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1952年，謝希德麻省理工畢業(yè)后，歸國(guó)后加入復(fù)旦物理系任教授。中國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開(kāi)創(chuàng)者和奠基人，謝先生一生傳奇坎坷，被尊稱(chēng)為“中國(guó)半導(dǎo)體之母”。
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半導(dǎo)體
物理學(xué)科
晶體管
晶體管最多的芯片幾乎集中在了今年下半年，我們一起來(lái)看一下都有哪些吧~阿里平頭哥倚天710 -- 600億晶體管今年10月份，阿里發(fā)布了服務(wù)器級(jí)芯片--倚天710。其采用的是5nm工藝，晶體管數(shù)目達(dá)到600億，這也是迄今為...
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晶體管
芯片
倚天710
“在過(guò)去的十年中，大家都在宣告摩爾定律的死已成定局。英偉達(dá)創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛也多次表示，摩爾定律已經(jīng)失效。但事實(shí)真的如此嗎?摩爾定律已經(jīng)死了?作為鐵桿捍衛(wèi)者的Intel現(xiàn)在站出來(lái)表示摩爾定律沒(méi)死，
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摩爾定律
英特爾
晶體管
從目前的芯片制程技術(shù)上來(lái)看，1nm(納米)確實(shí)將近達(dá)到了極限!為什么這么說(shuō)呢?芯片是以硅為主要材料而制造出來(lái)的，硅原子的直徑約0.23納米，再加上原子與原子之間會(huì)有間隙，每個(gè)晶胞的直徑約0.54納米(晶胞為構(gòu)成晶體的最基...
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清華大學(xué)
1nm
晶體管
8月9日，國(guó)內(nèi)科技創(chuàng)新企業(yè)壁仞科技(Birentech)正式發(fā)布了BR100系列通用計(jì)算GPU，號(hào)稱(chēng)算力國(guó)內(nèi)第一，多向指標(biāo)媲美甚至超越國(guó)際旗艦產(chǎn)品。
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壁仞科技
晶體管
CPU
在日常的電氣柜裝配過(guò)程中，常常會(huì)面臨費(fèi)時(shí)費(fèi)力的巨大煩惱。根據(jù)德國(guó)“裝配機(jī)柜4.0”研究結(jié)果，傳統(tǒng)裝配機(jī)柜過(guò)程最耗時(shí)的是規(guī)劃和安裝階段。而其中，項(xiàng)目規(guī)劃和電路圖構(gòu)建占據(jù)了50%以上的規(guī)劃時(shí)間;機(jī)械裝配和線束加工，更是占據(jù)了...
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魏德米勒
電氣柜
電路圖
規(guī)劃中的Intel 14代酷睿Meteor Lake處理器將采用多芯片堆疊設(shè)計(jì)，其中CPU計(jì)算單元由Intel 4nm工藝制造，核顯部分則是臺(tái)積電操刀。
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Intel
IDM
封裝
晶體管
有一天，我的老板讓我和他一起在會(huì)議室會(huì)見(jiàn)一些來(lái)自公共交通汽車(chē)制造商的人。他說(shuō)他們的其中一個(gè)供應(yīng)商的產(chǎn)品有問(wèn)題，并請(qǐng)求我們提供幫助
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BJT
晶體管
由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會(huì)導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示...
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GaN
FET
熱管理
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星將在未來(lái)幾天宣布開(kāi)始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過(guò)程中擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。
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三星
晶體管
半導(dǎo)體
芯片
2022 年 6 月 23 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能...
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意法半導(dǎo)體
晶體管
二極管
柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開(kāi)或關(guān)閉。門(mén)控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。
在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對(duì) EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...
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FET
負(fù)載開(kāi)關(guān)
高端負(fù)載開(kāi)關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門(mén)選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂(lè)小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來(lái)解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)的各個(gè)方面...
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FET
負(fù)載開(kāi)關(guān)
中央處理器(central processing unit，簡(jiǎn)稱(chēng)CPU)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)算和控制核心，是信息處理、程序運(yùn)行的最終執(zhí)行單元。CPU自產(chǎn)生以來(lái)，在邏輯結(jié)構(gòu)、運(yùn)行效率以及功能外延上取得了巨大發(fā)展。
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CPU
芯片
晶體管
M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra之后，蘋(píng)果終于推出了Apple Silicon自研處理器的第二代——M2。
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蘋(píng)果
M2
5nm
晶體管
世界上第1臺(tái)計(jì)算機(jī)的大小相當(dāng)于一座小房子，而現(xiàn)在指甲蓋大小的CPU的計(jì)算性能就已遠(yuǎn)超那時(shí)。之所以會(huì)有如此翻天覆地的變化，這主要得益于單位面積上集成的晶體管數(shù)量越來(lái)越多。
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晶體管
CPU
原子彈
我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖?。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中，我們將開(kāi)始研究針對(duì)特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開(kāi)始。
電機(jī)控制是 30V...
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電機(jī)控制
FET
關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問(wèn)題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。
首先，讓我們準(zhǔn)確定義這些參數(shù)的...
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FET
熱阻抗
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亞州圣克拉拉市——應(yīng)用材料公司推出了旨在幫助客戶利用極紫外光(EUV)繼續(xù)推進(jìn)二維微縮的多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，并詳細(xì)介紹了業(yè)內(nèi)最廣泛的下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。
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應(yīng)用材料公司
EUV
晶體管
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)ADI智能功率級(jí)產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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智能功率級(jí)
LTC7050
FET
