“幫了自己大忙的是學(xué)位和人緣”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脈擴大到了以前的10倍,在同志社大學(xué)又擴大了10倍”——湯之上隆回顧自己輾轉(zhuǎn)職場的人生時這樣說。 筆者見到湯之
連美國自己都難再復(fù)制的硅谷究竟有什么可被遠在大洋彼岸的中國復(fù)制?“外來者”又應(yīng)該復(fù)制硅谷的什么東西以及如何給予支持?2004年的某一天,中國某高科技投資園區(qū)的幾位人員來到位于硅谷Menlo Park的Sand H
2009年IDF(英特爾開發(fā)者論壇)日前在美國舉行,作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標,今年的IDF上,英特爾帶來了全球第一塊22納米制程技術(shù)的芯片,同時,還宣布推出智能手機平臺Moorestown,該平臺不僅能讓新一代的智能手機
Intel信息技術(shù)峰會,美國舊金山——2009秋季Intel信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是來自Intel的高級副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bob Baker的講話,作為第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點,他
本文將說明這種解決方案的重要性,并解釋應(yīng)用時需要知道的一些基礎(chǔ)理論。經(jīng)過深入研究后你會發(fā)現(xiàn)后續(xù)步驟只是簡單的點擊鼠標而已。
2009秋季英特爾信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是Bob Baker第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點。Bob Baker:“引領(lǐng)硅技術(shù)創(chuàng)新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation)英
韓國科學(xué)家成功開發(fā)出一種全新的晶體管,其反應(yīng)速度和能源效率比現(xiàn)有晶體管更快更好,令不需啟動過程的電腦有望實現(xiàn)。韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)說,這種晶體管除了像現(xiàn)有晶體管般運用電流開關(guān),也運用電子的順時逆時
Intel高級副總裁:Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律
敘述模擬集成電路設(shè)計中關(guān)于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及隨著加工尺寸的不斷減小,MOS管所引起的一系列短溝道效應(yīng),進而描述整個MOS管模型的發(fā)展歷史,以此說明一個精確模型對模擬電路設(shè)計的重要意義。然后進一步闡述因MOS管失配而引起電路性能變差,尤其是對整個D/A轉(zhuǎn)換器性能的影響;進而采用改進技術(shù),并對其進行了進一步驗證。針對放大器引起的失調(diào),介紹通過版圖設(shè)計消除失配的原理,并且運用電路設(shè)計方法進行消除,采用TSMC0.25μm標準CMOS工藝參數(shù)對其進行仿真驗證。針對D/A的電流源失配引起的電路性能變差,采用了電流源自校準技術(shù),并對這種方法進行了仿真驗證,取得了不錯的成果。
本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)電源的工作原理,并給出實際產(chǎn)品雙晶體管的工作波形。該電路結(jié)構(gòu)中,功率開關(guān)管的電壓應(yīng)力小,并工作于ZVS導(dǎo)通和關(guān)斷,減小開關(guān)功耗,降低了EMI。
今年3月,美國專利商標局評選出本年度15位入選“美國發(fā)明家名人堂”的科學(xué)家,賽靈思公司共同創(chuàng)辦人、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)的發(fā)明者RossFreeman赫然在列。“美國發(fā)明家名人堂”是美國專利商標
可導(dǎo)電的塑料將可催生更便宜、更薄也更具可撓性的電子組件,而這種技術(shù)已經(jīng)運用在部分電子產(chǎn)品上,例如Sony在今年夏天推出的隨身聽與Microsoft近日推出的Zune HD音樂播放機,都配備了OLED顯示器。 不過到目前為止,用
7月30日消息,50年前的今天,時任仙童半導(dǎo)體公司總經(jīng)理的羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)提交了一份專利申請,宣布可以利用平面制造工藝來生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路,這為全世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。1968年,諾