晶體管
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分析師稱英特爾3D晶體管突破未必贏得行動市場入場券
英特爾(Intel)日前大動作地發(fā)表了其年度科技大突破，號稱其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù)，將可望為其進(jìn)軍行動處理器市場，鋪下一條平坦大道，但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見指出，英特爾在通訊
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分析師稱英特爾3D晶體管突破未必贏得行動市場入場券
英特爾(Intel)日前大動作地發(fā)表了其年度科技大突破，號稱其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù)，將可望為其進(jìn)軍行動處理器市場，鋪下一條平坦大道，但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見指出，英特爾在通訊技
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號Ivy BRIDGE的22納米英特爾CPU，并在美國展
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破譯前沿技術(shù)，F(xiàn)infet技術(shù)（3D晶體管）詳解
本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)布會，會上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程處理器中全面啟用三柵晶體管技術(shù)（也稱3D晶體管技術(shù)），他并表示三柵晶體管技術(shù)的啟用可以極大地減小晶體管的工作電壓，其實三柵晶體管
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ARM：英特爾3D晶體管不會改變格局
ARM：英特爾3D晶體管不會改變格局
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英特爾再掀科技革命 3D晶體管技術(shù)解析
2011年5月4日，英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件，自50多年前硅晶體管發(fā)明以來，3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱為三柵級(Tri-Gate)
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晶體管60年創(chuàng)新 22納米進(jìn)入3D時代
自從1947年晶體管問世以來，晶體管技術(shù)飛速發(fā)展，為開發(fā)更強(qiáng)大、成本效益更好、能效更高的產(chǎn)品鋪平了道路。要想按照摩爾定律的步調(diào)不斷進(jìn)步，就必須進(jìn)行大量創(chuàng)新。近期值得關(guān)注的創(chuàng)新成果是應(yīng)變硅（英特爾于2003年推
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英特爾芯片設(shè)計獲重大突破 摩爾定律可延續(xù)
5月5日消息，據(jù)美聯(lián)社報道，英特爾周三表示，已重新設(shè)計了其芯片上的電子開關(guān)（即晶體管），可使電腦不斷降低價格、功能變得更為強(qiáng)大。晶體管通常是扁的，英特爾通過加入第三維--“鰭”狀的突起物，能生產(chǎn)出更小的晶
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英特爾3D晶體管芯片將先在美國和以色列量產(chǎn)
英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰昨天透露，英特爾內(nèi)部目前具備22納米、3維晶體管芯片生產(chǎn)能力的工廠有5個，它們分別是在美國俄勒岡州的試驗線D1D和D1C，在美國亞利桑那州的Fab-12和Fab-32，以及在以色列的Fab-28。
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英特爾3D晶體管來勢洶洶 ARM不畏懼
英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計創(chuàng)新，外界認(rèn)為，主要是為擺脫英國芯片大廠ARM的威脅。ARM對英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。銷售收入居全球第1的芯片生產(chǎn)商英特爾，于5日公布最新3D三閘晶體管技術(shù)。該公司
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臺積電：成本下降構(gòu)架成熟后會導(dǎo)入3D晶體管
英特爾日前宣布完成芯片技術(shù)重大突破，將導(dǎo)入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對此表示，在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后，臺積電即會導(dǎo)入三維晶體管。2002年英特
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英特爾年內(nèi)開始采用22nm工藝量產(chǎn)三維晶體管MPU
英特爾MPU晶體管的發(fā)展軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate實現(xiàn)量產(chǎn)的軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。（點(diǎn)擊放大） 美國英特爾公司宣布，將從22nm工藝開始量產(chǎn)采用三維晶體管“Tri-Gate（三柵極）”的MPU
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英特爾宣布將從22nm工藝開始在量產(chǎn)中應(yīng)用3D晶體管技術(shù)
英特爾“Tri-Gate”3D晶體管技術(shù)的照片（照片：由英特爾公司提供）（點(diǎn)擊放大） 老式平面型晶體管（左）與Tri-Gate晶體管（右）的比較（圖：引自英特爾公司資料）（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate技術(shù)的概要（圖：引自
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圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時代
作者：孫昌旭 業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號Ivy Bridge的22納米英特爾
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臺積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟
臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡稱：臺積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。英特爾(Intel
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Intel 22nm三柵技術(shù)后續(xù)報道：聽聽分析師們怎么說？
作為對Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報道，我們搜集了多位業(yè)界觀察家對此的理解和意見，以便大家能在Intel不愿意過早透露22nm三柵技術(shù)較多技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下能更深入地理解這種技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進(jìn)行調(diào)整（Intel 2
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探秘:英特爾22nm tri-gate晶體管技術(shù)
繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實際行動宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)
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單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究
單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究
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英特爾3D晶體管來勢洶洶 ARM不畏懼
英特爾3D晶體管來勢洶洶 ARM不畏懼
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英特爾將批量生產(chǎn)3D晶體管 芯片耗電量大幅降低
被稱為三柵極的世界上首款3-D晶體管進(jìn)入生產(chǎn)技術(shù)階段左邊為32納米平面晶體管，右邊為22納米 3-D三柵極晶體管，示意電流通過的樣子 新浪科技訊 北京時間5月5日上午消息，英特爾周三在舊金山展示了一項全新的3D晶體
