晶體管
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簡單的DIY調(diào)頻接收器電路在互聯(lián)網(wǎng)上-他們真的工作嗎?
最近，我們想建立一個(gè)簡單的調(diào)頻接收器電路，所以像往常一樣，我們開始搜索可能的電路，可以用來滿足我們的要求，正如預(yù)期的那樣，我們在互聯(lián)網(wǎng)上找到了很多電路，但問題仍然是，當(dāng)我們把這些電路進(jìn)行測試時(shí)，它們會有多好或有用。因?yàn)榫拖裎覀円粯?，我們發(fā)現(xiàn)很多人試圖讓這些電路工作但失敗了，很多論壇上都充滿了這樣的問題：“這些簡單的DIY FM接收器電路真的有效嗎?”
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使用簡單的RGB led和晶體管構(gòu)建自己的圣誕樹
在這個(gè)簡短的教程中，我們將向您展示如何構(gòu)建一個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng)的變色RGB LED燈。制造過程很簡單，只需要幾個(gè)晶體管、電容器和電阻器。以這種方式建造的照明系統(tǒng)不僅效率高，而且成本低，而且還可以創(chuàng)造出令人驚嘆的色彩效果，可以改變?nèi)魏畏块g。
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用圓形LED追逐器為您的裝飾增添未來感
你有沒有想過在你的電子電路中添加一些很酷的燈光效果，或者用一場迷人的燈光秀來為你的家居裝飾增添情趣?好吧，一個(gè)圓形的LED追逐器可能就是你想要的!好消息是，使用74HC595集成電路很容易構(gòu)建一個(gè)。因此，在本文中，我們將向您展示如何構(gòu)建一個(gè)令人驚嘆的圓形LED追逐。因此，如果您已經(jīng)準(zhǔn)備好為您的電子項(xiàng)目帶來一些生活，并通過一些DIY照明魔法給您的朋友留下深刻印象，請繼續(xù)閱讀以了解有關(guān)74HC595圓形LED追逐者的更多信息!
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如何用晶體管構(gòu)建異或門?
在數(shù)字電子和邏輯電路的廣闊世界中，異或門是信息處理中起著至關(guān)重要作用的基本組成部分。XOR是Exclusive OR的縮寫。是一種邏輯運(yùn)算，當(dāng)高輸入的個(gè)數(shù)為奇數(shù)時(shí)輸出為高，當(dāng)?shù)洼斎氲膫€(gè)數(shù)為偶數(shù)時(shí)輸出為低。這種獨(dú)特的特性使異或門成為各種應(yīng)用的重要組成部分，從簡單的二進(jìn)制算法到復(fù)雜的數(shù)據(jù)加密算法。
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如何用晶體管構(gòu)建NAND門?
在數(shù)字電子和邏輯電路領(lǐng)域，NAND門是信息處理中發(fā)揮巨大作用的基石。NAND是negative AND的縮寫，是一種邏輯運(yùn)算，只有當(dāng)所有輸入都為高時(shí)才產(chǎn)生低輸出。
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一文揭秘什么是PWM“死區(qū)”
PWM是脈寬調(diào)制，在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說，就需要三個(gè)橋臂。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。
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如何測量動(dòng)態(tài)功耗對應(yīng)于將所需功率傳輸?shù)截?fù)載所需的能量
了解ADC電源引腳如何對DC / DC轉(zhuǎn)換器作出反應(yīng)至關(guān)重要，因?yàn)镈C / DC轉(zhuǎn)換器由于其高功率效率而成為大多數(shù)(如果不是全部)供電方案的一部分。
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深度解讀什么是晶體管
與一般的機(jī)械開關(guān)(如繼電器、開關(guān))不同，晶體管是利用電信信號來控制其開關(guān)的，開關(guān)速度可以非?？欤趯?shí)驗(yàn)室中可以達(dá)到100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)突破了物理極限，將現(xiàn)有最復(fù)雜的晶體管工藝從14納米削減到1納米，實(shí)現(xiàn)了計(jì)算技術(shù)的突破。
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晶體管電路配置和 Spice仿真
晶體管可能有多種狀態(tài)，通常是飽和、截止、有效和反向。晶體管具有由直流偏置定義的工作點(diǎn)或靜態(tài)點(diǎn)。只要工作點(diǎn)落在特定的工作區(qū)域內(nèi)，晶體管就會按照該特定狀態(tài)中定義的方式執(zhí)行。但如果工作點(diǎn)跨入另一個(gè)區(qū)域，晶體管的操作就會發(fā)生變化。
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降低MOSFET損耗并提升EMI性能：二者兼得的有效方法
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能對整體系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性具有重要影響。然而，MOSFET在開關(guān)過程中會產(chǎn)生損耗，同時(shí)，快速開關(guān)動(dòng)作還可能導(dǎo)致電磁干擾(EMI)問題。因此，如何在降低MOSFET損耗的同時(shí)提升EMI性能，成為電子工程師面臨的重要挑戰(zhàn)。
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晶體管負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)推導(dǎo)
在下述的內(nèi)容中，小編將會對?晶體管負(fù)反饋放大電路的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果?晶體管負(fù)反饋放大電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET與IGBT：電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的未來
Si IGBT是硅絕緣柵雙極晶體管的簡寫。碳化硅MOSFET是碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。
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開關(guān)電源中穩(wěn)壓環(huán)路原理
開關(guān)電源可以使功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)下，其實(shí)就是將輸入直流電壓幅值斬成和輸入電壓幅值相等的脈沖電壓來實(shí)現(xiàn)。
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非常見問題解答第222期：開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：晶體管時(shí)序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。功率晶體管具有最小和最大占空比，如果違反限值，將會導(dǎo)致SMPS性能下降。此外，如果忽略自舉電容，晶體管將無法正常工作。
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新思科技攜手臺積公司助力萬億晶體管時(shí)代的人工智能和多芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)
經(jīng)過優(yōu)化的 EDA 和 IP 全面解決方案為臺積公司 N2 和 A16 工藝帶來強(qiáng)化的計(jì)算性能、功耗和工程生產(chǎn)力 摘要： 由Synopsys.ai賦能、可投入生產(chǎn)的人工智能驅(qū)動(dòng)EDA流程面向N2工藝可實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先的結(jié)果質(zhì)量，并加速科技行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)遷移 在臺積...
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常見的晶體管加速電路有哪些？
晶體管加速電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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開關(guān)電源的工作原理主要兩個(gè)部分：整流和變換
開關(guān)電源是一種將交流電轉(zhuǎn)換成可用直流電的電源設(shè)備。它通過使用開關(guān)元件(如晶體管、MOSFET或IGBT)，以高頻開關(guān)方式來轉(zhuǎn)換電源。
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19種電壓轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計(jì)方法匯總
DC/DC電源電路也稱為 DC/DC 轉(zhuǎn)換電路，主要功能是進(jìn)行輸入/輸出電壓轉(zhuǎn)換。不同的應(yīng)用領(lǐng)域有不同的規(guī)律，如PC，常用12V、5V、3.3v，模擬電路供電常用5V、15V，數(shù)字電路常用3.3v。目前的FPGA和DSP也使用 2V 以下的電壓，如1.8v、1.5v、1.2v等，在通信系統(tǒng)中也稱為二次電源。
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一文詳解基本放大電路應(yīng)該如何分析
基本直放大電路既可以放大交流信號，也可放大直流信號和變化非常緩慢的信號，且信號傳輸效率高，具有結(jié)構(gòu)簡單、便于集成化等優(yōu)點(diǎn)，集成電路中多采用這種耦合方式。
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Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
單/雙封裝比傳統(tǒng)封裝具有更優(yōu)異的熱性能
