自從發(fā)現(xiàn)石墨烯以來(lái),二維材料一直是材料研究的重點(diǎn)。二維材料,是指電子僅可在兩個(gè)維度的納米尺度(1-100nm)上自由運(yùn)動(dòng)(平面運(yùn)動(dòng))的材料,如納米薄膜、超晶格、量子阱。二維材料是伴隨著2004年曼切斯特大學(xué)Geim 小組成功分離出單原子層的石墨材料——石墨烯(graphene) 而提出的。
據(jù)悉,蘋(píng)果 A12 仿生芯片內(nèi)部集成 69 億個(gè)晶體管,其晶體管密度為 8390 萬(wàn)個(gè)/平方毫米,而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬(wàn)個(gè)/平方毫米。對(duì)比之下,蘋(píng)果 A12
什么是IGBT/MOSFET的內(nèi)置保護(hù)功能的光耦?它有什么作用?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1],其中包括通過(guò)監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過(guò)流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。
納米芯片在我們的生活中非常常見(jiàn),并被廣泛的應(yīng)用在手機(jī)、電腦、電視等各種數(shù)碼家電中。而美國(guó)對(duì)華為制裁開(kāi)始后,我國(guó)芯片研發(fā)能力的不足就開(kāi)始顯現(xiàn)了,而大多數(shù)人并不知道經(jīng)常提起的芯片到底是如何制作的,到底有何難度?下面帶大家了解一下芯片的制作過(guò)程。
你了解強(qiáng)大的GaN-on-SiC晶體管嗎?移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管--- QPD1025。QPD1025在65 V下運(yùn)行1.8KW,提供出色的信號(hào)完整性和更大的范圍,這對(duì)L頻段航空電子應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。
什么是Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管?它有什么作用?專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW,是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻晶體管,提供高信號(hào)完整性和長(zhǎng)覆蓋距離,非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識(shí)別 (IFF) 應(yīng)用。
本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管,例如SiC)。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從
現(xiàn)代微處理器是世界上最復(fù)雜的系統(tǒng)之一,但其核心是一個(gè)非常簡(jiǎn)單而優(yōu)美的器件——晶體管。微處理器中有數(shù)十億個(gè)近乎完全相同的晶體管。因此,提高晶體管的性能和密度是促使微處理器及受其驅(qū)動(dòng)的計(jì)算機(jī)更高效工作的最直接的方法。
綜合當(dāng)前比較可靠的消息,今年秋季蘋(píng)果的年度旗艦iPhone 12系列將依舊提供iPhone 12、iPhone 12Max和iPhone 12 Pro、iPhone 12 Pro Max兩個(gè)版本共四款
什么是高可靠性750 V氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC?你知道嗎?深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC,產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴(kuò)大。新款I(lǐng)NN3x78C器件集成了尺寸較小的“8號(hào)”750 V PowiGaN晶體管,可設(shè)計(jì)出外形輕巧的高效率電源,在無(wú)需散熱片的情況下能夠提供27 W至55 W的輸出功率。與基于氮化鎵的InnoSwitch3系列中更大型號(hào)的器件(最大目標(biāo)功率為120 W)一樣,這些IC也采用符合安規(guī)的大爬電距離的InSOP?-24D封裝。
線路放大器 線路放大器位于攝像機(jī)鏡頭內(nèi)部的、可以調(diào)節(jié)的光學(xué)機(jī)械性闌孔,可用來(lái)控制通過(guò)鏡頭的光線的多少。用于驅(qū)動(dòng)傳輸線的音頻或視頻信號(hào)放大器。 功率放大器 功率放大器(英文
比特幣密碼學(xué)不受傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)的影響 比特幣密碼學(xué)目前是堅(jiān)不可摧的。例如,一個(gè)多年來(lái)一直致力于通過(guò)將大量計(jì)算資源和編程知識(shí)整合到大型比特幣對(duì)撞機(jī)(Large Bitcoin Collider
你聽(tīng)說(shuō)過(guò)晶體管微縮嗎?晶體管微縮是什么情況?作為硬件工程師,不可不知。半導(dǎo)體行業(yè)中,“微縮(Scaling)”是一個(gè)經(jīng)常出現(xiàn)的詞語(yǔ),比方說(shuō),我們經(jīng)常在半導(dǎo)體行業(yè)的新聞中聽(tīng)到有關(guān)晶體管微縮(即把納米級(jí)(Nano-scale)的尺寸縮小至原子級(jí)別)的信息?;蛘撸覀冇衷?tīng)說(shuō)過(guò),我們?nèi)粘J褂玫闹悄苁謾C(jī)等電子設(shè)備由于采用了容量較大(Scaling)的存儲(chǔ)半導(dǎo)體,因此能夠存儲(chǔ)清晰度較高的視頻。無(wú)論什么樣的新聞,基本都意味著微縮(Scaling)的進(jìn)步。
(文章來(lái)源:百家號(hào)) ? ? ? ?多年來(lái),柔性電子元件一直是研究領(lǐng)域的熱門(mén)話題,在將筆記本電腦中那些龐大的主板部件改造成薄得驚人的金箔線路方面,科學(xué)家們?nèi)〉昧藢?shí)質(zhì)性進(jìn)展,這種線路可以像臨時(shí)
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒(méi)有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個(gè)行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限,現(xiàn)在需要轉(zhuǎn)移到新的元素。氮化鎵或氮化鎵是一種高流動(dòng)性的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體(HEMT),在滿足新的應(yīng)用方面被證明是一種真正的附加價(jià)值。
電磁加熱器,是如今工業(yè)領(lǐng)域和民用設(shè)備中最廣泛的一種加熱方式,采用電磁感應(yīng)加熱技術(shù),是國(guó)家提倡的一種環(huán)保的加熱方案。然而也有朋友有疑問(wèn):電磁加熱器IGBT逆變電路特性及溫度保護(hù)是什么?今天來(lái)介紹一下電磁加熱器,首先介紹一下電磁加熱器IGBT逆變電路特性。
空心杯電機(jī)主要功能 空心杯電機(jī)相比于鐵芯電機(jī),主要的功能就是節(jié)能,他的效率有時(shí)候能夠高達(dá)百分之九十,著實(shí)讓人驚奇,除此之外,它的響應(yīng)速度極快,有時(shí)候好的產(chǎn)品,甚至可以達(dá)到十毫米以
華為新款5G手機(jī)Mate 30發(fā)布,吸引了全球產(chǎn)業(yè)界的眼球。這是華為公開(kāi)發(fā)布的第二款5G手機(jī),搭載了5G SoC麒麟990,集成超過(guò)100億個(gè)晶體管。 據(jù)工信部電信設(shè)備進(jìn)網(wǎng)管理查詢,截止
電路工作原理:該汽車電子節(jié)油器電路由二極管VDl-VD6、電阻器Rl-R8、電容器Cl、C2、晶體管Vl-V3和電磁閥YV組成,如圖所示。 元器件選擇:
手機(jī)或者其他時(shí)尚的便攜式多媒體播放器配上優(yōu)美的旋律,走到哪里都能引來(lái)艷羨的目光,特別是在消費(fèi)者對(duì)于音效要求越來(lái)越高的今天,好的音效設(shè)計(jì)就意味著產(chǎn)品成功與否,大紅大紫的iPod、iPhone就是對(duì)