3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

新聞來源:Digitimes 據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

在一枚芯片上集成多個耐壓各異的中高壓晶體管

日立制作所宣布，開發(fā)出了有關(guān)中高耐壓（35～300V左右）晶體管的兩項技術(shù)。其一是在一枚芯片上集成源漏極耐壓各不相同的多個晶體管的技術(shù)，另一個是可將柵源極耐壓提高至300V的技術(shù)。 圖1：可將耐壓各不相同的

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

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英特爾開發(fā)3D晶體管對ARM構(gòu)成的威脅

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英特爾攜Tri-Gate技術(shù)向ARM發(fā)出挑戰(zhàn)

IHS iSuppli公司的研究顯示，憑借其新型Tri-Gate 3-D晶體管技術(shù)，英特爾將得到其所需的低功率微處理器，進軍平板與智能手機半導體市場，并擊退ARM芯片可能向PC領(lǐng)域發(fā)起的進攻。英特爾將利用其22納米制程技術(shù)生產(chǎn)基于

英特爾攜Tri-Gate技術(shù)向ARM發(fā)出挑戰(zhàn)

IHS iSuppli公司的研究顯示，憑借其新型Tri-Gate 3-D晶體管技術(shù)，英特爾將得到其所需的低功率微處理器，進軍平板與智能手機半導體市場，并擊退ARM芯片可能向PC領(lǐng)域發(fā)起的進攻。英特爾將利用其22納米制程技術(shù)生產(chǎn)基于

Intel 22nm制程項目經(jīng)理自戰(zhàn)解析：三柵制程物有所值

據(jù)Intel公司負責22nm制程項目的經(jīng)理Kaizad Mistry透露，Intel早在四年前便已經(jīng)決定要在22nm制程節(jié)點啟用三柵（Tri-gate）技術(shù)。Intel的三柵技術(shù)其本質(zhì)是屬于 Finfet晶體管一類，但是由于三柵在鰭的兩個側(cè)面以及鰭的

Intel 22nm制程經(jīng)理:三柵制程物有所值

據(jù)Intel公司負責22nm制程項目的經(jīng)理Kaizad Mistry透露，Intel早在四年前便已經(jīng)決定要在22nm制程節(jié)點啟用三柵（Tri-gate）技術(shù)。Intel的三柵技術(shù)其本質(zhì)是屬于 Finfet晶體管一類，但是由于三柵在鰭的兩個側(cè)面以及鰭的頂

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開發(fā)新凌動芯片架構(gòu)

CNET科技資訊網(wǎng) 5月16日 國際報道 英特爾正在開發(fā)一款采用3D晶體管技術(shù)的凌動芯片架構(gòu)。英特爾在加速節(jié)能芯片的開發(fā)進程，以進入智能手機和平板電腦芯片市場。 消息人士透露，代號為Silvermont的新款凌動芯片將

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開發(fā)全新凌動芯片架構(gòu)

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開發(fā)全新凌動芯片架構(gòu)

光晶體管用于接口電路

MOC8111型光晶體管無基極連接的光耦合器電路

ILH200密封型光晶體管雙通道光耦合器電路

ARM：英特爾3D晶體管不會改變格局

記者：英特爾公司近日宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破，首款3-D晶體管進入生產(chǎn)技術(shù)階段。Intel新技術(shù)可以降低近一半的功耗，在這種情況下，有人稱在廣大的移動電子消費市場上，它能與ARM打成平手，你如何評

英特爾將利用3D晶體管技術(shù)研發(fā)新Atom

最新的消息顯示，英特爾近日才剛剛曝光的3D晶體管技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有了具體的研發(fā)目標，英特爾將會利用全新的3D晶體管技術(shù)來研發(fā)新一代的Atom處理器架構(gòu)，其目標主要就是提升性能的同時降低功耗，為用戶提供一種能耗出色

觀點：22納米3D晶體管是否足以使英特爾擊敗ARM？

英特爾最近發(fā)布了22納米三柵極晶體管技術(shù)(參閱電子工程專輯報道：圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進入22nm時代)，市場研究公司IHS iSuppli認為該技術(shù)使得這家世界第一的芯片廠商得以進軍智能手機與多媒體平板市場、同時