電源設(shè)計(jì)人員的需求正變得越來越高,他們面臨著巨大的壓力,需要改善效率,降低成本,縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。電源設(shè)計(jì)是一項(xiàng)復(fù)雜的工作,這一過程有許多校驗(yàn)點(diǎn)。在電源設(shè)計(jì)系列專題中,我們將向您介紹10個(gè)設(shè)
摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖,定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源,進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化,減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn):高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件,這些器件適
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應(yīng)用,具有極快的和軟恢復(fù)
Vishay 發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應(yīng)用,具有極快的和軟恢復(fù)的時(shí)間,以及低正向壓降和反向峰值電流,可減少太陽能逆變器、UPS、電動(dòng)汽車和混合動(dòng)
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應(yīng)用,具有極快的和軟恢復(fù)的時(shí)間,以及
21ic訊 10月2日-10月6日,CEATEC 2012如期召開,本屆CEATEC主題重點(diǎn)關(guān)注:Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會(huì)的創(chuàng)造當(dāng)今世界隨著個(gè)人生活、商務(wù)、行業(yè)、社會(huì)系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)活用已在逐步孕育構(gòu)筑高效的智能社
在2011 IIC-China上,PI公司展示了兩款零待機(jī)功耗解決方案,其中一款是基于其集成離線式開關(guān)IC - LinkZero-AX的零待機(jī)功耗方案,吸引了很多整機(jī)設(shè)計(jì)工程師。我們都知道,電子產(chǎn)品在待機(jī)時(shí)一般都是主電源不工作,而輔
節(jié)能設(shè)計(jì)正在席卷整個(gè)電子行業(yè)。電子設(shè)備的廣泛使用對(duì)電網(wǎng)的壓力越來越大,因此節(jié)能就顯得非常有必要了?! ≌畽C(jī)構(gòu)和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施,來鼓勵(lì)工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品,尤其是在使用外置電
節(jié)能設(shè)計(jì)正在席卷整個(gè)電子行業(yè)。電子設(shè)備的廣泛使用對(duì)電網(wǎng)的壓力越來越大,因此節(jié)能就顯得非常有必要了?! ≌畽C(jī)構(gòu)和公用事業(yè)公司提出了一系列的法規(guī)和措施,來鼓勵(lì)工程師開發(fā)效率更高的產(chǎn)品,尤其是在使用外置電
最近,為了降低無源元件的尺寸并獲得快速動(dòng)態(tài)響應(yīng),驅(qū)動(dòng)頻率已被提高至MHz的數(shù)量級(jí)。但驅(qū)動(dòng)頻率越高,開關(guān)損耗就越大。隨著開關(guān)頻率不斷增加,MOSFET的開關(guān)損耗將超過導(dǎo)通損耗。特別是由于功率器件是在最高電壓電流條
最近,為了降低無源元件的尺寸并獲得快速動(dòng)態(tài)響應(yīng),驅(qū)動(dòng)頻率已被提高至MHz的數(shù)量級(jí)。但驅(qū)動(dòng)頻率越高,開關(guān)損耗就越大。隨著開關(guān)頻率不斷增加,MOSFET的開關(guān)損耗將超過導(dǎo)通損耗。特別是由于功率器件是在最高電壓電流條
基于電感的開關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開關(guān),用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFET作開關(guān)(圖1a中Q1),其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)具有相對(duì)較低的功耗。MOSFET完全打開時(shí)的導(dǎo)通電阻(
中心議題: 計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案: 重新設(shè)定輸入電壓范圍 改變開關(guān)頻率 也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近,CPU供電電流每?jī)赡攴槐?。事?shí)上
基于電感的開關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開關(guān),用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFET作開關(guān)(圖1a中Q1),其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)具有相對(duì)較低的功耗。 MOSFET完全打開時(shí)的導(dǎo)
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí),該閘極驅(qū)動(dòng)器通??商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電流,使其
21ic訊 Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí),該閘極驅(qū)動(dòng)器通??商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電
摘要:詳細(xì)分析了SVPWM的原理,介紹一種根據(jù)負(fù)載的功率因子來決定電壓空間零矢量的分配與作用時(shí)間的SVPWM算法,使得橋臂開關(guān)在通過其電流最大時(shí)的一段連續(xù)時(shí)間內(nèi)沒有開關(guān)動(dòng)作。這樣在提高開關(guān)頻率的同時(shí)減小了開關(guān)電