晶體管
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L波段低噪聲放大器的設計
引言 低噪聲放大器(LNA)是雷達、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統(tǒng)中關鍵的微波部件，有廣泛的應用價值。由于微波系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)，因此LNA噪聲系數(shù)的優(yōu)劣會直接影響整個系統(tǒng)性
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LED驅動器(Diodes)
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅動器，專門用于降低包括手電筒、應急照明，花園照明和池畔應用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅動器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝，可為設計師節(jié)約大量
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在40-nm 工藝節(jié)點實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件
實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件引言 Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一 40-nm ASIC 無風險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
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LED驅動器(Diodes)
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅動器，專門用于降低包括手電筒、應急照明，花園照明和池畔應用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅動器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝，可為設計師節(jié)約大量
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LED驅動器(Diodes)
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅動器，專門用于降低包括手電筒、應急照明，花園照明和池畔應用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅動器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝，可為設計師節(jié)約大量
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晶圓廠產(chǎn)能不足MOSFET供貨警報響
臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
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Intel、IBM 22/15nm制程部分關鍵制造技術前瞻
半導體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關這個問題，業(yè)界已經(jīng)討論了很久?，F(xiàn)在，決定半導體制造技術發(fā)展方向的歷史拐點即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發(fā)展方式上會有
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32nm制造工藝到底有多小 Intel來告訴你
2010年1月7日，Intel將會借著CES 2010大展的機會正式發(fā)布首批32nm工藝處理器，包括桌面版Clarkdale和移動版Arrandale。關于32nm，我們一般只知道它是個非常小的尺度，那么到底有多小呢?1、“nm”中文名納米
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應用于晶體管圖示儀的CPLD控制器設計
晶體管圖示儀是電路設計中常用的電子儀器，它能夠顯示晶體管的輸入特性、輸出特性和轉移特性等多種曲線和參數(shù)。它不僅可以測量晶體二極管和三極管，還可以測量場效應管、隧道二極管、單結晶體管、可控硅和光耦
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臺灣研制出最新芯片 筆記本重量可減至500克
據(jù)國外媒體報道，據(jù)研究人員和分析人士星期三稱，位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導致
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臺灣研制出最新芯片 筆記本重量可減至500克
據(jù)國外媒體報道，據(jù)研究人員和分析人士星期三稱，位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導致
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聯(lián)電28奈米 明年量產(chǎn)
聯(lián)電（2303）昨（10）日宣布在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議（IEDM），發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)／金屬閘極（HK/MG）技術，聯(lián)電預計明年下半年量產(chǎn)28奈米，與臺積電落差拉近在半年以內(nèi)。 臺積電
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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級
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高增益運放增加晶體管輸出電路
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美科學家已研制出半導體芯片硅替代品
據(jù)國外媒體報道，美國科學家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導體芯片的導電速度快10倍。 鎵，尤其是砷化鎵（
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專家面談日本半導體技術人員生存之道
“幫了自己大忙的是學位和人緣”、“在Selete（Semiconductor Leading Edge Technologies）公司，人脈擴大到了以前的10倍，在同志社大學又擴大了10倍”--湯之上隆回顧自己輾轉職場的人生時這樣說。 筆者見到湯之
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日本半導體技術人員的生存之道
“幫了自己大忙的是學位和人緣”、“在Selete（Semiconductor Leading Edge Technologies）公司，人脈擴大到了以前的10倍，在同志社大學又擴大了10倍”——湯之上隆回顧自己輾轉職場的人生時這樣說。 筆者見到湯之
