晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠。若試產(chǎn)成功,將超越英特爾先前以22納米制程生產(chǎn)自家處理器芯片,大幅拉開與韓國(guó)三星電子的差距,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。上
晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠。若試產(chǎn)成功,將超越英特爾先前以22納米制程生產(chǎn)自家處理器芯片,大幅拉開與韓國(guó)三星電子的差距,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。 上
晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠。若試產(chǎn)成功,將超越英特爾先前以22納米制程生產(chǎn)自家處理器芯片,大幅拉開與韓國(guó)三星電子的差距,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。上
晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠。若試產(chǎn)成功,將超越英特爾先前以22納米制程生產(chǎn)自家處理器芯片,大幅拉開與韓國(guó)三星電子的差距,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
聯(lián)電第2季營(yíng)收季增16.2%,小幅超越公司預(yù)期的15% 財(cái)測(cè),加上臺(tái)積電28納米供不應(yīng)求,聯(lián)電順勢(shì)承接高通題材,第3季營(yíng)收成長(zhǎng)受到市場(chǎng)期待。聯(lián)電日前除息,除息參考價(jià)為12.5元,上周五(13)日以12元作收,下跌0.05元。法
晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠。若試產(chǎn)成功,將超越英特爾先前以22納米制程生產(chǎn)自家處理器芯片,大幅拉開與韓國(guó)三星電子的差距,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
晶圓代工龍頭臺(tái)積電 (2330)6月合并營(yíng)收出爐,微幅月減1.6%、年增18.4%為434.27億元,中止連4月上揚(yáng)態(tài)勢(shì),無(wú)緣續(xù)創(chuàng)歷史新高。不過總計(jì)臺(tái)積電第2季合并營(yíng)收在行動(dòng)通訊客戶拉貨踴躍帶動(dòng)下,仍是季增21.37%達(dá)1280.61億元
代工廠聯(lián)電公司于日前發(fā)布報(bào)告稱,6月銷售額約為3.1億美元,與去年同期相比上漲1.1%,與2012年5月環(huán)比上漲0.9%。這也是聯(lián)電2012年來首次月銷售額高于2011年月均銷售額。聯(lián)電在第二季出貨量可觀,因?yàn)槠渚A代工廠產(chǎn)能
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨天公布6月合并營(yíng)收達(dá)434.27億元,雖較5月歷史新高水位衰退1.6%,但合計(jì)第2季合并營(yíng)收為1280.6億元,不僅創(chuàng)下歷史新高,季增率也達(dá)21.4%,一舉超越財(cái)測(cè)高標(biāo)。 臺(tái)積電5月營(yíng)收達(dá)441.38億
(記者張建中新竹10日電)晶圓代工廠臺(tái)積電第2季合并營(yíng)收新臺(tái)幣1280.62億元,小幅超越營(yíng)運(yùn)目標(biāo)高點(diǎn)1280億元,季增逾2成,創(chuàng)單季合并營(yíng)收歷史新高紀(jì)錄。 臺(tái)積電原本預(yù)期,在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈積極回補(bǔ)庫(kù)存,加上手持裝置市場(chǎng)
受到蘋果及三星調(diào)整生產(chǎn)鏈,以及主要客戶季底盤點(diǎn)等因素影響,晶圓代工廠及封測(cè)廠昨(9)日6月營(yíng)收表現(xiàn)平淡,但第2季營(yíng)收表現(xiàn)普遍看來均達(dá)成原先預(yù)估目標(biāo)。 對(duì)于第3季,晶圓代工廠及封測(cè)廠雖然看法較為保守,但平
(記者張建中新竹9日電)晶圓代工廠聯(lián)電第2季營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣276.2億元,季增16.2%,表現(xiàn)優(yōu)于原預(yù)期的季增15%目標(biāo)。聯(lián)電原本預(yù)期,第2季在通訊及消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求強(qiáng)勁帶動(dòng)下,晶圓出貨量可望季增15%,產(chǎn)品平均售價(jià)將持平
7月6日午間消息(劉定洲)據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,內(nèi)部消息稱為了解決供應(yīng)短缺問題,高通(微博)近期會(huì)與三星(微博)電子簽晶圓代工協(xié)議,雙方擬明年起使用三星的28nm制程技術(shù)生產(chǎn)高通驍龍(Snapdragon)S4芯片組。產(chǎn)業(yè)信息顯示,
晶圓龍頭臺(tái)積電(2330)第2季營(yíng)收可如預(yù)期創(chuàng)下歷史新高,在28納米產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求下,第3季營(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高可期。 晶圓代工先進(jìn)制程因?yàn)檫M(jìn)入世代交替,需求與大環(huán)境關(guān)聯(lián)性變小,加上這波28納米產(chǎn)能吃緊情況至目前
C114訊 7月6日午間消息(劉定洲)據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,內(nèi)部消息稱為了解決供應(yīng)短缺問題,高通(微博)近期會(huì)與三星(微博)電子簽晶圓代工協(xié)議,雙方擬明年起使用三星的28nm制程技術(shù)生產(chǎn)高通驍龍(Snapdragon)S4芯片組。產(chǎn)業(yè)信息
DRAM產(chǎn)業(yè)回復(fù)滿載、晶圓代工市場(chǎng)能見度佳,推升半導(dǎo)體矽晶圓第三季需求暢旺,臺(tái)勝科(3532)第二季營(yíng)收已有15.5%的季成長(zhǎng),展望第三季,臺(tái)勝科主管表示,半導(dǎo)體矽晶圓整體需求相當(dāng)不錯(cuò),目前8寸廠和12寸廠仍維持滿載,
全球最大的微控制器(MCU)廠瑞薩電子(RenesasElectronicsCorp.)將精簡(jiǎn)、調(diào)整生產(chǎn)線,臺(tái)積電料將受惠于瑞薩晶圓代工委外的商機(jī)。盡管外資認(rèn)為瑞薩訂單多以40奈米制程生產(chǎn),對(duì)臺(tái)積電短期效益貢獻(xiàn)有限;惟在瑞薩日前
兩個(gè)月前,英特爾(Intel)高層Mark Bohr關(guān)于“無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式快不行了”的說法,引發(fā)不少熱烈討論;以下這篇由顧問機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)CEO Handel Jones所撰寫的分析文章,或許可以提供一些
聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布,與IBM達(dá)成協(xié)議,將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展,而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點(diǎn)提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來,聯(lián)電和主要競(jìng)爭(zhēng)
臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所28日發(fā)布最新預(yù)估,估今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)3061億美元,增幅2%,臺(tái)灣半導(dǎo)體受惠晶圓代工表現(xiàn)優(yōu)異帶動(dòng),估整體產(chǎn)值達(dá)1.54兆元,較2011年成長(zhǎng)6%,整體產(chǎn)值增幅將大于全球產(chǎn)業(yè)平均,而晶圓代