IR推出600V單通道柵極驅動器系列IRS212x

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅動器的設計途徑

許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文

如何實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——高速柵極驅動器

在此系列的第一部分中，討論過高電流柵極驅動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅動器也可以實現(xiàn)相同的效果。 高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管功耗來提高效

分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起退化分量剖析

SuperFlash®技術基于分離柵極概念，廣泛用于獨立和嵌入式NOR閃存產(chǎn)品。與其他競爭解決方案相比，SuperFlash的主要優(yōu)勢包括：因采用較厚的隧道電介質層而具有卓越的可靠

采用三柵極技術FPGA的突破性優(yōu)勢

三柵極技術對高性能FPGA性能的影響，以及其在數(shù)字電路速度、功率以及生產(chǎn)方面有何種程度的優(yōu)勢。

電子管放大器中燈絲交流噪聲消除方法

放大器在電路中最主要的作用就是進行放大，而電子管對于噪聲及干擾的過濾作用又較為明顯，因此電子管放大器在電路中就肩負著放大的同時對一些干擾進行過濾的作用。在本文中

高頻感應加熱電源的驅動電路設計

就目前國內(nèi)的感應加熱電源研發(fā)現(xiàn)狀而言，高頻感應加熱電源是主流的研發(fā)設計方向，也是很多工程師的工作重點。在今天的文章中，我們將會為大家分享一種基于IR2llO芯片的高頻

6J8P柵極輸入膽前級電路圖

鑒于現(xiàn)代音源輸出電平較高，可以直接推動后級(合并機)放大器，因此，制作前級的主要目的是為了校聲，使音質更好聽，音色更完美，由此制作前級不必苛求過大的增益，甚至無增益也行，采用電子管6J8P，將柵極接地，由簾柵極輸入的前級電路制作試機，電路如圖所示(另一聲道完全相同)。

運用互補性顯微術在終極尺度上三維重構并分析同一個納米級樣品

運用兩種不同的納米尺度或原子尺度測量分析方法分析同一個樣品，對完全掌握一種材料或產(chǎn)品的屬性至關重要，這種優(yōu)勢互補的分析方法特別適用于測定MOSFET、FINFET等新一代納

墻內(nèi)導線探測電路

墻內(nèi)導線探測電路

三柵極技術給FPGA帶來突破性優(yōu)勢

本文考察了半導體制造業(yè)中晶體管設計從傳統(tǒng)平面向3D結構轉化的影響，以及其對可編程邏輯器件性能的顯著提升。引言2013年2月，Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨家采用Intel的

場效應管的檢測及使用注意事項！

一、用指針式萬用表對場效應管進行判別1)用測電阻法判別結型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極

場效應晶體管聲控放大電路

場效應晶體管聲控放大電路

絕緣柵型場效應管

絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管。它的柵極-源極之間的

由兩只雙柵極場效應管構成的平衡式混頻電路

由兩只雙柵極場效應管構成的平衡式混頻電路

由場效應管組成的FM收音機電路

由場效應管組成的FM收音機電路

分壓式自偏壓電路

　　 　　分壓式自偏壓電路　　上圖所示為分壓式自偏壓電路又稱柵極接正電位偏置電路，它是在自給偏壓共源放大電路的基礎上，加上分壓電阻器R和R蛇構成的。圖中，電源UDD、

負阻型介質振蕩器及等效電路

負阻型介質振蕩器及等效電路

柵極接地放大器的電路連接方式

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分壓式自偏壓電路

分壓式自偏壓電路