晶體管
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盤點(diǎn)19種電壓轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計(jì)方法
標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個毫伏的低壓降 (Low Dropout， LDO)穩(wěn)壓器，是此類應(yīng)用的理想選擇。
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Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT
滿足行業(yè)對采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求
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詳解集成電路的工作原理
集成電路(Integrated Circuit, IC)是由多個電子元件(如晶體管、電阻器、電容器等)在一個小的半導(dǎo)體芯片上集成而成的電路。集成電路的工作原理涉及其結(jié)構(gòu)、電子元件的特性及其運(yùn)作機(jī)制。
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管關(guān)斷過程的分析
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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如何提高晶體管的穩(wěn)定性？晶體管h參數(shù)解讀！
在這篇文章中，小編將為大家?guī)砭w管的相關(guān)報(bào)道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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BJT的工作原理是什么？BJT延時的產(chǎn)生機(jī)理是什么？
一直以來，BJT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞡JT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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IGBT工作原理詳解！分析IGBT模塊過電流損壞是如何造成的！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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100多億個晶體管怎么裝進(jìn)去小芯片？
芯片確實(shí)是人類一個偉大的發(fā)明，只有用芯片才能把CPU的體積做得很小，海量的CPU集成在一起，才能夠制造出超級并行計(jì)算機(jī)。
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緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領(lǐng)先的DC-DC轉(zhuǎn)換器
【2024年8月16日，德國慕尼黑訊】直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器在電動汽車和混合動力汽車中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車內(nèi)燈、雨刮和車窗電機(jī)、風(fēng)扇，以及48 V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。此外，DC-DC轉(zhuǎn)換器對于開發(fā)更多具有低壓功能的經(jīng)濟(jì)節(jié)能車型也十分重要。
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功耗降低、性能提升！我國科學(xué)家發(fā)明新型“熱發(fā)射極”晶體管
8月15日消息，大家都知道，晶體管是集成電路的基本單元，是如今時代不可或缺的元件之一。
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什么是IGBT？IGBT與快恢復(fù)二極管的匹配技術(shù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛
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MOSFET驅(qū)動器在各種電子電路中的應(yīng)用
MOSFET驅(qū)動器是一種電子設(shè)備，用于控制金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的開關(guān)操作。它提供所需的電壓和電流來驅(qū)動MOSFET，確保其能夠快速、準(zhǔn)確地切換。
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功率MOSFET結(jié)構(gòu)及參數(shù)解讀！
在這篇文章中，小編將對功率MOSFET的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管
【2024年7月11日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結(jié)合，它們能夠在消費(fèi)類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應(yīng)用中發(fā)揮出色的性能。
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列
【2024年7月9日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴(kuò)大CoolGaNTM的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測，未來五年GaN器件市場的年復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到46%。
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柵極電荷測量原理圖解析，十分有料！
在這篇文章中，小編將對MOS晶體管柵極電荷測量的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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探討晶體管加偏置的理由，以及偏置大小的決定因素
在這篇文章中，小編將對晶體管偏置的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對晶體管偏置的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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運(yùn)算放大器得力助將：跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)
在這篇文章中，小編將對運(yùn)算放大器需具備的真正跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)予以介紹，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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3nm擴(kuò)增三倍！臺積電成功開發(fā)CFET晶體管架構(gòu)
業(yè)內(nèi)消息，臺積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運(yùn)營官張曉強(qiáng)在2024技術(shù)論壇上宣布，臺積電已成功集成不同晶體管架構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)室做出CFET（互補(bǔ)式場效應(yīng)晶體管），臺積電今年 3nm 制程工藝將擴(kuò)增三倍。
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一種高效小型化的開關(guān)電源設(shè)計(jì)
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。
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