的市場(chǎng)份額差距縮小。
旺宏電子董事會(huì)決議通過(guò)明年新增資本支出新臺(tái)幣 8.65 億元(約1.9億人民幣),并繼續(xù)與 IBM 合作開(kāi)發(fā)相變化存儲(chǔ)器。
1、Additive Process 加成法指非導(dǎo)體的基板表面,在另加阻劑的協(xié)助下,以化學(xué)銅層進(jìn)行局部導(dǎo)體線(xiàn)路的直接生長(zhǎng)制程(詳見(jiàn)電路板信息雜志第 47 期 P.62)。電路板所用的加成法又可分為全加成、半加成及部份加成等不同方式
簡(jiǎn) 介在一般傳統(tǒng)的印刷電路板之制作過(guò)程當(dāng)中,基層板材其在完成鉆孔的制程之后,必須經(jīng)過(guò)貫孔的處理過(guò)程。其目的是要在板材的表面以及孔壁之上,沉積一層極薄地導(dǎo)電鍍層,使得后續(xù)的電鍍作業(yè),可以順利地進(jìn)行操作,從
印刷電路板制程簡(jiǎn)介 製程名稱(chēng) 製 程 簡(jiǎn) 介 內(nèi) 容 說(shuō) 明 印刷電路板 在電子裝配中,印刷電路板(Printed Circuit Boards)是個(gè)關(guān)鍵零件。它搭載其他的電子零件並連通電路,以提供一個(gè)安穩(wěn)的電路工作環(huán)境。如