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[導(dǎo)讀]科技的不斷創(chuàng)新帶動了半導(dǎo)體的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體電路中,出現(xiàn)了一個詞,不是別的就是我們的主題,半導(dǎo)體禁帶寬度?這個詞的出現(xiàn)是解決電路中什么問題呢?帶著各種疑問,我們一起學(xué)習(xí)起來吧~

科技的不斷創(chuàng)新帶動了半導(dǎo)體的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體電路中,出現(xiàn)了一個詞,不是別的就是我們的主題,半導(dǎo)體禁帶寬度?這個詞的出現(xiàn)是解決電路中什么問題呢?帶著各種疑問,我們一起學(xué)習(xí)起來吧~

對于包括半導(dǎo)體在內(nèi)的晶體,其中的電子既不同于真空中的自由電子,也不同于孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續(xù)的能量狀態(tài),即可取任何大小的能量;而原子中的電子是處于所謂分離的能級狀態(tài)。晶體中的電子是處于所謂能帶狀態(tài),能帶是由許多能級組成的,能帶與能帶之間隔離著禁帶,電子就分布在能帶中的能級上,禁帶是不存在公有化運(yùn)動狀態(tài)的能量范圍。半導(dǎo)體最高能量的、也是最重要的能帶就是價帶和導(dǎo)帶。導(dǎo)帶底與價帶頂之間的能量差即稱為禁帶寬度(或者稱為帶隙、能隙)。

半導(dǎo)體寬禁帶的技術(shù)解析

用途

禁帶中雖然不存在屬于整個晶體所有的公有化電子的能級,但是可以出現(xiàn)雜質(zhì)、缺陷等非公有化狀態(tài)的能級——束縛能級。例如施主能級、受主能級、復(fù)合中心能級、陷阱中心能級、激子能級等。順便也說一句,這些束縛能級不只是可以出現(xiàn)在禁帶中,實(shí)際上也可以出現(xiàn)在導(dǎo)帶或者價帶中,因?yàn)檫@些能級本來就不屬于表征晶體公有化電子狀態(tài)的能帶之列。

物理意義

禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個重要特征參量,其大小主要決定于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu),即與晶體結(jié)構(gòu)和原子的結(jié)合性質(zhì)等有關(guān)。

半導(dǎo)體價帶中的大量電子都是價鍵上的電子(稱為價電子),不能夠?qū)щ?,即不是載流子。只有當(dāng)價電子躍遷到導(dǎo)帶(即本征激發(fā))而產(chǎn)生出自由電子和自由空穴后,才能夠?qū)щ???昭▽?shí)際上也就是價電子躍遷到導(dǎo)帶以后所留下的價鍵空位(一個空穴的運(yùn)動就等效于一大群價電子的運(yùn)動)。因此,禁帶寬度的大小實(shí)際上是反映了價電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個物理量,也就是產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量。

作為載流子的電子和空穴,分別處于導(dǎo)帶和價帶之中;一般,電子多分布在導(dǎo)帶底附近(導(dǎo)帶底相當(dāng)于電子的勢能),空穴多分布在價帶頂附近(價帶頂相當(dāng)于空穴的勢能)。高于導(dǎo)帶底的能量就是電子的動能,低于價帶頂?shù)哪芰烤褪强昭ǖ膭幽堋?

影響因素

半導(dǎo)體禁帶寬度與溫度和摻雜濃度等有關(guān):半導(dǎo)體禁帶寬度隨溫度能夠發(fā)生變化,這是半導(dǎo)體器件及其電路的一個弱點(diǎn)(但在某些應(yīng)用中這卻是一個優(yōu)點(diǎn))。半導(dǎo)體的禁帶寬度具有負(fù)的溫度系數(shù)。例如,Si的禁帶寬度外推到0K時是1.17eV,到室溫時即下降到1.12eV。如果由許多孤立原子結(jié)合而成為晶體的時候,一條原子能級就簡單地對應(yīng)于一個能帶,那么當(dāng)溫度升高時,晶體體積膨脹,原子間距增大,能帶寬度變窄,則禁帶寬度將增大,于是禁帶寬度的溫度系數(shù)為正。

但是,對于常用的Si、Ge和GaAs等半導(dǎo)體,在由原子結(jié)合而成為晶體的時候,價鍵將要產(chǎn)生所謂雜化(s態(tài)與p態(tài)混合——sp3雜化),結(jié)果就使得一條原子能級并不是簡單地對應(yīng)于一個能帶。所以,當(dāng)溫度升高時,晶體的原子間距增大,能帶寬度雖然變窄,但禁帶寬度卻是減小的——負(fù)的溫度系數(shù)。

當(dāng)摻雜濃度很高時,由于雜質(zhì)能帶和能帶尾的出現(xiàn),而有可能導(dǎo)致禁帶寬度變窄。

禁帶寬度對于半導(dǎo)體器件性能的影響是不言而喻的,它直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度;對于BJT,當(dāng)發(fā)射區(qū)因?yàn)楦邠诫s而出現(xiàn)禁帶寬度變窄時,將會導(dǎo)致電流增益大大降低。

Si的原子序數(shù)比Ge的小,則Si的價電子束縛得較緊,所以Si的禁帶寬度比Ge的要大一些。GaAs的價鍵還具有極性,對價電子的束縛更緊,所以GaAs的禁帶寬度更大。GaN、SiC等所謂寬禁帶半導(dǎo)體的禁帶寬度更要大得多,因?yàn)槠鋬r鍵的極性更強(qiáng)。Ge、Si、GaAs、GaN和金剛石的禁帶寬度在室溫下分別為0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。

金剛石在一般情況下是絕緣體,因?yàn)樘?C)的原子序數(shù)很小,對價電子的束縛作用非常強(qiáng),價電子在一般情況下都擺脫不了價鍵的束縛,則禁帶寬度很大,在室溫下不能產(chǎn)生出載流子,所以不導(dǎo)電。不過,在數(shù)百度的高溫下也同樣呈現(xiàn)出半導(dǎo)體的特性,因此可用來制作工作溫度高達(dá)500℃以上的晶體管。

總結(jié):通過學(xué)習(xí)寬禁帶的用途,物理意義以及影響因素,我們進(jìn)一步深層次的了解寬禁帶的存在的意義了,以上就是半導(dǎo)體寬禁帶的一些技術(shù)干貨講解。

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