臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路，這樣一來，另一條路--FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會議（Symposium on VLSI Technology）

射頻集成電路半導(dǎo)體器件技術(shù)

近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線因特網(wǎng)接入業(yè)務(wù)的興起使人們對無線通信技術(shù)提出了更高的要求。體積小、重量輕、低功耗和低成本是無線通信終端發(fā)展的方向，射頻集成電路技術(shù)（RFIC）在其中扮演

SOI工業(yè)協(xié)會組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路，這樣一來，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會議（SymposiumonVLSITechnology），會

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

SOI工業(yè)協(xié)會組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點走上Finfet之路，這樣一來，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會議（Symposium on VLSI Technology），

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

硅片RF LDMOS功率晶體管的全球領(lǐng)先廠商飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解決方案，旨在為全球無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備制造商提供RF功率產(chǎn)品，將性能和能效提升至新的高度。 Airfast系列是飛思卡爾推出

英特爾3D芯片將為醫(yī)療設(shè)備帶來革命性影響

英特爾公司開發(fā)了使用3D結(jié)構(gòu)的晶體管，這被稱為50余年微處理器設(shè)計的最大突破，并將投入大規(guī)模生產(chǎn)。英特爾公司在一份新聞稿中表示，三柵型設(shè)計師英特爾公司最早在2002年公布的，該產(chǎn)品的設(shè)計徹底擺脫了二維平面晶體

CXS-78A型晶體管床位顯示器電路

電子鬼才，僅用導(dǎo)線和晶體管DIY電腦[圖]

真的猛士，敢于DIY自己的生活；真的猛士，敢于DIY自己的電子產(chǎn)品；真的猛士，敢于只用導(dǎo)線和晶體管DIY自己的電腦。從零開始造電腦……這得是何等的生猛啊。一般人也就是自己組臺機(jī)器裝個系統(tǒng)啥的，這位叫

臺積電稱Finfet尚未成熟 芯片設(shè)計制造需改動

自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)

臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)

韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項目負(fù)責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而

臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

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韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項目負(fù)責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項目負(fù)責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

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3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？

前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡單地說就是把原本二維的平面柵級用一塊非常薄的三維矽鰭片來取代，并且在立體的三個面上都放置了一個