CFP15B封裝為DPAK封裝的MJD系列提供更緊湊、更具成本效益的替代方案
晶體管,作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,其工作原理、分類及失效模式對于理解電子設(shè)備運(yùn)行至關(guān)重要。
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。本文致力于探討高溫對集成電路的影響,介紹高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn),并提供適用于高功率的設(shè)計(jì)技術(shù)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關(guān)——650 V CoolGaN? G5雙向開關(guān)(BDS)。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計(jì)和雙柵極結(jié)構(gòu),是一款使用英飛凌強(qiáng)大柵極注入晶體管(GIT)技術(shù)和CoolGaN?技術(shù)的單片雙向開關(guān),能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關(guān)。
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。從智能手機(jī)到計(jì)算機(jī)主板,從電源管理到功率放大,MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而,對于許多電子技術(shù)初學(xué)者甚至部分從業(yè)者來說,MOS 管的導(dǎo)通條件始終是一個(gè)令人困惑的問題。本文將深入探討 MOS 管的導(dǎo)通條件,揭開其神秘的面紗。
兩級功放通常由驅(qū)動級和末級組成。驅(qū)動級的作用是將輸入信號進(jìn)行初步放大,為末級功放提供足夠的激勵信號;末級功放則負(fù)責(zé)將驅(qū)動級送來的信號進(jìn)一步放大,以輸出足夠的功率驅(qū)動負(fù)載。不同類型的功放,如 A 類、B 類、AB 類等,其工作原理和性能特點(diǎn)有所不同。例如,A 類功放的晶體管在整個(gè)信號周期內(nèi)均導(dǎo)通,具有良好的線性度,但效率較低;B 類功放的晶體管僅在半個(gè)信號周期內(nèi)導(dǎo)通,效率較高,但存在交越失真;AB 類功放則結(jié)合了 A 類和 B 類的優(yōu)點(diǎn),在一定程度上兼顧了線性度和效率。了解這些基本原理,有助于在測試中分析和判斷驅(qū)動級可能出現(xiàn)的問題及其對測試結(jié)果的影響。
【2025年5月15日, 德國慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù),預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊,進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺,專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求,提供更大的易用性,幫助客戶加快設(shè)計(jì)進(jìn)程,縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
開發(fā)和生產(chǎn)用于有源光學(xué)和顯示器的柔性有機(jī)電子產(chǎn)品領(lǐng)先企業(yè) FlexEnable宣布,其 FlexiOM? 有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)材料榮獲國際信息顯示學(xué)會(Society of Information Display, SID)頒發(fā)的 “2025年度最佳顯示組件獎”。該獎項(xiàng)旨在表彰上一年度投放市場的最佳顯示器、組件和應(yīng)用。
這是PIC編程系列的第4個(gè)教程,今天我們將制作我們自己的PICKIT 2克隆版本。因?yàn)樵瓉淼腜IC套件太貴了,由于它的保護(hù)系統(tǒng)和沉重的硬件。是時(shí)候設(shè)計(jì)一個(gè)克隆PIC套件版本2了。這是一個(gè)開源項(xiàng)目,已經(jīng)在市場上可用。你也可以從亞馬遜的鏈接上買到。但是關(guān)于正確的引導(dǎo)加載程序和硬件的信息非?;靵y,沒有人在互聯(lián)網(wǎng)上給出適當(dāng)?shù)男畔?。我將提供所有的硬件文件,軟件鏈接和引?dǎo)程序文件在同一地方,使其更容易理解和DIY。有很多網(wǎng)站在網(wǎng)上賣這個(gè),也有一些高級的選擇。
由于科技不斷地發(fā)展,晶體管的出現(xiàn),上世紀(jì)六、七十年代電子管被晶體管的強(qiáng)大洪流沖走。
2025年4月22日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手Analog Devices, Inc. (ADI)和Amphenol推出了一本電子書,探討先進(jìn)連接和半導(dǎo)體器件在推動航空業(yè)發(fā)展方面所發(fā)揮的主要作用。
【2025年4月22日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計(jì),降低了用料成本。
這個(gè)簡單但功能強(qiáng)大的組件測試儀可以識別和測試各種電子元件,包括LED,晶體管,電感,電容器和二極管。對于電子愛好者、學(xué)生和專業(yè)人士來說,它是一個(gè)必不可少的工具,他們需要一種快速有效的方法來診斷組件。
開關(guān)頻率其值大小就取決于調(diào)制波和載波的交點(diǎn) 。開關(guān)頻率越高,一個(gè)周期內(nèi)脈沖的個(gè)數(shù)就越多,電流波形的平滑性就越好,但是對其它設(shè)備的干擾也越大。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,比較追求高的開關(guān)頻率,開關(guān)頻率在數(shù)百kHz至數(shù)MHz的開關(guān)電源已有使用。
大多數(shù)運(yùn)算放大器(op amp)電路的增益水平是固定的。但在很多情況下,能夠改變增益會更有優(yōu)勢。一個(gè)簡單的辦法是在固定增益的運(yùn)放電路輸出端連接一個(gè)電位計(jì)來調(diào)節(jié)增益。不過,有時(shí)直接改變放大器電路自身的增益可能更加有用。
“拔掉資本主義,扎根現(xiàn)實(shí)”是一種虛擬現(xiàn)實(shí)體驗(yàn),由地球本身提供動力,利用土壤電池產(chǎn)生能量。當(dāng)佩戴VR頭顯時(shí),用戶經(jīng)歷了數(shù)字化轉(zhuǎn)型,成為一棵樹或一棵植物,完全沉浸在一種沒有資本主義需求的存在中。
以下內(nèi)容中,小編將對MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對MOSFET的了解,和小編一起來看看吧。
在這篇文章中,小編將為大家?guī)砭w三極管的相關(guān)報(bào)道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。