前不久Intel把3D立體概念應用在半導體制程的〝FinFET技術〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術，簡單地說就是把原本二維的平面柵級用一塊非常薄的三維矽鰭片來取代，并且在立體的三個面上都放置了一個柵級，用以輔助電流控制進而達到省電的目的，還有因為立體方式讓晶體管能夠更緊密的排列在一起，也就是可以提升晶體管密度，Intel并宣稱22納米制程的立體晶體管 3-D Tri-Gate可以比32納米制程的平面晶體管有37%的效能提升，或是相同性能下可以節(jié)省一半的功耗。

目前Intel打算把這項技術率先應用在Ivy Bridge處理器之上，并于2012年發(fā)布。雖然有多個團隊在研究這項技術，不過Intel身為領先世界的半導體廠商維持住了自身領先地位，率先公布進入投產階段，不僅是秀出了足以為傲的研發(fā)能力，同時也給尚未成功商業(yè)生產的同業(yè)帶來不少壓力。

不過原以為Intel又要領先業(yè)界的時候，經韓國網絡媒體報導首爾大學電機工程系教授Lee Jong-ho以及其團隊，居然比Intel早10天的時間取得同樣是三維晶體管 FinFET制程的專利，這項由Lee Jong-ho教授所研發(fā)的技術名為〝bulk FinFET〞，而且Lee Jong-ho聲稱由Intel公布的資料看來，這兩項技術的內容其實是一樣的。而Lee Jong-ho教授早在2003年2月4日即在美國提出專利申請，并于2005年4月26日完成專利登錄，而Intel則是在2003年2月14日才提出申請，所以如上所說比韓國人晚了10天。

先申請專利者可以獲得專利權法保障是國際通例，目前Lee Jong-ho教授的〝bulk FinFET〞技術已經在韓國、美國等地獲得專利，而相關權利則歸屬于專利營銷公司PNIB所有。所以如果Intel跟Lee Jong-ho教授的技術經過判定是同樣的話，那Lee Jong-ho教授將可以從Intel獲取巨額的授權金，甚至也可把相關專利授權給半導體業(yè)界的其它廠商，也就是說Intel原本如意算盤打的〝獨家制程技術〞將會變成大家都有，而領先同業(yè)的幅度也會遠不如市場估算。

韓國人果然是非常厲害的民族，近年來在高科技的進展是有目共睹，現(xiàn)在還能跟半導體巨人互爭專利，真是厲害！不過希望這則新聞不要像之前〝孔子是韓國人〞、〝端午節(jié)是韓國人發(fā)明的〞……等等「XXX是韓國人」或是「XX是韓國人發(fā)明的」的網絡傳聞(后來證實是中國制造的假新聞/以訛傳訛的誤傳/網友惡搞)，不然又有鄉(xiāng)民來改寫十二生肖就不好了...

消息/圖片來源：english.etnews.co.kr