CMOS邏輯高壓晶體管（富士通微電子）

富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器。作為先進(jìn)科技的先驅(qū)，富士通開發(fā)完成了世

IBM研發(fā)速度達(dá)26GHz的石墨烯晶體管

IBM宣布研發(fā)出號(hào)稱全世界速度最快的石墨烯(graphene)場(chǎng)效晶體管(FET)，可在26GHz頻率下運(yùn)作。該公司Thomas J. Watson研究中心的研究人員并預(yù)測(cè)，碳元素更高的電子遷移率，可望使該種材料超越硅的極限，達(dá)到100GHz以上

英特爾完成下一代32納米芯片開發(fā)工作

據(jù)報(bào)道，英特爾公司完成了下一代制造工藝的開發(fā)工作，進(jìn)一步把芯片電路縮小至32納米。英特爾計(jì)劃將于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產(chǎn)品。 英特爾公司將于下周在舊金山舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議（IE

科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管

北京時(shí)間11月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途

美國(guó)科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管

計(jì)算機(jī)世界：石墨烯晶體管延續(xù)摩爾定律

眾所周知，根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)著名的摩爾定律，芯片的集成度每18個(gè)月至2年提高一倍，即加工線寬縮小一半。人們普遍認(rèn)為，這一定律還能延續(xù)10年。提出該定律的摩爾本人也曾公開表示，10年之后，摩爾定律將很難繼續(xù)有效，因?yàn)?/p>

芯片節(jié)能：由高性能到高效能引發(fā)變革

不知從何時(shí)起，芯片廠商將產(chǎn)品的宣傳語(yǔ)由“高性能”改成了“高效能”。“性能”在《現(xiàn)代漢語(yǔ)詞典》中的解釋是“機(jī)械或是其他工業(yè)制品對(duì)設(shè)計(jì)要求的滿足程度”，而“效能

臺(tái)積電明年32nm量產(chǎn) 22nm將2011年投產(chǎn)

根據(jù)臺(tái)積電最新技術(shù)藍(lán)圖，2009年32納米制程將放量生產(chǎn)，22納米制程則于2011年投產(chǎn)。臺(tái)積電研發(fā)副總孫元成指出，32納米制程之后晶體管成本快速增加，投入18吋(450mm)晶圓或許是進(jìn)一步降低成本方法之一，但預(yù)計(jì)最快要

英特爾計(jì)劃在IEDM上推出32納米工藝

在即將舉行的2008年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)，英特爾公司計(jì)劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。 根據(jù)IEDM文件，英特爾公司建立了一個(gè)基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測(cè)試芯片，單元尺寸為0.17

晶體管熱阻測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路圖

常用的控制基極的晶體管電子繼電器

圖a為NPN型晶體管利用+Ec電源控制的電子繼電器。 圖b為NPN型晶體管接地控制電路。 圖c為PNP型晶體管利用-Ec控制的電子繼電器。 圖d是有自生偏壓的電子繼電器。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

晶體管放大倍數(shù)測(cè)試電路圖

晶體管fT挑選電路圖