晶體管
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臺積電宣布直接使用20nm工藝，將在平板式晶體管上首先采用
臺灣臺積電（TSMC）在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布將跳過22nm工藝節(jié)點(diǎn)，直接轉(zhuǎn)向20nm節(jié)點(diǎn)。據(jù)稱，直接轉(zhuǎn)向20nm工藝節(jié)點(diǎn)的背景，是因?yàn)榇_立了圖形（Patterning）技術(shù)及布
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臺積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)
臺積電(2330)于美西時(shí)間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計(jì)于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。 此次技術(shù)研討會(huì)有1500位客戶及合作廠商代表參與，臺積公司研究發(fā)展資深副
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納米管RFID更好的條形碼
塑料RFID標(biāo)簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產(chǎn)品。無線射頻識別(RFID)標(biāo)簽使得繳納通行費(fèi)和公共交通費(fèi)變得輕而易舉。但是由硅制成的標(biāo)簽還是太貴，無法替代無處不在的條形碼通過遠(yuǎn)程掃描仍在籃子里的貨物那樣
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隧道二極管與晶體管的組合使用
國產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點(diǎn)電流
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半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免？
半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免似乎己被廣泛地接受，如近期由日立和三菱半導(dǎo)體部組成的瑞薩，又與NEC合并組成新的瑞薩及AMD兼并ATI等。本文認(rèn)為兼并發(fā)生在各個(gè)方面, 未來可能更會(huì)加劇。但是Mentor的市場分析師Merlyr Brun
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英特爾32nm時(shí)代帶來了什么
一則30秒的汽車廣告需要750幀長度，按照20套英特爾5500處理器滿負(fù)荷運(yùn)算，從頭掃到尾至少需要58個(gè)小時(shí)，如果換成5600系列CPU，只需40個(gè)小時(shí)，效率提升35%?！鄙虾；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這3
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英特爾32nm時(shí)代帶來了什么？
一則30秒的汽車廣告需要750幀長度，按照20套英特爾5500處理器滿負(fù)荷運(yùn)算，從頭掃到尾至少需要58個(gè)小時(shí)，如果換成5600系列CPU，只需40個(gè)小時(shí)，效率提升35%。”上?；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這35%
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愛發(fā)科在第4代玻璃底板上制成氧化物半導(dǎo)體TFT
愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個(gè)表面上制成了多個(gè)In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體TFT（IGZO-TFT），并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個(gè)硅底板構(gòu)成，尺寸與第4代玻璃底板相當(dāng)。愛發(fā)科今后還計(jì)劃
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恩智浦第四代高效率低飽和壓降晶體管亮相IIC China
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶體管的前8種產(chǎn)品在IIC展會(huì)上吸引了很多觀眾的關(guān)注。之所以將這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，是因?yàn)樗鼈優(yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新
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最實(shí)用基本圖解電路27－晶體管停振型接近開關(guān)電路
最實(shí)用基本圖解電路共63幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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最實(shí)用基本圖解電路23－單晶體管時(shí)間繼電器電路原理圖解
最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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最實(shí)用基本圖解電路22－晶體管時(shí)間繼電器電路
最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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最實(shí)用基本圖解電路14－晶體管過壓欠壓保護(hù)電路2
最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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最實(shí)用基本圖解電路11－晶體管自動(dòng)限電控制電路
最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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最實(shí)用基本圖解電路02－帶放大晶體管穩(wěn)壓電源
最實(shí)用基本圖解電路50幅，電路設(shè)計(jì)分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！
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IBM石墨烯傳感技術(shù)獲突破 晶體管射頻100GHz
據(jù)國外媒體報(bào)道，周五IBM研究中心公布石墨烯薄片(graphene)研究成果，其晶體管射頻最高可達(dá)100GHz。 石墨烯作為一種特殊形態(tài)的石墨，主要由一層蜂窩狀格網(wǎng)結(jié)構(gòu)的碳原子構(gòu)成，可用于提高傳導(dǎo)速度。 IBM的該篇研究報(bào)告
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穩(wěn)定的四晶體管定時(shí)器電路圖
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曙光龍芯千兆防火墻工程為國家安全保駕護(hù)航
國際電子商情訊 中國現(xiàn)在的高端應(yīng)用中存在很多的安全隱患，在諸如金融領(lǐng)域、國家安全數(shù)據(jù)庫管理等方面的核心應(yīng)用不得不使用國外的產(chǎn)品，而這些應(yīng)用又不能脫離互聯(lián)網(wǎng)，一顆芯片由幾百萬個(gè)甚至幾億個(gè)晶體管構(gòu)成，可以說
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NexFETTM：新一代功率 MOSFET
1對于理想開關(guān)的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)。作為負(fù)載開關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導(dǎo)通電阻
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告別硅芯片，邁入碳芯片時(shí)代
下一代的半導(dǎo)體組件可能是利用碳而非硅材料，美國賓州大學(xué)的研究人員聲稱，已成功制造出可生產(chǎn)純碳半導(dǎo)體組件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圓。 賓州大學(xué)光電材料中心(EOC)的研究人員指出，他們所開發(fā)的制程能生產(chǎn)
