三星電子30日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款32GB容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競(jìng)筆電DDR4存儲(chǔ)器。而新的SoDIMM存儲(chǔ)器模組是以10納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
近年來(lái)存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的占比穩(wěn)步提升,2017年已經(jīng)達(dá)到 24%左右,在集成電路中的比重更是超過了30%,在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司在NOR Flash領(lǐng)域已經(jīng)成為全球三大供應(yīng)商之一,同時(shí)也在積極發(fā)展2D NAND和DRAM,是國(guó)內(nèi)布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的主要廠商之一。日前,兆易創(chuàng)新全資子公司合肥格易集成電路有限公司投資興建的,公益性集成電路科技館“兆易集成電路科技館”,在合肥市舉行開館儀式。借此之機(jī),記者采訪了兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明,探討在當(dāng)前情況下中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之策。
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯
我們可以說程序存儲(chǔ)器的里面存放的是單片機(jī)的靈魂,它就是工作程序。小的可能只有1KB(最多只能裝1024條8位數(shù)據(jù),因?yàn)閷?shí)際指令還有許多2字節(jié)、3字節(jié)指令,所以它還裝不下1024條指令)大的也有128KB的
空間飛器在太空環(huán)境中面臨的主要問題之一就是輻射。太空中的各種高能粒子(包括高能質(zhì)子、中子、α粒子、得離子等)具有很高的動(dòng)能,通過時(shí)可能會(huì)影響半導(dǎo)體電路的邏輯狀態(tài),甚至對(duì)半導(dǎo)體材料造成永久損害。單個(gè)高能
擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器常用的芯片是EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)型(紫外線可擦除型), 如2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等。另外,
不出意外,2018年美國(guó)對(duì)中興的禁運(yùn)事件一定會(huì)被載入史冊(cè),若干年后,在歷史學(xué)家的撰文中會(huì)將這一年稱為中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的轉(zhuǎn)折年。當(dāng)然,通過這次事件也充分暴露了中國(guó)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域的不足,同時(shí)業(yè)界也更加重視芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。關(guān)于中興被禁事件,全民強(qiáng)烈呼吁自強(qiáng)自立研發(fā)制造芯片的熱情可歌可泣,但是冷靜下來(lái)我們也要思考一下:整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)是一家或者幾家公司,甚至一個(gè)地區(qū)可以獨(dú)立控制的嗎?答案是否定的。
發(fā)的QLC NAND閃存顆粒SSD于昨日(5月22日)誕生,1.92TB起步,最大7.68TB,機(jī)械硬盤的廉價(jià)大容量?jī)?yōu)勢(shì)被進(jìn)一步壓縮,戰(zhàn)場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)恐怕要正式移交給SSD了。
受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素,市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) IC insight 調(diào)查報(bào)告指出,2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。
RAMRandom-Access-Memory,隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常
單片機(jī)的分為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器。單片機(jī)內(nèi)部的存儲(chǔ)器稱為片內(nèi)存儲(chǔ)器,片外擴(kuò)展的存儲(chǔ)器成為片外存儲(chǔ)器。比如8031內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器而沒有程序存儲(chǔ)器,所以它一般要外接一塊程序存儲(chǔ)芯片,內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器叫做90
在實(shí)際的單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,往往既需要擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器,又需要擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(I/O接口芯片中的寄存器也作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的一部分),如何把片外的兩個(gè)64KB地址空間分配給各個(gè)程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存
近日,微控制器、混合信號(hào)、模擬及Flash IP解決方案提供商Microchip宣布,將正式收購(gòu)美國(guó)軍事和航空半導(dǎo)體設(shè)備最大的商業(yè)供應(yīng)商美高森美(Microsemi)。
ARM7是馮諾依慢結(jié)構(gòu),三級(jí)流水線結(jié)構(gòu) ARM9、ARM11是哈佛結(jié)構(gòu),5級(jí)流水線結(jié)構(gòu),所以性能要高一點(diǎn)。
單片機(jī)片外程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器操作命令與通常所說的存儲(chǔ)器不同,和I2C總線的AT24C02不同,SPI協(xié)議的也不同,是指采用專用接口電路,應(yīng)用P0口P2口地址總線和控制線的“三總線”方式訪問的。關(guān)于編程的
1 引 言 如今隨著信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,以微處理器為核心的嵌入式系統(tǒng)正在智能化儀表、實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)等方面發(fā)揮著巨大的作用。在許多實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常面臨的問題是需要支持大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。 但是
國(guó)微芯科技公司的PICmicro單片機(jī)和其他單片機(jī)相比,在硬件結(jié)構(gòu)和指令系統(tǒng)中采用了很多獨(dú)有的設(shè)計(jì)。 PIC系列單片機(jī)硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔,指令系統(tǒng)設(shè)計(jì)精練;采用哈佛總線結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)總線和指令總線
第一批基于閃存的固態(tài)(SSD)硬盤在12年前就已經(jīng)出現(xiàn),但直到現(xiàn)在,該技術(shù)才有望取代數(shù)據(jù)中心的機(jī)械(HDD)硬盤,至少在主存儲(chǔ)領(lǐng)域是如此。為什么需要這么長(zhǎng)時(shí)間?畢竟,采用隨機(jī)I/O的閃存驅(qū)動(dòng)器比HDD硬盤的速度要快1000倍。
根據(jù) TrendForce 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2018 年第一季的 DRAM 價(jià)格走勢(shì),除了繪圖用存儲(chǔ)器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動(dòng)價(jià)格有 15% 顯著上漲外,其余各應(yīng)用別的存儲(chǔ)器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅,今年第一季全球 DRAM 總營(yíng)收較 2017 年第四季成長(zhǎng) 5.4%,再創(chuàng)新高。
MCS96系列單片機(jī)是一種16位字長(zhǎng),比MCS51系列單片機(jī)功能更全、性能更高的單片機(jī),在儀器儀表、過程控制等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。在采用MCS96系列單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)中,我們碰到一個(gè)難題:當(dāng)需要大容量的數(shù)