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英飛凌領軍歐洲研究計劃 強化歐洲電子產(chǎn)業(yè)
一項著眼于能源效率的歐洲重要研究計劃，已在位于德國德勒斯登的英飛凌科技股份有限公司正式啟動。這項名為「eRamp」的計劃為期3年，旨在強化及擴展德國和歐洲成為電力電子制造的專業(yè)中心。共有
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豐田用SiC開發(fā)出高效率功率半導體
豐田汽車公司與電裝株式會社、豐田中央研究所株式會社合作，利用新材料SiC開發(fā)出了一種功率半導體。這種SiC功率半導體預計將用于控制混合動力車等的電動機驅動力的動力控制單元上，今后1年之內(nèi)將會在公共道路上開始進
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英飛凌牽頭啟動重點項目“eRamp”
【導讀】近日，英飛凌科技股份公司宣布，以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動。 “eRamp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中
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英飛凌牽頭啟動重點項目“eRamp”
近日，英飛凌科技股份公司宣布，以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動。 “eRamp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中心的德國及至整個歐洲的
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歐洲研發(fā)：啟動英飛凌牽頭的重點項目“eRamp”加強歐洲電子行業(yè)實力
英飛凌科技股份公司今日宣布——以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動。“eRamp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中心的德國及至整個歐洲的
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歐洲研發(fā)：啟動英飛凌牽頭的重點項目“eRamp”加強歐洲電子行業(yè)實力
英飛凌科技股份公司今日宣布——以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動?！癳Ramp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中心的德國及至整個歐洲的
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歐洲：啟動英飛凌牽頭重點項目eRamp加強歐洲電子行業(yè)實力
英飛凌科技股份公司今日宣布——以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動。“eRamp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中心的德國及至整個歐洲的
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啟動英飛凌牽頭的重點項目“eRamp”加強歐洲電子行業(yè)實力
2014年4月14日——英飛凌科技股份公司今日宣布——以能效為重點的歐洲最重要的研發(fā)項目之一“eRamp”近日在英飛凌科技公司德累斯頓研究中心啟動。“eRamp”項目為期三年，旨在加強和擴大作為電力電子制造技術中心的德
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2012年全球功率半導體市場規(guī)模為135.12億美元
日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復蘇，但由
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縮減LED/功率元件測試成本 PXI模組化SMU亮相
LED半導體照明網(wǎng)訊 PXI模組化電源量測單元(SMU)儀器問世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)等需要SMU輸出瞬間高瓦數(shù)的電源進行量測，然高瓦數(shù)的SMU往
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新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵
最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業(yè)
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新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵
最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業(yè)
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新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵
最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業(yè)
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新一代功率半導體掌握多個領域節(jié)能關鍵
最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝
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新一代功率半導體掌握著多個領域節(jié)能的關鍵
【導讀】作為節(jié)能背后的主角，功率半導體如今成為了關注的焦點。功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業(yè)機械、鐵路車輛、輸
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政策扶持重點 功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期
據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)
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節(jié)能技術獲支持 功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金期
據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，功率半
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國家釋放政策紅利 功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金期
LED半導體照明網(wǎng)訊 據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
