晶體管
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阮華德：未來半導體發(fā)展已無法依循摩爾定律
近來在半導體制程微縮的進展速度逐漸趨緩下，觀察未來的產業(yè)走勢，明導國際(Mentor Graphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(Walden C. Rhines)表示，未來10年內，制程微縮將遇到經濟效益上的考慮，半導體產業(yè)將不再完全依循摩
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利用Virtex-5 FPGA實現(xiàn)最低功耗解決方案
過渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來的優(yōu)勢：低成本、高性能和更強的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢能夠為高級系統(tǒng)設計帶來激動人心的機會，但65納米工藝節(jié)點本身也帶來了新的挑戰(zhàn)。例如，在為產品選擇FPGA時
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支持三維構造及30:1縱橫比AMAT發(fā)布用于20nm工藝以后的CVD技術
美國應用材料公司（AMAT）發(fā)布了支持20nm工藝以后的存儲器及邏輯IC的新CVD技術“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工藝中，即使采用與目前相同的存儲器單元構造和晶體管構造，隨著微細化的發(fā)展，隔離元件
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新型納米晶體管可直接探測細胞內部
據美國物理學家組織網、英國《自然》雜志網站8月12日報道，美國哈佛大學化學家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進入細胞內部進行檢測，而不會對細胞造成任何可見
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英特爾奔騰4芯片涉嫌侵犯專利遭起訴
AVM公司在特拉華州美國地區(qū)法院對英特爾推出起訴，指控英特爾侵犯了它的一項芯片設計專利。AVM稱，它擁有一項名為“動態(tài)邏輯電路”的技術專利，美國專利編號是5,859,547。這項專利是關于使用高速和低功率動
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采用四只晶體管的調幅電路
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采用三只晶體管的調幅電路
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采用運算放大器和達林頓晶體管的恒流源
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采用雙極性晶體管的基準電源
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采用互補晶體管的基準電源
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奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權遭起訴
奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權遭起訴
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半導體成本上升而價格繼續(xù)下降
作者：Walden C Rhines，Mentor Graphics(EDA設計公司)的董事長及CEO，2008年它的銷售額為7.89億美元。在它的任期中公司的銷售額增長一倍，自1999年以來在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增長率是最快的。在加入Mentor之
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全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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采用運算放大器和達林頓晶體管的恒流源
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采用雙極性晶體管的基準電源
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全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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支持B類CPU卡的5 V接觸式讀寫器設計
針對A類接口的讀寫器不能對B類CPU卡進行讀寫的問題,介紹一種可以對3 V的B類卡片進行讀寫的5 V 接觸式IC卡讀寫器，闡述了其硬件電路結構和單片機固件程序，介紹了對其進行操作的簡單上位機軟件。實驗結果表明，該讀寫器結構簡單、性能穩(wěn)定，對研制可同時操作3 V/5 V卡片的AB類接口設備有指導意義。
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SoC用低電壓SRAM技術
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最
