外接晶體管的擴(kuò)流電路圖

采用M5237L外接晶體管構(gòu)成的輸出1A，3.3V的穩(wěn)壓電源電路圖

電子鎮(zhèn)流器中采用聯(lián)棚晶體管的電路圖

制作小型順風(fēng)耳聽(tīng)器的方法

本文向各位介紹的一部袖珍發(fā)射機(jī)，十分適合初學(xué)者，電路簡(jiǎn)單易制，造價(jià)低廉，輸出功率不超過(guò)5－8mW，發(fā)射范圍在房屋區(qū)可至100米左右，用一部普通的FM收音機(jī)接收，顯示其靈敏度和清晰度俱佳，電路設(shè)計(jì)中最富挑戰(zhàn)性的部

應(yīng)用材料公司拓展RFPVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)22納米晶體管觸點(diǎn)制造

近日，應(yīng)用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統(tǒng)的應(yīng)用組合，實(shí)現(xiàn)了鎳鉑合金（NiPt）的沉積，將晶體管觸點(diǎn)的制造擴(kuò)展至22納米及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。晶體管觸點(diǎn)上的高質(zhì)量鎳鉑薄膜對(duì)于器件性能非常關(guān)鍵，但

Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel&ldq

傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel“很

應(yīng)用材料發(fā)布突破性的3D晶體管技術(shù)

應(yīng)用材料公司日前發(fā)布新的Applied Centura Conforma系統(tǒng)，采用突破性的投影等離子體摻雜技術(shù)（ConformalPlasma Doping），可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的用于下一代邏輯和存儲(chǔ)芯片的3D晶體管結(jié)構(gòu)。

Applied Materials發(fā)布突破性的3D晶體管技術(shù)

Applied Materials日前發(fā)布新的Applied Centura ConformaTM系統(tǒng)，采用突破性的投影等離子體摻雜技術(shù)（Conformal Plasma Doping），可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的用于下一代邏輯和存儲(chǔ)芯片的3D晶體管結(jié)構(gòu)。Applied Materials Unveils

功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在

采用晶體管的穩(wěn)壓穩(wěn)流型直流電源電路圖

新型功率器件MCT關(guān)斷模型的研究

摘要：介紹了新型功率器件MCT（MOS控制晶閘管）的基本結(jié)構(gòu)，工作原理。詳細(xì)地探討了MCT在關(guān)斷情況下的建模，采用狀態(tài)空間分析法推導(dǎo)出了MCT的可關(guān)斷的最大電流與其結(jié)構(gòu)的關(guān)系，并利用MATLAB/Simulink仿真證明了結(jié)論的

采用晶體管的穩(wěn)壓穩(wěn)流型直流電源電路圖

四晶體管組倍增幅度器調(diào)制電路

節(jié)能成為芯片廠商未來(lái)發(fā)展的重中之重

最新一代的圖形處理器集成了30億個(gè)晶體管，耗能約為200瓦。這個(gè)數(shù)字確實(shí)令人印象深刻--迄今為止你可以想象人類的大腦就等同于一萬(wàn)億個(gè)晶體管，耗能僅為20瓦，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于點(diǎn)亮一個(gè)電燈泡的能耗。半導(dǎo)體制造商希望在他們應(yīng)

中國(guó)將用龍芯代替美制x86芯片

中國(guó)的超級(jí)電腦將用自主研制的龍芯代替美國(guó)設(shè)計(jì)的x86芯片和GPU協(xié)同處理器。在本周IEEE舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，龍芯首席設(shè)計(jì)師胡偉武介紹了龍芯的最新發(fā)展計(jì)劃。中國(guó)于2002年起投資50億美元開(kāi)發(fā)龍芯處理器，32位的

晶體管多路控制有線對(duì)講機(jī)

ISSCC：平面型體硅技術(shù)仍將是22/20nm節(jié)點(diǎn)主流

經(jīng)過(guò)一輪唇槍舌劍之后，大牌芯片廠商們終于對(duì)邏輯芯片產(chǎn)品22/20nm節(jié)點(diǎn)制程的有關(guān)問(wèn)題達(dá)成了較為一致的意見(jiàn)。在剛剛舉行的2011年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC2011)上，IBM,臺(tái)積電，Globalfoundries等廠商均表示將繼續(xù)在22

平面型體硅技術(shù)仍將是22/20nm節(jié)點(diǎn)主流 Intel保持緘默

經(jīng)過(guò)一輪唇槍舌劍之后，大牌芯片廠商們終于對(duì)邏輯芯片產(chǎn)品22/20nm節(jié)點(diǎn)制程的有關(guān)問(wèn)題達(dá)成了較為一致的意見(jiàn)。在剛剛舉行的2011年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC2011)上，IBM,臺(tái)積電，Globalfoundries等廠商均表示將繼續(xù)在22

瑞士開(kāi)發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬(wàn)分之一

有一種新開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說(shuō)僅有硅材料的十萬(wàn)分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這