晶體管
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學(xué)子專區(qū) — 活動(dòng)：零增益放大器(MOS)
本次活動(dòng)是對(duì)11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù);本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個(gè)角度來研究零增益放大器的性能將頗有助益。
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Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性
MJD系列現(xiàn)已上市，涵蓋2 – 8 A和45 – 100 V，且增強(qiáng)了Nexperia的功率產(chǎn)品組合
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牙膏踩爆！Intel 5nm工藝曝光：直逼IBM 2nm
Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告，分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問題，對(duì)比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情況。
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可增強(qiáng)小基站和mMIMO驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的全集成型Doherty功率放大器
荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)基于其先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)并利用高度集成，針對(duì)下一代小基站基礎(chǔ)設(shè)施和大規(guī)模MIMO實(shí)施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。
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常見的場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的不同點(diǎn)，你知道有哪些嗎？
隨著社會(huì)的快速發(fā)展，我們的場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管也在快速發(fā)展，那么你知道場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。
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應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域取得重大突破，驅(qū)動(dòng)邏輯微縮進(jìn)入3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)
2021年6月16日，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案
2021年6月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導(dǎo)體的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案。
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泛林集團(tuán)計(jì)算產(chǎn)品部副總裁David Fried博士：晶體管與IC架構(gòu)的未來
泛林集團(tuán)計(jì)算產(chǎn)品部副總裁David Fried接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering（SE）的采訪，探討并分享他對(duì)于芯片縮放、晶體管、新型架構(gòu)和封裝等話題的看法。
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貿(mào)澤電子開售QPL181x系列CATV放大器
2021年6月4日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Qorvo的 QPL181x系列CATV 放大器。
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意法半導(dǎo)體“單片多硅技術(shù)”歷史成就榮獲著名的IEEE里程碑獎(jiǎng)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，電氣與電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰公司在超級(jí)集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。意法半導(dǎo)體的BCD技術(shù)可以單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS工藝高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，適合復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用。多年來，BCD工藝技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用取得了顛覆性發(fā)展。
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了解石墨烯晶體管嗎?石墨烯數(shù)字、射頻晶體管為何物?
通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)石墨烯晶體管、石墨烯數(shù)字晶體管、石墨烯射頻晶體管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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這20個(gè)硬件問答，你能答出幾個(gè)？
晶體管基本放大電路有共射、共集、共基三種接法，請(qǐng)簡(jiǎn)述這三種基本放大電路的特點(diǎn)。
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2.6萬億晶體管和7nm技術(shù)，WSE 2巨無霸芯片來了
全球最大芯片出第二代了!WSE 2 將于今年第三季度上市。WSE 2 采用 7 納米制程工藝，晶體管數(shù)達(dá) 2.6 萬億個(gè)。
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晶體管具備哪些優(yōu)勢(shì)?我們?nèi)绾闻袆e晶體管?
本文中，小編將對(duì)晶體管予以介紹，主要在于介紹晶體管的優(yōu)越性、MOS晶體管的相關(guān)內(nèi)容以及晶體管的判別和計(jì)算。
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你對(duì)晶體管有多了解?這5種晶體管你都知道嗎?
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)晶體管的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，主要將向大家簡(jiǎn)單介紹5種不同類型的晶體管。
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Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。
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意法半導(dǎo)體MasterGaN?系列新增優(yōu)化的非對(duì)稱拓?fù)洚a(chǎn)品
基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。
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關(guān)于圖騰柱驅(qū)動(dòng)的點(diǎn)點(diǎn)滴滴
你知道為什么取名圖騰柱嗎？
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采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN?FET)實(shí)現(xiàn)薄型且高效的同步降壓轉(zhuǎn)換器
隨著計(jì)算機(jī)、顯示器、智能電話和其它消費(fèi)類電子系統(tǒng)變得越來越纖薄且功能越來越強(qiáng)大，對(duì)更纖薄的DC/DC功率解決方案的需求日益增長(zhǎng)之同時(shí)，需要保持高功率密度和高效率。
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什么是晶體管測(cè)試儀？晶體管測(cè)試儀如何正確使用？
可測(cè)試儀性能穩(wěn)定，能自動(dòng)讀出準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，使用方便，適用于電子愛好者、電子開發(fā)者、設(shè)計(jì)者、與電子維修者必需小儀器。它可測(cè)各種二極管，三極管，可控硅，MOS場(chǎng)效應(yīng)管;能判斷器件類型，引腳的極性，輸出HFE，閥電壓，場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)電容，附加條件可測(cè)電容和電阻等。特別適合晶體管配對(duì)和混雜表貼元件識(shí)別。
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