存儲(chǔ)器
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存儲(chǔ)器價(jià)格下跌恐持續(xù)到第三季度！
根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，累積在DRAM供應(yīng)商的庫存水位在第1季底普遍已超過六周(含Wafer bank)，而買方庫存水位雖在不同產(chǎn)品別略有增減，但平均亦至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。
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半導(dǎo)體市況趨緩，2月北美設(shè)備出貨持續(xù)下滑 創(chuàng)2年新低！
SEMI全球營銷長暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，2月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額自去年11月持續(xù)下滑，且為2017年2月來新低水平。不過盡管目前投資水平相對(duì)處在較低水位，設(shè)備出貨金額依然高于2016年的水平。
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中外廠家在“存儲(chǔ)器發(fā)展論壇”論劍
伴隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、邊緣計(jì)算等技術(shù)突破，存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)的載體對(duì)集成電路的進(jìn)展以及半導(dǎo)體市場增長起著關(guān)鍵作用，閃存市場經(jīng)歷了2017年51%的井噴之后，2018年依然小幅增長6%，預(yù)計(jì)今后兩年仍將保持兩位數(shù)的增長。以長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、晉華和紫光DRAM項(xiàng)目為主的中國新晉力量受到廣泛關(guān)注。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)回溫有望，K&S最新FC封裝設(shè)備將于明年量產(chǎn)
張贊彬預(yù)計(jì)，DRAM和NAND Flash有望在明年重獲成長，因此K&S決定將于明年量產(chǎn)Katalyst，厚積薄發(fā)。
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全球市場半年下滑20% ECRI預(yù)測半導(dǎo)體或崩盤
2016-2018年間，因存儲(chǔ)器產(chǎn)品漲價(jià)，海力士、美光市值增長超過300%。但如今，受DRAM價(jià)格崩盤的影響，三星、海力士、美光三巨頭在過去半個(gè)月時(shí)間里，市值均已經(jīng)下跌超過8%。
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存儲(chǔ)行業(yè)將觸底反彈？，但三星新廠將提前投產(chǎn)
業(yè)界人士認(rèn)為，三星此舉可能是在為明年存儲(chǔ)器需求復(fù)蘇做準(zhǔn)備，新廠或?qū)⑸a(chǎn)出最先進(jìn)的DRAM芯片，這些DRAM芯片將用于高端設(shè)備，例如折疊屏手機(jī)。
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全球首款面向半導(dǎo)體技術(shù)的鍵合鍍金銀線：以更低的成本確保高性能
競爭激烈的存儲(chǔ)器件市場上還從未出現(xiàn)過合適的金線替代品。如今，賀利氏推出的AgCoatPrime鍍金銀線，具有堪比金線的結(jié)合性與可靠性，可幫助半導(dǎo)體廠商顯著降低凈成本。
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格芯聲明：出售新加坡Fab 7廠純屬謠言
近期關(guān)于格芯(GLOBALFOUNDRIES)將出售新加坡Fab 7廠的消息和猜測純屬謠言。任何關(guān)于出售Fab 7廠和出售格芯的傳聞均為無稽之談。
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固態(tài)硬盤價(jià)跌量增 主控芯片等廠商受惠
NAND Flash價(jià)格持續(xù)走跌，全球存儲(chǔ)器大廠爭相推出新款固態(tài)硬盤搶攻市占率，價(jià)跌量增、固態(tài)硬盤滲透率攀升，帶動(dòng)臺(tái)廠控制芯片供應(yīng)商硅力-KY、瑞昱出貨放量，法人預(yù)估上半年固態(tài)硬盤芯片可望出現(xiàn)雙位數(shù)成長。
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2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額增長兩，進(jìn)口額首次超過3000億美元
2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6531.4億元，同比增20.69%。受2018年第四季度全球半導(dǎo)體市場下滑影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)2018年第四季同比增幅僅17.26%，較比前三季度略有下降;2018年第二季的增幅超過26%。
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Toshiba 與 WD 正在研發(fā) 128-Layer 3D TLC 存儲(chǔ)器顆粒
目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲(chǔ)器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn)，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲(chǔ)器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了相關(guān)的計(jì)劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲(chǔ)器顆粒計(jì)劃也泄漏出來了。
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半導(dǎo)體材料:研發(fā)驗(yàn)證門檻高 高端領(lǐng)域缺口大
半導(dǎo)體材料作為新材料的重要組成部分，是世界各國為發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)而關(guān)注的重中之重，它支撐著電子信息產(chǎn)業(yè)本土化的發(fā)展，對(duì)于產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)、國民經(jīng)濟(jì)及國防建設(shè)具有重要意義。2018年，國內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下，部分領(lǐng)域取得了可喜成績，但中高端領(lǐng)域用關(guān)鍵材料本土化上進(jìn)展緩慢，取得的突破較少，總體情況不容樂觀。
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三星開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM
據(jù)businessKorea報(bào)道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。
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2018年我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模85億美元，部分領(lǐng)域成績可喜
半導(dǎo)體材料作為新材料的重要組成部分，是世界各國為發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)而關(guān)注的重中之重，它支撐著電子信息產(chǎn)業(yè)本土化的發(fā)展，對(duì)于產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)、國民經(jīng)濟(jì)及國防建設(shè)具有重要意義。2018年，國內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下，部分領(lǐng)域取得了可喜成績，但中高端領(lǐng)域用關(guān)鍵材料本土化上進(jìn)展緩慢，取得的突破較少，總體情況不容樂觀。 我國半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)展不一。
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三星要和NXP半導(dǎo)體合體？三星：我可沒說
外傳三星電子正在考慮以50萬億韓元收購車用半導(dǎo)體企業(yè)-荷蘭恩智浦半導(dǎo)體(NXP)。消息傳開引發(fā)各界關(guān)注，但三星電子7日針對(duì)收購一案表示，報(bào)導(dǎo)說“我們討論收購NXP的部分”并不是事實(shí)，并沒有為了收購而進(jìn)行內(nèi)部討論。
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合肥海關(guān)助推安徽省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展
合肥海關(guān)采取多項(xiàng)措施支持國家重點(diǎn)發(fā)展的存儲(chǔ)式集成電路產(chǎn)業(yè)在安徽省快速發(fā)展。去年為安徽省存儲(chǔ)式集成電路產(chǎn)業(yè)辦理各類減免稅業(yè)務(wù)1631筆，進(jìn)口商品貨值84.6億元人民幣，免稅2.2億元人民幣。
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美光MWC新產(chǎn)品亮相 推全球首款1TB閃存卡
美國存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)廠美光25日在世界移動(dòng)大會(huì)(MWC)發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。該產(chǎn)品為高性能的可抽取式儲(chǔ)存解決方案，提供高達(dá) 1TB1的儲(chǔ)存容量，消費(fèi)者可用此閃存卡，在手機(jī)或其他電子裝置上儲(chǔ)存4K影片、照片與游戲。預(yù)計(jì)第2季上市銷售。
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傳貝恩資本準(zhǔn)備讓東芝存儲(chǔ)上市 IPO最早或于9月進(jìn)行
北京時(shí)間2月21日上午消息，路透社援引知情人士消息稱，貝恩資本(Bain Capital)已選中野村和三菱日聯(lián)摩根士丹利證券經(jīng)辦東芝存儲(chǔ)的首次公開發(fā)行(IPO)。IPO最早可能在9月進(jìn)行。
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SK海力士擬投超1千億美元建設(shè)四座半導(dǎo)體廠，用于生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)器
據(jù)路透社報(bào)道，SK海力士周四表示，計(jì)劃投資120萬億韓元(約1066.6億美元)用于在韓國新的產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)四座半導(dǎo)體工廠。
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內(nèi)存市場遭遇寒流 人工智能有望帶來暖意
近期，存儲(chǔ)器市場景氣消散，先后傳出全球幾大存儲(chǔ)廠家減少產(chǎn)能的消息，市場需求持續(xù)走低。在暫時(shí)尚未找到新突破口的情況下，幾大存儲(chǔ)廠商紛紛采取保守措施，降低資本支出，以圖解決供需失衡。
