美國(guó)Rice大學(xué)宣布研發(fā)出全球第1個(gè)僅需兩個(gè)端點(diǎn)的存儲(chǔ)器芯片技術(shù)，并可使用最普通的矽原料。此技術(shù)除可容易應(yīng)用至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程外，更可望幫助摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)延伸。

Rice 大學(xué)化學(xué)教授James Tour及研究生Jun Yao研發(fā)出制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電路的新方法。首先，將1個(gè)二氧化矽層夾于兩個(gè)純矽層中間，通過電流，二氧化矽的氧原子將被分離出來，形成1個(gè)奈米大小的矽晶體鏈。當(dāng)矽晶體鏈產(chǎn)生后，透過兩端極小的電極施加電壓，便能改變矽晶體鏈成為連通或中斷的狀態(tài)，形成1個(gè)和普通晶體管相同、紀(jì)錄資料有無的開關(guān)。

由于矽晶體鏈僅需2個(gè)端點(diǎn)，而不像普通晶體管需要3個(gè)，將能增加容量、減少體積，并能以三維陣列堆疊。Tour稱矽晶體鏈能縮小至5奈米，適用10奈米以下的制程。

此外，藉由在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上放置數(shù)千個(gè)矽晶體鏈，芯片每單位空間的儲(chǔ)存容量將大幅超越一般的快閃存儲(chǔ)器。Tour表示，采用此種新方法，每平方公分容量將能達(dá)到1兆位元，

此技術(shù)的最佳優(yōu)點(diǎn)在于，由于新方法采用二氧化矽而非其它較不被廣泛了解的元素，將能使此種新方法容易應(yīng)用至現(xiàn)今的半導(dǎo)體工廠，同時(shí)，此方法也相當(dāng)簡(jiǎn)易。Tour表示，半導(dǎo)體業(yè)者不需要了解任何的新技術(shù)。

此外，Tour指出制造晶體鏈的物質(zhì)并非一定要采用矽，幾乎任何金屬都行。其它發(fā)現(xiàn)還包括采用新方法制成的電路較傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器更能抗拒能量輻射造成的影響。

目前Tour實(shí)驗(yàn)室與德州公司PrivaTran合作，PrivaTran正測(cè)試使用該方法設(shè)計(jì)的芯片，下一步將擴(kuò)增規(guī)模。Tour表示，寄望此方法能成為快閃存儲(chǔ)器遭遇發(fā)展瓶頸后的候選新技術(shù)。