晶體管
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串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路解析分析方法的研究
1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的計(jì)算模型 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類(lèi)繁多，把他作為我們研究問(wèn)題的對(duì)象，使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓
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用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析
工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算后，換成5A的MOS管，問(wèn)題就解決。為什么用電流裕量更小了，卻能提高可靠性呢?本文將從器件的結(jié)溫角度跟你說(shuō)說(shuō)產(chǎn)品的可靠性。
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OLED的結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)缺點(diǎn)
第一節(jié)、概述 OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管（OrganicLight-EmittingDiode），又稱為有機(jī)電激光顯示（OrganicElectroluminesenceDisplay,OELD）。因?yàn)榫邆漭p薄、省電等特性，
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晶體管線性直流電源，可控硅直流穩(wěn)壓電源，開(kāi)關(guān)電源原理簡(jiǎn)介
關(guān)于穩(wěn)壓電源|0">穩(wěn)壓電源電路結(jié)構(gòu)，究竟是晶體管線性直流電源，可控硅直流穩(wěn)壓電源和是開(kāi)關(guān)電源，要根據(jù)具體場(chǎng)合，合理采用。這三種電路，國(guó)際國(guó)內(nèi)都大量使用，各有各的特
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在較低電壓或較小電流電路上的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案
時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來(lái)接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可以這樣說(shuō)：用來(lái)控制較高電壓或較大功率的電路的電動(dòng)開(kāi)關(guān)
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IC如何創(chuàng)新
半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明讓電腦工業(yè)發(fā)生了一場(chǎng)革命，對(duì)于許多其它領(lǐng)域也有長(zhǎng)遠(yuǎn)的影響。不過(guò)，電子元件尺寸和價(jià)格的大幅度降低，是由于后來(lái)的一項(xiàng)發(fā)展，也就是集成電路的發(fā)展而得
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制作50W晶體管功放電路的方法
此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個(gè)零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實(shí)，頻響平直，解析力高，且功率可以達(dá)到50W。具體電路如
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利用工程加工基板實(shí)現(xiàn)晶體管微縮化之途徑
晶體管的持續(xù)微縮化對(duì)我們的日常生活有著超乎尋常的影響力?；叵?997年，IBM所制造的巨型超級(jí)計(jì)算機(jī)“深藍(lán)”重量達(dá)到1.4噸，運(yùn)算能力為11.38 GFLOPS 。“深
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面向粒子加速器，Ampleon推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應(yīng)用。
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埃賦隆半導(dǎo)體推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管 高效1,600W
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無(wú)線電應(yīng)用。
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擁有85億個(gè)晶體管，高通驍龍1000性能曝光
手機(jī)處理器市場(chǎng)已經(jīng)不能滿足高通的需要，因?yàn)槭謾C(jī)行業(yè)中蘋(píng)果、三星、華為等都有自家的處理器，高通的市場(chǎng)逐漸被蠶食，高通需要借助PC端處理器來(lái)保持自家的競(jìng)爭(zhēng)力。
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高通這次發(fā)力猛！驍龍1000參數(shù)曝光：擁有超85億個(gè)晶體管，遠(yuǎn)超蘋(píng)果A12
即將推出的Snapdragon 8180代號(hào)為“Poipu”項(xiàng)目，將擁有超過(guò)85億個(gè)晶體管。作為對(duì)比，驍龍835擁有30億個(gè)晶體管，而蘋(píng)果A12擁有69億顆晶體管。新的驍龍8180還可以提供高達(dá)15W的最大功率，與英特爾的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相當(dāng)。驍龍8180的尺寸為20×15mm，由臺(tái)灣制造商臺(tái)積電制造，基于7nm工藝打造。
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差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法
隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫，從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級(jí)。因?yàn)橹T如溝道長(zhǎng)度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
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高增益LC諧振放大器的設(shè)計(jì)
摘要：采用分立元件設(shè)計(jì)了一個(gè)3級(jí)單調(diào)諧放大器，可用于通信接收機(jī)的前端電路，通過(guò)合理分配各級(jí)增益和多種措施提高抗干擾性，具有中心頻率容易調(diào)整、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。電路經(jīng)
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晶體管低頻放大器詳述
各種類(lèi)型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號(hào)的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類(lèi)放大器通常處于低頻多級(jí)放大器的前幾級(jí)，故稱前置放大器，它的輸入信號(hào)幅度
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間歇振蕩器工作原理
在圖1(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過(guò)變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽
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英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可
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運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)原理
一、集成電路及其特點(diǎn)集成電路是利用氧化，光刻，擴(kuò)散，外延，蒸鋁等集成工藝，把晶體管，電阻，導(dǎo)線等集中制作在一小塊半導(dǎo)體（硅）基片上，構(gòu)成一個(gè)完整的電路。按功能可
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單原子！德國(guó)開(kāi)發(fā)出世界最小晶體管
與傳統(tǒng)量子電子元件不同，單原子晶體管不需要在接近絕對(duì)零度的低溫條件工作，它可以一直在室溫下工作，這是未來(lái)應(yīng)用的一個(gè)決定性優(yōu)勢(shì)。
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安森美設(shè)計(jì)EMI準(zhǔn)諧振適配器
準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時(shí)導(dǎo)通，從而
