英特爾斥資50億建新廠 主攻14nm

近日，美國總統(tǒng)奧巴馬在英特爾總裁兼首席執(zhí)行官Paul Otellini的陪同下，參觀了英特爾位于俄勒岡州Hillsboro的芯片制造工廠，芯片巨頭表示，將會在美國建立新的芯片制造廠，用于生產(chǎn)英特爾下一代14nm晶體管和300mm晶圓

英特爾斥資50億建新廠 主攻14nm晶體管

近日，美國總統(tǒng)奧巴馬在英特爾總裁兼首席執(zhí)行官Paul Otellini的陪同下，參觀了英特爾位于俄勒岡州Hillsboro的芯片制造工廠，芯片巨頭表示，將會在美國建立新的芯片制造廠，用于生產(chǎn)英特爾下一代14nm晶體管和300mm晶圓

瑞士開發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬分之一

有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這

數(shù)字式晶體管在線測試電路

晶體管挑選電路

美開發(fā)出納米線晶體管計算機

哈佛大學(xué)化學(xué)教授Charles Lieber和MITRE公司的首席工程師Shamik Das最近共同設(shè)計并創(chuàng)建了一個用納米線晶體管材料制成、可重復(fù)編程電路。他們把496同樣的電路連接起來，發(fā)現(xiàn)整個系統(tǒng)具備標(biāo)準(zhǔn)邏輯計算機的功能。這種納

從成本和技術(shù)角度看高通28nm產(chǎn)品HKMG工藝

大家都知道幾天前高通正式發(fā)布了現(xiàn)有Scorpion核心的下一代移動微處理器krait產(chǎn)品系列，這款新產(chǎn)品由于較早地采用了28nm制程，因此引起了 各方的注意。不過，與大家的期望相反，不久前高通曾經(jīng)在IDEM大會上表示其大

東芝公開集成有納米線晶體管的300mm晶圓

東芝展出的300mm晶圓（點擊放大） 展板（點擊放大） 東芝在“nano tech 2011國際納米科技綜合展及技術(shù)會議”（2011年2月16～18日，東京有明國際會展中心）上公開了集成有作為新一代邏輯LSI的基礎(chǔ)元件而備受期待

英特爾將斥50億美元在美國建新工廠 招4000人

北京時間2月19日凌晨消息，英特爾今天宣布，將斥資50億美元，在美國亞利桑那州建設(shè)一座工廠。此舉將為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造大約4000個工作機會。這座新工廠將于今年年中開工建設(shè)，計劃于2013年完工。它將生產(chǎn)英特爾下一代14納米線

美國研究人員開發(fā)出納米線晶體管計算機

哈佛大學(xué)化學(xué)教授Charles Lieber和MITRE公司的首席工程師Shamik Das最近共同設(shè)計并創(chuàng)建了一個用納米線晶體管材料制成、可重復(fù)編程電路。他們把496同樣的電路連接起來，發(fā)現(xiàn)整個系統(tǒng)具備標(biāo)準(zhǔn)邏輯計算機的功能。這種納

美國研制出世界首塊可編程納米處理器

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)2月10日(北京時間)報道，美國哈佛大學(xué)和麥特公司(Mitre Corp)科學(xué)家攜手研發(fā)出世界上首塊可編程的納米處理器，該納米線路不僅能夠進行電子編程，還能實現(xiàn)一些較基本的計算和邏輯推理功能，朝著復(fù)

塑料基底晶體管在美研制成功

晶體管制造一般是用玻璃作基底材料，這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)1月27日報道，美國佐治亞理工大學(xué)研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定

用FET和晶體管的振蕩器電路圖

晶體管－場效應(yīng)管晶體振蕩器電路圖

起因于RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法

瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo

三星加入IBM聯(lián)盟研究新材料和晶體管結(jié)構(gòu) 加速20nm工藝開發(fā)

IBM、三星聯(lián)合宣布，雙方將在新型半導(dǎo)體材料、制造工藝和其他技術(shù)的基礎(chǔ)性研發(fā)上展開廣泛合作，尤其是涉及到了20nm乃至更先進的工藝。 三星已經(jīng)同時加入IBM領(lǐng)銜的半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟(SRA)，三星的研發(fā)人員也將于IBM

超聲波傳感器的晶體管驅(qū)動電路

光點晶體管接口電路

場效應(yīng)管特性及單端甲類功放的設(shè)計

場效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點，而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點。場效應(yīng)管具有雙向?qū)ΨQ性，即場效應(yīng)管的源極和漏極是可以互換的(無阻尼)，一般的晶體管是不容易做到這一點的，電子管是根本不可能達到這

砷化銦可替代硅應(yīng)用于電子設(shè)備

美國物理學(xué)家組織網(wǎng)11月23日報道，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導(dǎo)體砷化銦層集成在一個硅襯底上，制造出一塊納米晶體管，其電學(xué)性能優(yōu)異，在電流