臺積電將28納米制程定位為全世代制程

臺積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。此一28納米制程預(yù)計于2010年第一季開始

2008首屆中國融合通信發(fā)展高峰論壇將隆重召開

為了推動融合通信在中國的應(yīng)用和發(fā)展，2008年9月24日，“2008首屆中國融合通信發(fā)展高峰論壇”將在北京世紀(jì)金源大酒店隆重召開。 本次論壇由工業(yè)和信息化部科學(xué)技術(shù)司批準(zhǔn)，中國電信、中國聯(lián)通、中國移動協(xié)

晶體管繼電器延時吸合電路圖

如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時，16μF電容上電壓為零，兩個三極管都截止，繼電器不動作。隨著16μF電容的充電，過一段時間后，其上電壓達到高電平，兩個三極管都導(dǎo)通，繼電器延時吸合。延時時

晶體管繼電器延時吸合電路圖

如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時，16μF電容上電壓為零，兩個三極管都截止，繼電器不動作。隨著16μF電容的充電，過一段時間后，其上電壓達到高電平，兩個三極管都導(dǎo)通，繼電器延時吸合。延時時

中波監(jiān)測寬帶天線放大器及其分配系統(tǒng)的制作

光電耦合器和晶體管組成的雙穩(wěn)態(tài)電路圖

如圖所示為由光電耦合器和晶體管組成的雙穩(wěn)態(tài)電路。在電源電壓接通瞬間的初始狀態(tài)，晶體管VT截止，該電路輸出高電位。當(dāng)輸入端加上正脈沖時，使VT的集電極電流增加，光電耦合器發(fā)光二極管發(fā)光，光敏三極管的集射間電

新微封裝的晶體管和二極管（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。

新微封裝的晶體管和二極管（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。

葡萄牙成功研制全球首個紙質(zhì)晶體管

晶體管鈴流發(fā)生器電路

晶體管鈴流發(fā)生器是將直流電壓24V變換為60～90V的交電鈴流電壓，用來供給通訊設(shè)備的振鈴之用，如載波機、高頻終端機、有線電話等。 1．技術(shù)性能 (1)輸入電源：直流24V±10％； (2)額定輸出：60～90V之間交流； (3)頻

低成本有機場效應(yīng) 晶體管研究取得新進展

近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標(biāo)簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注，并取得了長足的發(fā)展。 此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場

碳60高速有機晶體管現(xiàn)身 可望被應(yīng)用在OLED上

英國與荷蘭科學(xué)家制造出一種含有氟與碳60分子的高效能n型通道場效晶體管(FETs)，其電子遷移率可能高達0.15 cm2/Vs，因此可望被應(yīng)用在大面積的有機電子組件中，例如有機LED制成的可撓式、可卷式顯示器與較低端的射頻

模擬設(shè)計與驗證工具現(xiàn)狀

本文討論了模擬工具必須予以強化以支持更高階自動化的方法；同時也闡述了現(xiàn)代化IC設(shè)計環(huán)境必須強化的方法，以具備足以支持真正的、統(tǒng)一的、全芯片混合信號設(shè)計、驗證、及實現(xiàn)的能力。

消費電子IC集成的技術(shù)挑戰(zhàn)及解決策略分析

在消費電子產(chǎn)品中，IC更高集成的主要障礙是不同類型電路-主要是數(shù)字、混合信號和電源管理電路很難用一種生產(chǎn)工藝生產(chǎn)。更進一步的集成需要IC提供商在不犧牲性能的情況下，以低成本的方式來銜接這些技術(shù)差距。本文分析這些存在的技術(shù)挑戰(zhàn)以及可能的技術(shù)發(fā)展。 在小小的硅片上集成更多的功能已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最近幾十年來的重要關(guān)注點。這有幾個原因：首先消費電子產(chǎn)品特別依賴于將多個分離芯片集成到一個IC中來減少成本；其次，集成使設(shè)備更小、更便于攜帶，這一點很重要；最后一點也是很重要的一點，就是通過減少系統(tǒng)中器件數(shù)

消費電子IC集成的技術(shù)挑戰(zhàn)及解決策略分析

消費電子IC集成的技術(shù)挑戰(zhàn)及解決策略分析