晶體管中速開關(guān)

晶體管射極跟隨器

晶體管或門電路

晶體管或非門電路

晶體管高速開關(guān)

晶體管反相器

晶體管低速開關(guān)

晶體管單管延時吸合繼電器

晶體管單管延時釋放繼電器

二極管-晶體管與非門電路

二極管-晶體管或非門電路

10nm以后我們在開發(fā) 英特爾日本副社長阿部談MPU制造的未來

制造工藝的發(fā)展藍(lán)圖出處：美國英特爾的Press專用主頁（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate的特點(diǎn)出處：美國英特爾的Press專用主頁。（點(diǎn)擊放大） 英特爾日本的阿部剛士（董事副社長兼技術(shù)開發(fā)和制造技術(shù)本部長）7月8日作為特

JX-1型晶體管恒溫自動控制器電路

JHK-2型晶體管恒溫控制器電路

應(yīng)用材料突破性快速熱處理技術(shù)推動20納米工藝發(fā)展

近日，應(yīng)用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速熱處理(RTP)系統(tǒng)，推動最先進(jìn)納米級晶體管制造的發(fā)展。該系統(tǒng)超越了當(dāng)前的RTP技術(shù)，將退火工藝的精確性和控制性提高到了一個新的水平，為芯片制造商減少了可變

臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品

據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報(bào)告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于

臺積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品

據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報(bào)告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于

應(yīng)用材料公司推出20納米世代的突破性快速熱處理技術(shù)

? 革命性的設(shè)計(jì)使應(yīng)用材料公司在多世代引領(lǐng)RTP技術(shù)的發(fā)展 ? 唯有RTP系統(tǒng)才能克服芯片上制約成品率的熱點(diǎn)，從而提高每片硅片上高性能芯片的產(chǎn)量 2011年7月6日，上?！?，應(yīng)用材料公司宣布推出Applied Van

臺積電年底有望推出首款3D芯片

據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(臺

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米