晶體管
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清華大學(xué)1nm晶體管技術(shù)的重大突破，意味著什么？
從目前的芯片制程技術(shù)上來看，1nm(納米)確實(shí)將近達(dá)到了極限!為什么這么說呢?芯片是以硅為主要材料而制造出來的，硅原子的直徑約0.23納米，再加上原子與原子之間會(huì)有間隙，每個(gè)晶胞的直徑約0.54納米(晶胞為構(gòu)成晶體的最基本幾何單元)!1納米只有約2個(gè)晶胞大小。
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壁仞科技BR100亮相海外：770億晶體管
8月9日，國內(nèi)科技創(chuàng)新企業(yè)壁仞科技(Birentech)正式發(fā)布了BR100系列通用計(jì)算GPU，號(hào)稱算力國內(nèi)第一，多向指標(biāo)媲美甚至超越國際旗艦產(chǎn)品。
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Intel突然叫停3nm代工：延期到明年底
規(guī)劃中的Intel 14代酷睿Meteor Lake處理器將采用多芯片堆疊設(shè)計(jì)，其中CPU計(jì)算單元由Intel 4nm工藝制造，核顯部分則是臺(tái)積電操刀。
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如何正確的啟動(dòng)晶體管工作
有一天，我的老板讓我和他一起在會(huì)議室會(huì)見一些來自公共交通汽車制造商的人。他說他們的其中一個(gè)供應(yīng)商的產(chǎn)品有問題，并請求我們提供幫助
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重磅！三星首發(fā)全柵極場效應(yīng)晶體管！
據(jù)韓國媒體報(bào)道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競爭對(duì)手臺(tái)積電。
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意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性
2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
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CPU出現(xiàn)于大規(guī)模集成電路時(shí)代，52年來CPU芯片發(fā)生了什么？
中央處理器(central processing unit，簡稱CPU)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)算和控制核心，是信息處理、程序運(yùn)行的最終執(zhí)行單元。CPU自產(chǎn)生以來，在邏輯結(jié)構(gòu)、運(yùn)行效率以及功能外延上取得了巨大發(fā)展。
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蘋果M2正式發(fā)布：5nm工藝制造，集成200多億個(gè)晶體管
M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra之后，蘋果終于推出了Apple Silicon自研處理器的第二代——M2。
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芯片制造到底有多難？為何說造CPU比造原子彈還難？
世界上第1臺(tái)計(jì)算機(jī)的大小相當(dāng)于一座小房子，而現(xiàn)在指甲蓋大小的CPU的計(jì)算性能就已遠(yuǎn)超那時(shí)。之所以會(huì)有如此翻天覆地的變化，這主要得益于單位面積上集成的晶體管數(shù)量越來越多。
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應(yīng)用材料公司以技術(shù)助力極紫外光和三維環(huán)繞柵極晶體管實(shí)現(xiàn)二維微縮
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亞州圣克拉拉市——應(yīng)用材料公司推出了旨在幫助客戶利用極紫外光(EUV)繼續(xù)推進(jìn)二維微縮的多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，并詳細(xì)介紹了業(yè)內(nèi)最廣泛的下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。
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7nm 600億晶體管中國芯 首顆國產(chǎn)“3D封裝”研發(fā)成功
據(jù)悉，中國已研發(fā)出首顆“3D封裝”芯片，這意味著中國首顆7nm芯片誕生!所謂的“3D封裝”芯片，此前泛指臺(tái)積電生產(chǎn)技術(shù)，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，“3D封裝”芯片突破了7nm工藝極限，集成了600億晶體管。
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摩爾定律已死？英特爾：仍可繼續(xù)推動(dòng)晶體管微縮創(chuàng)新
摩爾定律的本質(zhì)是創(chuàng)新，我們可以自信地說創(chuàng)新將永不止步
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針對(duì)PLC的故障及其常見的維修方法
在日常生活與學(xué)習(xí)中，我們經(jīng)常會(huì)受到PLC損壞或者故障不能正常使用的困擾，我們可能會(huì)選擇尋找專業(yè)人員進(jìn)行維修，或者是在換一個(gè)新的產(chǎn)品，但這些操作將會(huì)導(dǎo)致我們的時(shí)間浪費(fèi)，經(jīng)濟(jì)的損失或者是工作亦或是學(xué)習(xí)效率的下降。
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Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應(yīng)用提供緊湊型多級(jí)Doherty MMIC驅(qū)動(dòng)器，借此擴(kuò)展無隔離器的6GHz以下產(chǎn)品線
荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）利用先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)，推出了B11G3338N80D推挽式3級(jí)全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅(qū)動(dòng)器系列的載體產(chǎn)品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實(shí)現(xiàn)下一代大功率和具有市場領(lǐng)先效率的宏基站。
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Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度
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搞清楚電子管的往事今生，電子管發(fā)展歷程介紹
你知道電子管的發(fā)展歷史是怎樣的嗎?電子管是哪一年研制出來的?如果你對(duì)電子管抑或是對(duì)電子管的發(fā)展歷史具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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意法半導(dǎo)體雙通道高邊開關(guān)為容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)帶來更多靈活性
2022年2月14日，中國 – 意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動(dòng)高邊開關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個(gè)限流值，適用于啟動(dòng)電流很大的容性負(fù)載。
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晶體管的歷史
由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時(shí)難于控制、適用范圍窄等缺點(diǎn)。為了克服這些缺點(diǎn)，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。
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晶體管概述
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。
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Intel關(guān)鍵新突破：晶體管縮小50％、封裝密度提升10倍
在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會(huì)議)上，Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)新突破，可推動(dòng)摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，超越未來十年。
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