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臺(tái)積電日本舉辦技術(shù)論壇介紹20nm技術(shù)開發(fā)及晶圓處理能力提高狀況
臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術(shù)論壇“TSMC2010ExecutiveForumonLeadingEdgeTechnology”。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義就技術(shù)開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/28nm及22
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GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術(shù) 2010年下半年即可使用
美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司和英國(guó)ARM公司共同開發(fā)了移動(dòng)設(shè)備用28nm級(jí)的SoC技術(shù)，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的 “Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術(shù)基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核
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臺(tái)積電日本舉辦技術(shù)論壇 介紹20nm技術(shù)開發(fā)及晶圓處理能力提高狀況
臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術(shù)論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義就技術(shù)開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
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臺(tái)積電日本舉辦技術(shù)論壇，介紹20nm技術(shù)及晶圓處理提高狀況
臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術(shù)論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義就技術(shù)開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
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GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術(shù)，2010年下半年即可使用
美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司和英國(guó)ARM公司共同開發(fā)了移動(dòng)設(shè)備用28nm級(jí)的SoC技術(shù)，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的“Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術(shù)基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核，
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電子管放大器抑制50赫交流聲的原理方法
一、燈絲電壓放大器的影響 電子管柵極與燈絲之間存在電容Cf，50赫的交流燈絲電壓將通過Cf使燈絲與柵極之間出現(xiàn)漏電流IA，IA流過輸入端從而帶來了干擾，這個(gè)在輸入級(jí)產(chǎn)生的干擾電壓雖然很少，但經(jīng)過幾級(jí)放大后，對(duì)放
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高通與臺(tái)積電攜手開發(fā)28nm工藝，2010年中期委托臺(tái)積電生產(chǎn)
美國(guó)高通（Qualcomm）與臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）將就28nm邏輯LSI的工藝開發(fā)與制造展開合作。臺(tái)積電計(jì)劃從2010年中期開始為高通量產(chǎn)28nm產(chǎn)品。高通將在該公司的便攜終端用芯片組“Snapdragon”等產(chǎn)品上采用28nm工藝。
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臺(tái)灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。 據(jù)悉，
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臺(tái)灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。據(jù)悉，早
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臺(tái)灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術(shù) 疑追趕臺(tái)積電
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。據(jù)悉，早
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東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破
東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布，其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)
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傳臺(tái)積電取消32nm工藝
據(jù)稱，全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 臺(tái)積電方面尚未就此發(fā)表官方評(píng)論，不過已經(jīng)有多個(gè)消息來源確認(rèn)了這一點(diǎn)。 不過這并不意味著
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瑞薩與松下聯(lián)手開發(fā)領(lǐng)先SoC工藝
瑞薩科技公司與松下公司共同宣布，在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯(lián)合開發(fā)領(lǐng)先的SoC工藝技術(shù)，并將其28-32nm工藝開發(fā)線投入運(yùn)營(yíng)。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過致力于對(duì)300mm晶圓產(chǎn)品線的聯(lián)合開發(fā)和提供
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瑞薩與松下聯(lián)手打造新型SoC工藝技術(shù)開發(fā)線
瑞薩與松下聯(lián)手打造新型SoC工藝技術(shù)開發(fā)線
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GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始向下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術(shù)領(lǐng)先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州
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光學(xué)量子計(jì)算機(jī)芯片首次執(zhí)行運(yùn)算
英國(guó)布里斯托爾大學(xué)的研究人員們ijnri制作了一顆光學(xué)量子計(jì)算機(jī)芯片的樣品，而且第一次執(zhí)行了數(shù)學(xué)運(yùn)算，向?qū)嵱眯粤孔佑?jì)算機(jī)又邁出了重要的一步?！ ∵@個(gè)光學(xué)量子計(jì)算芯片非常小，之上搭載了更加迷你的二氧化硅波導(dǎo)。
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