晶體管
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設計自由度很大的二級直耦寬帶放大器
電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器，但往往因具特性與使用要求不匹配，設計上又沒有自由度，因而無法應用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進行組合，設計自由度大，所以在圖象電路中得到廣泛的應
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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采用限流保護電路的100W功率放大器
電路的功能有效輸出100W的功率放大器多用于音響或超聲波等設備。由于本電路全部由分立元件構成，所以設計時自由度比較大，因為射極輸出器會因負載短路而造成大短路電流，所以要采用限流保護措施。此外，通過更換輸出
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可獲得400VP-P輸出的高電壓增強器
電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專門的激勵放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨立電路的。本電路主要應用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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用雙晶體管實現(xiàn)低噪聲化的測量用高速前置放大器
電路的功能差動放大器的噪聲特性由輸入級決定，在本電路中，該級采用PMI公司生產(chǎn)的低噪聲雙晶體管，使噪聲特性得以改善。這是一種較完善的差動輸入前置放大器。因為本電路采用雙極晶體管，所以宜用作信號源電阻低的傳
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工藝尺寸降為1/10 存儲器或將迎來一場新革命
惠普近日宣稱，其在制造一種新的微型器件方面取得重大進展，這種微型器件能夠更加縮小電腦芯片的大小，因而有望取代三極管，成為電腦芯片新的構件。這種器件結構簡單，即使在沒有電流的情況下也能夠存儲信息，因此可
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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塑料晶體管誕生
普林斯頓大學的研究人員表示，通過將有機導體，半導體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管，這種全塑晶體管可以大幅降低有機太陽能電池的價格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對其
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塑料晶體管誕生
普林斯頓大學的研究人員表示，通過將有機導體，半導體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管，這種全塑晶體管可以大幅降低有機太陽能電池的價格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對其全塑晶體
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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臺積電：摩爾定律將在10年后失效
臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會演講中表示，按臺積電現(xiàn)有芯片技術水平，摩爾定律將在10年后失效。 以下是演講內(nèi)容概要： 按臺積電現(xiàn)有芯片技術，摩爾定律將在10年后失效
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臺積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效
（編譯/向北）北京時間4月28日消息，據(jù)國外媒體報道，臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會演講中表示，按臺積電現(xiàn)有芯片技術水平，摩爾定律將在10年后失效。 以下是演講內(nèi)容概要： 按臺積電現(xiàn)有芯片技術，摩爾
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ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路
ANADIGICS公司日前在納斯達克股票市場敲響收市鐘聲，慶祝其在移動通信行業(yè)走過的25年輝煌之路。ANADIGICS成立于1985年，是高性能射頻集成電路(RFIC)設計技術的標桿企業(yè)。25年來，通過將其在射頻技術中的設計專長、通
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適用消費電子的三電平H橋輸出D類放大器
音頻功率放大器無所不在，有音樂響起的地方就會有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個領域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚聲器或耳機上真實、高效的重現(xiàn)聲音信號。真實和高效
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三點式振蕩電路設計
三點式振蕩電路是指諧振回路的三個引出端點分別與三極管的三個電極相連接。1）三點式振蕩電路相們條件判斷準則 圖5.3-3為三點式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點式振蕩電路滿足相位條件的判斷準則是：凡與晶體管發(fā)射
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晶體管低頻放大器
各種類型低頻放大器，主要特點是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于
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三點式振蕩電路設計
三點式振蕩電路是指諧振回路的三個引出端點分別與三極管的三個電極相連接。1）三點式振蕩電路相們條件判斷準則 圖5.3-3為三點式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點式振蕩電路滿足相位條件的判斷準則是：凡與晶體管發(fā)射
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TSMC：跳過22納米，直接進入20納米工藝
臺積電(TSMC)前不久在美國加州圣荷西市舉行的技術研討會中，宣布將跳過22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶創(chuàng)造價值”而作的決定，提供客戶一個更可行的先進工藝選擇。 臺積電此次技術研討
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張忠謀：全球半導體市場連好5年
4月15日早間消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺灣晶圓代工龍頭臺積電昨(14)日在美國舉行年度技術論壇，董事長張忠謀表示，今明兩年全球半導體市場均將健康成長，2011至2014年呈溫和成長，年復合成長率達4.2%。張忠謀還稱，半導
