英美科學(xué)家聯(lián)合研制出1000內(nèi)核超快速處理器
在未來的幾十年里,芯片制造商將不能通過把更小的晶體管集成到一塊芯片上,來制造出速度更快的硅制芯片,因?yàn)樘〉墓柚凭w管容易破裂,同時(shí)非常昂貴。 人們研究的材料想要超越硅,就需要克服許多挑戰(zhàn)。如今
SehatSutardja是fabless公司MarvellTechnologyGroup的總裁及CEO今年半導(dǎo)體業(yè)不斷傳出好的消息,然而近期己經(jīng)出現(xiàn)雜音,著名fabless公司Marvell的總裁SehatSutardja擔(dān)心將影響到未來10年的整個(gè)電子工業(yè)。摩爾定律實(shí)際
Sehat Sutardja是fabless公司Marvell Technology Group的總裁及CEO 今年半導(dǎo)體業(yè)不斷傳出好的消息,然而近期己經(jīng)出現(xiàn)雜音,著名fabless公司Marvell的總裁 Sehat Sutardja擔(dān)心將影響到未來10年的整個(gè)電子工業(yè)。 摩爾定
筆者日前參加了半導(dǎo)體電路技術(shù)國際會(huì)議“國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2011)”的會(huì)前東京發(fā)布會(huì))。ISSCC不愧被譽(yù)為“半導(dǎo)體奧林匹克”的會(huì)議,有很多有趣的發(fā)表。如果可能的話,筆者希望介紹全部內(nèi)容,但本文只能簡單介
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)11月23日(北京時(shí)間)報(bào)道,美國能源部勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室和加州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導(dǎo)體砷化銦層集成在一個(gè)硅襯底上,制造出一塊納米晶體管,其電學(xué)性能
劉北辰 貝爾實(shí)驗(yàn)室建立70多年來,一直是美國首屈一指的企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu),它曾經(jīng)研制出晶體管、激光器、太陽能電池和第一顆通訊衛(wèi)星,發(fā)明了有聲電影,創(chuàng)立了射電天文學(xué)并為“大爆炸”宇宙創(chuàng)生學(xué)說提供了重要依據(jù)。原
三色LED在一個(gè)封裝內(nèi)包含了紅、綠和藍(lán)色LED。使用兩個(gè)數(shù)字控制信號(hào),就可以驅(qū)動(dòng)這些LED產(chǎn)生四種顏色。圖1中的電路采用了AnalogDevices公司的ADG854雙模擬1轉(zhuǎn)2多路分離器,可以選擇通過每只LED的電流。 電
如何構(gòu)建基于單個(gè)區(qū)域晶體管報(bào)警器 說明 該電路具有自動(dòng)出/入延誤 - 計(jì)時(shí)貝爾/警報(bào)器截止 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊,磁簧,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。歡迎轉(zhuǎn)
如何建立個(gè)人報(bào)警器 零件: 1/4W電阻R1的33萬 1/4W電阻R2的100轉(zhuǎn) C1的10nF的63V或陶瓷電容器聚酯 C2的100μF的25V的電解電容 第一季度BC547 45V的一○○毫安NPN晶體管 第二季度BC327 45V的