μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置(圖)

存儲(chǔ)器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

在此次大會(huì)上選舉產(chǎn)生了中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正、副理事長(zhǎng)和秘書長(zhǎng)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事刁石京當(dāng)選理事長(zhǎng)，北京大學(xué)蔡一茂等18人當(dāng)選副理事長(zhǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹當(dāng)選秘書長(zhǎng)。

ARM新技術(shù) 助力大幅縮小存儲(chǔ)器的占位空間

臺(tái)媒：硅晶圓需求旺盛 明年第一季度仍將漲價(jià)

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，環(huán)球晶、臺(tái)勝科和合晶等半導(dǎo)體硅晶圓廠透露，中國(guó)大陸的晶圓廠近期釋出的硅晶圓需求是以往的三倍;除存儲(chǔ)器廠產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健外，加上車載和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提升，明年半導(dǎo)體用硅晶圓仍供不應(yīng)求，預(yù)期明年首季合約價(jià)仍將上漲。

華邦電搶攻SLC NAND市占率 布局汽車電子等領(lǐng)域

存儲(chǔ)器大廠華邦電29日召開法說(shuō)會(huì)，總經(jīng)理詹東義表示，未來(lái)將深耕編碼型儲(chǔ)存快閃存儲(chǔ)器 (Code Storage Flash)，推出高品質(zhì)、高速的 SLC Serial NAND Flash，速度可與 NOR Flash 媲美，“我不覺得別人做得出來(lái)”，未來(lái)除搶攻車用領(lǐng)域外，包括智慧音箱等需求，均將成為推升華邦電在該領(lǐng)域市占率的機(jī)會(huì)。

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立

近日，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會(huì)暨第一次會(huì)員大會(huì)在武漢舉辦。工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)羅文出席大會(huì)并致辭，宣布中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立。湖北省副省長(zhǎng)曹廣晶出席大會(huì)并致辭，與羅文共同為聯(lián)盟揭牌。

單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方，并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以保持這條指令不會(huì)丟失，這是個(gè)什么地方呢?

三星、SK海力士開始研發(fā)EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM，最快2020年量產(chǎn)

就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家存儲(chǔ)器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器，未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。

神鋼電工建次世代PBGA基板

球閘陣列封裝基板 ( BGA )大廠神鋼電氣工業(yè)( Shinko Electric )26日于日股盤后發(fā)布新聞稿宣布，為了因應(yīng)存儲(chǔ)器小型、薄型化需求，將量產(chǎn)采用最先端MSAP(Modified Semi Additive Process)工藝的次世代塑膠球閘陣列(PBGA)基板，將投資16億日元在新井工廠內(nèi)興建次世代PBGA基板產(chǎn)線，且預(yù)計(jì)于2019年度下半年(2019年4-9月期間)啟用生產(chǎn)。

集成電路產(chǎn)業(yè)會(huì)真的如趙偉國(guó)所說(shuō)迎來(lái)最好發(fā)展時(shí)機(jī)了嗎？

2018年，恰逢中國(guó)改革開放40年。 40年前，64Kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)誕生，宣告超大規(guī)模集成電路時(shí)代來(lái)臨，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開始研制4Kb DRAM，在次年投入生產(chǎn);40年后，今年第四季度，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64Gb 32層三維閃存芯片(3D NAND Flash)將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，8月份剛剛推出的Xtacking技術(shù)更是給閃存芯片結(jié)構(gòu)帶來(lái)了歷史性突破，為全球閃存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展留下了中國(guó)企業(yè)濃墨重彩的一筆。

嵌入式應(yīng)用中存儲(chǔ)器類型的選擇技巧

嵌入式非易失性存儲(chǔ)器在汽車系統(tǒng)中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)

處理器存儲(chǔ)器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)

大容量存儲(chǔ)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)

嵌入式設(shè)備中片上存儲(chǔ)器的有效使用方法

IBM發(fā)表STM脈沖技術(shù)可望造就原子級(jí)存儲(chǔ)器

關(guān)于嵌入式多媒體應(yīng)用中的片上存儲(chǔ)器分配

超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用（2）———超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08

PIC系列單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和功能（上）