中評社香港7月9日電/中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過4年的艱苦攻關(guān),在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)上,實(shí)現(xiàn)了重要突破,在國內(nèi)首次采用后高K工藝成功研
中航國際控股股份(00161)旗下深圳附屬天馬微電子股份發(fā)盈喜,預(yù)期截至2013年3月31日止第一季業(yè)績,期內(nèi)歸屬于上市公司股東錄得凈利潤120萬至180萬元(人民幣?下同),每股盈利介乎0.002元至0.003元。 至于2012年同期
據(jù)國際文傳電訊社2013年6月30日報(bào)道,俄羅斯國防部副部長尤里·鮑里索夫在接受莫斯科回聲電臺采訪時表示,由于采取了相應(yīng)措施,俄羅斯正逐漸擺脫電子元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的落后狀態(tài)。鮑里索夫認(rèn)為,“8年前俄羅斯電子元器
據(jù)悉,中關(guān)村高端醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)園選址大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地。項(xiàng)目規(guī)劃用地面積19.19萬平方米,總投資約14.6億元。產(chǎn)業(yè)園建成后擬聚集30家以上較為成熟的醫(yī)療器械企業(yè),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值約50億元以上,創(chuàng)造稅收約5-6億元。建成
據(jù)國際文傳電訊社2013年6月30日報(bào)道,俄羅斯國防部副部長尤里·鮑里索夫在接受莫斯科回聲電臺采訪時表示,由于采取了相應(yīng)措施,俄羅斯正逐漸擺脫電子元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的落后狀態(tài)。鮑里索夫認(rèn)為,“8年前俄羅斯電子元器
[據(jù)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年6月26日報(bào)道]隨著軍事應(yīng)用持續(xù)推動GaN器件市場,其商業(yè)應(yīng)用已經(jīng)形成,這將幫助加速GaN市場增長。美國戰(zhàn)略預(yù)測公司最近發(fā)布的《2012~2017年GaN微電子市場》總結(jié)說,2012年整個GaN微電子器件市場
[據(jù)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年6月26日報(bào)道]隨著軍事應(yīng)用持續(xù)推動GaN器件市場,其商業(yè)應(yīng)用已經(jīng)形成,這將幫助加速GaN市場增長。美國戰(zhàn)略預(yù)測公司最近發(fā)布的《2012~2017年GaN微電子市場》總結(jié)說,2012年整個GaN微電子器件市場
本公司及董事會全體成員保證信息披露內(nèi)容的真實(shí)、準(zhǔn)確和完整,沒有虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或重大遺漏。根據(jù)深圳市發(fā)展和改革委員會下相關(guān)公司股票走勢同方國芯發(fā)的《關(guān)于深圳市國微電子有限公司深圳大規(guī)??删幊踢壿嬯?/p>
RK3188與RK3168采用28納米工藝以超低漏電實(shí)現(xiàn)GHz級性能GLOBALFOUNDRIES與福州瑞芯微電子有限公司(以下簡稱“瑞芯”)18日共同宣布,瑞芯新一代基于GLOBALFOUNDRIES 28納米高K金屬柵(HKMG)工藝技術(shù)的移動處理
LASTPOWER項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo),涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效
“繼數(shù)字信息化、網(wǎng)絡(luò)信息化之后,我們正逐步進(jìn)入智能信息化階段,也就是以云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)為特征的‘泛在網(wǎng)’時代。去年中央又確立了中國特色新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化道路,這些都需要大量自
中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的科研團(tuán)隊(duì)艱苦攻關(guān),成功開展22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè),在我國首先開展該技術(shù)攻關(guān)。記者楊琪實(shí)習(xí)生姜天海清晨8∶30,二三十張年輕的面孔準(zhǔn)時出現(xiàn)在中國
21ic訊 意法半導(dǎo)體被指定為該項(xiàng)目的負(fù)責(zé)方。Places2Be(“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”)項(xiàng)目旨在于支持28納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FD-SOI試制生產(chǎn)線的部署
鑒于即將退出意法愛立信(ST-Ericsson)——在移動處理器方面合資失敗的一家公司,位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財(cái)務(wù)分析師們披露了公司的總體戰(zhàn)略細(xì)節(jié)。這份戰(zhàn)略計(jì)劃早在2012年12月決定退出意法
LASTPOWER項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo),涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效
日月光宣布透過子公司上海日月光封裝測試,與日本東芝(Toshiba)子公司無錫東芝半導(dǎo)體(TSW)簽屬股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議,以7000萬人民幣取得TSW子公司無錫通芝微電子百分百股權(quán)。法人指出,無錫通芝微電子主要封裝產(chǎn)品包括分離式
東芝于2013年5月20日宣布,將出售其在華子公司東芝半導(dǎo)體(無錫)有限公司(以下簡稱東芝無錫)旗下的半導(dǎo)體后工序子公司——無錫通芝微電子有限公司(以下簡稱無錫通芝)。東芝已于當(dāng)天簽署了協(xié)議,將無錫通芝的所有
鑒于即將退出意法愛立信(ST-Ericsson)——在移動處理器方面合資失敗的一家公司,位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財(cái)務(wù)分析師們披露了公司的總體戰(zhàn)略細(xì)節(jié)。 這份戰(zhàn)略計(jì)劃早在2012年12月決定退出意
日月光昨天宣布,透過子公司上海日月光封裝測試,與日本東芝(Toshiba)子公司無錫東芝半導(dǎo)體(TSW)簽屬股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議,以7000萬人民幣取得TSW子公司無錫通芝微電子百分百股權(quán)。 法人指出,無錫通芝微電子主要封裝產(chǎn)品
LAST POWER項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo),涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電