RAM

Random-Access-Memory,隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫(xiě)，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。

PSRAM

Pseudo static random access memory，偽SRAM偽隨機(jī)存儲(chǔ)器，內(nèi)部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM與DRAM之間。

單\雙端口RAM

單端口RAM同一時(shí)刻，只能滿足讀或?qū)懩骋粍?dòng)作，而雙端口RAM存在兩套獨(dú)立的地址、數(shù)據(jù)、讀寫(xiě)控制等，可以同時(shí)進(jìn)行兩個(gè)操作，當(dāng)然為避免沖突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。偽雙口RAM是只有兩訪問(wèn)接口，單一個(gè)端口只讀，另一個(gè)端口只能寫(xiě)。

ROM

Read-Only-Memory,只讀存儲(chǔ)器，通常使用時(shí)一次寫(xiě)好，使用時(shí)只能進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫(xiě)操作。

CACHE

高速緩沖存儲(chǔ)器，由于存儲(chǔ)器DDR/DRAM等相對(duì)于處理器訪問(wèn)速度較慢，增加的一級(jí)緩沖存儲(chǔ)空間，當(dāng)需要處理器需要訪問(wèn)內(nèi)存某一塊區(qū)域時(shí)，先緩存cache中，處理器訪問(wèn)cache速度較快;但同時(shí)也需要增加處理DDR和CACHE中數(shù)據(jù)同步、替換等問(wèn)題。

TCM

Tightly-Coupled-Memory 緊密耦合(鏈接)的存儲(chǔ)器，是指和處理器鏈接緊密,基本可以看做和CACHE同一等級(jí)連接的存儲(chǔ)空間(印象中ARM結(jié)構(gòu)上和L2 CACHE同一層次)，其存儲(chǔ)空間的內(nèi)容不會(huì)像CACHE處理一樣經(jīng)常替換。

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，掉電非易失的存儲(chǔ)芯片，在特殊高電壓模式下可以插寫(xiě)，普通模式下只讀ROM。

FLASH

閃存，和EEPROM一樣可擦除可重寫(xiě)，差別EEPROM總是按字節(jié)操作，F(xiàn)LASH可以按照字節(jié)塊擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字節(jié)讀取，而NandFlash只能按塊讀取，兩者同樣可以按照字節(jié)塊擦除。Nor-Flash需要支持隨機(jī)讀取的地址、數(shù)據(jù)線，成本比Nand-Flash高，而其可擦寫(xiě)次數(shù)低于NAND FLASH,一般嵌入系統(tǒng)中剛boot需要初始化的代碼需要放置在Nor-Flash中。

對(duì)于FLASH的讀取總線可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同樣Flash可以和處理器集成在一起或是通過(guò)總線外部訪問(wèn)。

eMMC

embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成電路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一樣的使用接口。

硬盤(pán)

傳統(tǒng)硬盤(pán)采用磁材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，固態(tài)硬盤(pán)使用FLASH，訪問(wèn)速度性能較好。