恩智浦第四代高效率低飽和壓降晶體管亮相IIC China
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶體管的前8種產(chǎn)品在IIC展會上吸引了很多觀眾的關(guān)注。
之所以將這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，是因為它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時間減到絕對最小值。
據(jù)恩智浦半導(dǎo)體技術(shù)市場經(jīng)理高德勇介紹：“此前恩智浦已經(jīng)成功推出了三代晶體管產(chǎn)品系列。目前市場對晶體管的需求朝著兩個方向發(fā)展，即超低飽和壓降（VCEsat）及高速開關(guān)。恩智浦全新推出的第四代晶體管BISS-4正滿足了這一需求。第四代產(chǎn)品分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓；高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns，特別適合用于馬達(dá)驅(qū)動。”
高德勇表示：“采用了低電阻基底技術(shù)的BISS-4為要求更高性能和降低開關(guān)損耗的應(yīng)用提供了理想選擇，它們的電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)?！?/p>
恩智浦半導(dǎo)體在10年前推出了BISS晶體管家族，目前第一代產(chǎn)品仍有在市場上有相當(dāng)多的應(yīng)用，不過，便攜產(chǎn)品已經(jīng)對能耗越來越敏感。以手機(jī)等消費(fèi)類應(yīng)用為例，由于市場對飽和壓降的指標(biāo)已經(jīng)有的更高的要求，BISS-4的飽和壓降最低達(dá)37mV，比前一代產(chǎn)品的84mV有了顯著的降低，可有效延遲手機(jī)的待機(jī)時間。
此外，BISS-4提供了高電路效率、低功率損耗，產(chǎn)生的熱量要小于相同封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管。這些新產(chǎn)品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費(fèi)者應(yīng)用、通信應(yīng)用、計算應(yīng)用和汽車應(yīng)用中的負(fù)荷開關(guān)、開關(guān)式電源(SMPS)和電源管理功能設(shè)計的。
據(jù)高德勇介紹：“在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8是中功率的晶體管產(chǎn)品，將擴(kuò)大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列，滿足更多應(yīng)用的需求。
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