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[導(dǎo)讀]我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖?。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中,我們將開始研究針對(duì)特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素,從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開始。 電機(jī)控制是 30V-100V 分立 MOSFET 的一個(gè)巨大(且快速增長的)市場(chǎng),特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這里,我將專注于選擇正確的 FET 來驅(qū)動(dòng)有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少,而且可能有無數(shù)種不同的方法,但我希望這篇文章能讓我們了解根據(jù)我們的最終應(yīng)用從哪里開始。

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電機(jī)控制 30V-100V 分立 MOSFET 的一個(gè)巨大(且快速增長的)市場(chǎng),特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這里,我將專注于選擇正確的 FET 來驅(qū)動(dòng)有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少,而且可能有無數(shù)種不同的方法,但我希望這篇文章能讓我們了解根據(jù)我們的最終應(yīng)用從哪里開始。

第一個(gè)可能也是最簡單的選擇是我們需要的擊穿電壓。由于電機(jī)控制的頻率往往較低,因此與電源應(yīng)用相比會(huì)導(dǎo)致較低的振鈴,因此輸入電源軌與 FET 擊穿之間的裕量趨向于更加激進(jìn)(通常以使用緩沖器)以獲得較低電阻的 FET。但總的來說,在 BV DSS和最大輸入電壓 V IN之間設(shè)置 40% 的緩沖并不是一個(gè)壞規(guī)則——根據(jù)我們預(yù)期的振鈴量以及我們愿意用外部抑制振鈴的程度來給予或取用 10%無源元件。

選擇封裝類型可能是最關(guān)鍵的決定,完全取決于設(shè)計(jì)的功率密度要求(見圖 1)。在 2A 以下,F(xiàn)ET 最常(但不總是)被吸收到驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 中。對(duì)于低于 10A 的步進(jìn)電機(jī)和低電流有刷和無刷應(yīng)用,小型 PQFN 型器件(SON 2mm x 2mm、SON 3.3mm x 3.3mm)可提供最佳功率密度。如果我們優(yōu)先考慮低成本而不是更高的功率密度,較舊的 SOIC 型封裝可能會(huì)完成工作,但不可避免地會(huì)占用更多的印刷電路板 (PCB) 空間。

1:用于驅(qū)動(dòng)不同電機(jī)電流的各種封裝選項(xiàng)(封裝未按比例顯示)

小型電池供電工具和家用電器占據(jù)的 10A-30A 空間是 5mm×6mm QFN 的最佳選擇。除此之外,更高電流的電源和園藝工具傾向于并聯(lián)多個(gè) FET,或者它們實(shí)現(xiàn)更大的封裝設(shè)備,如 D2PAK 或通孔封裝,如 TO-220。這些封裝可以容納更多的硅,從而實(shí)現(xiàn)更低的電阻、更高的電流能力和更好的熱性能。在大型散熱器上安裝通孔封裝會(huì)導(dǎo)致更多損耗,并允許消耗更多功率。

設(shè)備可以消耗多少功率的問題取決于最終應(yīng)用的熱環(huán)境,就像它取決于 FET 的封裝一樣。雖然表面貼裝器件通常通過 PCB 耗散大部分熱量,但我們可以將其他封裝,如上述 TO-220 或 TI 的 DualCool? 功率塊器件(下圖 2)連接到散熱器,以便將熱量從電路板中帶走,并增加 FET 可以消耗的最大功率。

最后要看的是你應(yīng)該瞄準(zhǔn)什么阻力。在某些方面,選擇 FET 來驅(qū)動(dòng)電機(jī)比選擇 FET 作為電源更簡單,因?yàn)檩^低的開關(guān)頻率決定了傳導(dǎo)損耗在熱性能中占主導(dǎo)地位。我并不是說我們可以完全忽略 P LOSS估計(jì)中的開關(guān)損耗。相反,我看到過最壞的情況,開關(guān)損耗可能占總 P LOSS的 30%在一個(gè)系統(tǒng)中。但這些損耗仍然僅次于傳導(dǎo)損耗,因此不應(yīng)該是我們的首要考慮因素。圍繞超高失速電流設(shè)計(jì)的電動(dòng)工具通常傾向于將 FET 推至最大耐熱性,因此我們選擇的封裝中電阻最低的器件是一個(gè)很好的起點(diǎn)。

在結(jié)束之前,我想回顧一下前面提到的電源塊設(shè)備。40V CSD88584Q5DC 和 60V CSD88599Q5DC 是兩個(gè)垂直集成的半橋解決方案,采用單個(gè) 5mm×6mm QFN DualCool 封裝(參見圖 2)。將傳統(tǒng)分立式 5mm x 6mm 器件的每占位面積的低電阻翻倍,同時(shí)提供用于散熱器應(yīng)用的裸露金屬頂部,這些器件特別適合處理空間中的更高電流(40A 及更高)-受限的應(yīng)用程序。

2:堆疊芯片功率塊機(jī)械故障

在為我們的設(shè)計(jì)采用更笨重的 TO 封裝之前,可能值得在其中一個(gè)電源塊上運(yùn)行這些數(shù)字,看看我們是否可以在 PCB 占位面積和散熱器尺寸上節(jié)省一些空間。



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