如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器

　　如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器　　這是一個(gè)簡(jiǎn)單的晶體管的防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤 - 貝爾一起定時(shí)切斷復(fù)位。它的設(shè)計(jì)是與常閉輸入設(shè)備類型，如通常使用 - 磁簧觸點(diǎn) - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)

如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器

　　如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器　　這是一個(gè)簡(jiǎn)單的晶體管的防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤 - 貝爾一起定時(shí)切斷復(fù)位。它的設(shè)計(jì)是與常閉輸入設(shè)備類型，如通常使用 - 磁簧觸點(diǎn) - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)

用LED對(duì)手電筒進(jìn)行改進(jìn)

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時(shí)用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來(lái)。設(shè)計(jì)這種電路是為了用LED對(duì)手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

制作40W晶體管Hi-Fi功率放大器的原理

該放大器在較高的輸出下能保持高保真的素質(zhì)，可以對(duì)4Ω／8Ω的負(fù)載提供2×73／44瓦的輸出功率，失調(diào)電壓小于土40mV，輸入阻抗為100kΩ，諧波失真小于0．015％，互調(diào)失真小于0.02％，頻率范圍為1

間歇振蕩器工作原理

間歇振蕩器工作原理 在圖8 - 9(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過(guò)變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽和工作區(qū), 集電極

恩智浦推出超高頻晶體管BLF888A

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào)

法機(jī)構(gòu)將于明年9月啟動(dòng)基于20nm FDSOI的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃

法國(guó)兩家半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項(xiàng)定于明年9月份啟動(dòng)的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃是由歐洲一

120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管（恩智浦）

恩智浦半導(dǎo)體宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào)，平均輸出功率120W，效

與非門(mén)組成晶體管速測(cè)器電路圖

圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測(cè)器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計(jì)上考慮到要驅(qū)動(dòng)TTL門(mén)電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測(cè)器既可測(cè)晶體管的好壞,還可自動(dòng)指示出晶體管的類型,基極位置或二極管的極性等

116 A閘流晶體管控制電路

晶體管存貯時(shí)間測(cè)試電路

光電隔離器驅(qū)動(dòng) 1A 晶體管集成電路

臺(tái)積電宣布已開(kāi)發(fā)出22/20nm Finfet雙門(mén)立體晶體管制程

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一套采用Finfet雙門(mén)立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種

非一般的晶體管

“一個(gè)蝴蝶可以刮起一陣風(fēng)，一個(gè)士兵可以開(kāi)始一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)”，那么一項(xiàng)偉大的發(fā)明呢？1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎，大名鼎鼎的、

低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真

論述了在射頻電路仿真軟件ADS中實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器的整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程，包括低噪聲放大器的晶體管的選取、輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)以及實(shí)現(xiàn)形式等。結(jié)合版圖與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖，論述該設(shè)計(jì)的微調(diào)小島與扇形開(kāi)路支節(jié)等結(jié)構(gòu)應(yīng)用，同時(shí)指出結(jié)構(gòu)尺寸設(shè)計(jì)的理論依據(jù)。最終以圖形方式給出滿足指標(biāo)要求的設(shè)計(jì)結(jié)果。

人造皮膚可感知觸摸 用于制造有觸摸功能機(jī)器人

據(jù)9月12日出版的《自然·材料》雜志報(bào)道，兩個(gè)獨(dú)立的美國(guó)研究小組近日以不同方法分別研發(fā)出了可感知輕微觸摸的人造皮膚。新的人造皮膚最終可用于制作假肢或具有觸摸功能的機(jī)器人。 這兩種系統(tǒng)均可檢測(cè)到低于1千帕斯卡

美Rice大學(xué)研發(fā)出存儲(chǔ)器芯片新技術(shù)

美國(guó)Rice大學(xué)宣布研發(fā)出全球第1個(gè)僅需兩個(gè)端點(diǎn)的存儲(chǔ)器芯片技術(shù)，并可使用最普通的矽原料。此技術(shù)除可容易應(yīng)用至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程外，更可望幫助摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)延伸。Rice 大學(xué)化學(xué)教授James Tour及

采用壓電振蕩器的白光LED供能方法

接收單電池供電的LED驅(qū)動(dòng)器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡(jiǎn)單的為壓電蜂鳴 器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動(dòng)白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電

利用Virtex-5 FPGA實(shí)現(xiàn)最低功耗解決方案

過(guò)渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)：低成本、高性能和更強(qiáng)的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢(shì)能夠?yàn)楦呒?jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)激動(dòng)人心的機(jī)會(huì)，但65納米工藝節(jié)點(diǎn)本身也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。例如，在為產(chǎn)品選擇FPGA時(shí)

阮華德：未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展已無(wú)法依循摩爾定律

近來(lái)在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下，觀察未來(lái)的產(chǎn)業(yè)走勢(shì)，明導(dǎo)國(guó)際(MentorGraphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(WaldenC.Rhines)表示，未來(lái)10年內(nèi)，制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩爾