-
確?？煽啃裕禾蓟璁a(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
-
SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進入生產(chǎn)營運
正在持續(xù)擴建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價值約 50 億歐元的設(shè)計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。值得一提的是，這些設(shè)計訂單來自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運營投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢，提升產(chǎn)能效益，同時將寬禁帶功率器件帶入到一個更為廣闊且多元的應(yīng)用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來邁進。
-
持續(xù)高增長的第三代半導(dǎo)體為何如此火熱？
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。
-
從測試角度看寬禁帶技術(shù)的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡化工具
泰克針對性的測試解決方案覆蓋了從半導(dǎo)體材料、生產(chǎn)、可靠性到電源設(shè)計應(yīng)用的全流程，幫助用好寬禁帶技術(shù)，推動技術(shù)進步。
-
意法半導(dǎo)體針對高能效功率變換應(yīng)用，推出新的 45W和150W MasterGaN 產(chǎn)品
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
-
芯派科技采用是德科技功率器件測試解決方案，加速推進第三代寬禁帶發(fā)展
是德科技公司日前宣布，芯派科技采用了是德科技的功率器件動態(tài)參數(shù)測試解決方案，二者將共同為促進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出努力。
-
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)...
-
為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)
泰克科技日前發(fā)布了全新Keithley S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)搭載了KTE 7軟件，提供更多增強功能。S530平臺使半導(dǎo)體制造商為高速增長的新技術(shù)增加參數(shù)測試功能，同時最大程度地減少資本投入和提高每小時晶圓制造效率。這將降低整體擁有成本，幫助制造商在競爭激烈的新興市場中應(yīng)對巨大的價格壓力。
-
安森美半導(dǎo)體的世界級寬禁帶產(chǎn)品供應(yīng)鏈
當(dāng)采用寬禁帶材料如碳化硅(SiC)半導(dǎo)體等精密器件時，至關(guān)重要的是選擇一個不僅可提供產(chǎn)品，還可提供設(shè)計方案、信息和支援的供應(yīng)商。安森美半導(dǎo)體具有內(nèi)部的、端到端供應(yīng)鏈的優(yōu)勢。
-
SiC和GaN的現(xiàn)狀，你了解嗎？
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶擴散到導(dǎo)帶所需的能量為：在硅中，該能量為1.1eV， SiC(碳化硅)為3.3eV，GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致較高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達到1200至1700V。由于使用了生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)勢：
-
SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素，作為最基礎(chǔ)的器件原料，硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動汽車、5G的新應(yīng)用的普及，對于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC（碳化硅）等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。
-
新型碳化硅基片提升功率器件解析
大家可能都聽說過SiC，那么知道他在汽車上的作用嗎?對電動汽車，電信和工業(yè)應(yīng)用中技術(shù)的不斷增長的需求促使Soitec和Applied Materials共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅(SiC)基板的聯(lián)合開發(fā)計劃。該計劃旨在提供技術(shù)和產(chǎn)品，以改善用于下一代電動汽車的SiC器件的性能和可用性。
-
SiC和GaN用于功率轉(zhuǎn)換的前景分析
相信很多人都聽說過半導(dǎo)體，那么你知道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在功率應(yīng)用方面(特別是在電源市場中)比硅半導(dǎo)體具有優(yōu)勢。但是，使用這些寬帶半導(dǎo)體(寬禁帶)的設(shè)計人員面臨著現(xiàn)實生活中的挑戰(zhàn)。
-
碳化硅隔離柵器件解析
什么是碳化硅隔離柵器件?它的作用是什么?Maxim Integrated推出了一款碳化硅(SiC)隔離式柵極驅(qū)動器，用于工業(yè)市場的高效電源。該公司聲稱，與競爭解決方案相比，新設(shè)備的功耗降低了30%，碳足跡降低了30%。
-
電路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多，并且隨著對SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。
-
半導(dǎo)體寬禁帶的技術(shù)解析
科技的不斷創(chuàng)新帶動了半導(dǎo)體的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體電路中，出現(xiàn)了一個詞，不是別的就是我們的主題，半導(dǎo)體禁帶寬度?這個詞的出現(xiàn)是解決電路中什么問題呢?帶著各種疑問，我們一起學(xué)習(xí)起來吧~
-
寬禁帶用于服務(wù)器和工業(yè)電源
網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)電源正推動功率密度增加，而這正是云和5G計算所需。碳化硅（SiC）二極管用于功率因數(shù)校正（PFC）級，而氮化鎵（GaN）/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級的選項。
-
電力電子技術(shù)的未來：寬禁帶
化石燃料是一種有限的資源，一旦消耗殆盡，世界將面臨前所未有的能源危機。正因如此，電在我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷娑贾陵P(guān)重要。幾乎人人都了解汽車、公交車和卡車將成為電動車，但很少有人知道航空學(xué)正在取得類似的進展-最終導(dǎo)致電動飛機的出現(xiàn)。
