-
爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心
據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來(lái)臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來(lái)將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司（TIMC）
-
爾必達(dá)計(jì)劃削減債務(wù)并收購(gòu)資產(chǎn)
由于電腦行業(yè)復(fù)蘇推動(dòng)全球第三大電腦存儲(chǔ)芯片制造商爾必達(dá)扭虧為盈，因此該公司計(jì)劃削減債務(wù)，并購(gòu)買資產(chǎn)。負(fù)責(zé)管理財(cái)務(wù)和會(huì)計(jì)事務(wù)的爾必達(dá)高管TakehiroFukuda說(shuō)：“我們將尋求包括并購(gòu)和合作在內(nèi)的各種機(jī)會(huì)?！彼?/p>
-
爾必達(dá)發(fā)布首款自行開(kāi)發(fā)制造的圖形DRAM
爾必達(dá)內(nèi)存發(fā)布了首款自行開(kāi)發(fā)制造的圖形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戲機(jī)及個(gè)人電腦的圖形處理用途之外，還面向科學(xué)計(jì)算、物理模擬及數(shù)字圖像處理等的GPU（圖形處理器）用途。將
-
爾必達(dá)宣布50nm制程2GbGDDR5顯存開(kāi)發(fā)完成
日本爾必達(dá)公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程2Gb密度GDDR5顯存芯片的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達(dá)設(shè)在德國(guó)慕尼黑的設(shè)計(jì)中心開(kāi)發(fā)完成的。爾必達(dá)表示公司將于今年7月份開(kāi)始試銷這種50nm2GbGDDR5顯存樣片，而這款
-
茂德63納米試產(chǎn)成功將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63納米制程，年底前拉至3.5萬(wàn)片水平，同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45納米制程，屆時(shí)考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片
-
茂德63納米試產(chǎn)成功 將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63納米制程，年底前拉至3.5萬(wàn)片水平，同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45納米制程，屆時(shí)考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片
-
聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片
據(jù)悉，臺(tái)灣代工廠聯(lián)電(UMC)計(jì)劃于2011年年中開(kāi)始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺(tái)灣力成
-
聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交*持股進(jìn)行
邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場(chǎng)，聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布；值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來(lái)第2階段考慮以交*持股的方式，讓雙方的
-
爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)
「日本經(jīng)濟(jì)新聞」報(bào)導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司將與臺(tái)灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔（TSV）」加工技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體的微細(xì)化技術(shù)已快達(dá)到極限，將來(lái)的研發(fā)焦點(diǎn)聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。
-
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)
隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時(shí)代來(lái)臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布共同開(kāi)發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以
-
聯(lián)電私募 傳爾必達(dá)策略結(jié)盟
聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔（TSV）技術(shù)合作開(kāi)發(fā)合約，市場(chǎng)則再度傳出，爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一，且雙方未來(lái)不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對(duì)此一市場(chǎng)消
-
聯(lián)電爾必達(dá)力成 合攻3D IC
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢(shì)，投入開(kāi)發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生
-
聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作 最快2012年量產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。 聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長(zhǎng)已經(jīng)趨緩
-
簽訂3D IC技術(shù)合約 蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場(chǎng)需求
力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場(chǎng)需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測(cè)大廠力成(6239-TW)今(21
-
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)
隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時(shí)代來(lái)臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布共同開(kāi)發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏
-
茂德63奈米試產(chǎn)成功 將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴
茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63奈米制程，年底前拉至3.5萬(wàn)片水平，同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程，屆時(shí)考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片
-
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開(kāi)發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
-
爾必達(dá)計(jì)劃在中國(guó)大陸和臺(tái)灣建廠
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，爾必達(dá)總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時(shí)表示，該公司計(jì)劃在中國(guó)大陸和臺(tái)灣建廠，以滿足市場(chǎng)需求并減少稅收成本。阪本幸雄表示，爾必達(dá)必將進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，該公司最早將于2012年與一家臺(tái)灣芯片制造商
-
爾必達(dá)中國(guó)大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布巨額資本支出計(jì)畫(huà)后，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺(tái)系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請(qǐng)大陸政府官方入股。業(yè)界推測(cè)爾必達(dá)落腳之處有兩個(gè)選項(xiàng)，其一是茂
-
探討爾必達(dá)存儲(chǔ)器項(xiàng)目的可行性
日前傳聞爾必達(dá)可能牽手臺(tái)灣茂德來(lái)中國(guó)建存儲(chǔ)器廠，引起業(yè)界興趣。如今不管項(xiàng)目成與否？作些準(zhǔn)備還是十分有必要的。爾必迖在中國(guó)建廠的目的爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄是個(gè)有野心之人，誓言要與三星爭(zhēng)個(gè)高低，作全球存儲(chǔ)器第
- 觀看華邦安全閃存技術(shù)研討會(huì)，分享你的設(shè)計(jì)安全小“芯”思
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來(lái)的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說(shuō)的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
