據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道,韓國(guó)科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機(jī)械和電性質(zhì),新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成的晶體管面臨的很多問(wèn)題。相關(guān)研究
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá)7nm節(jié)點(diǎn);但在7nm節(jié)點(diǎn)以下
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn);但在 7納米
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn);但在7納米節(jié)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn),但在 7
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn),但在 7納米